用于800Gbps和1.6Tbps光纖通信的200Gbps PIN-PD芯片圖示

三菱電機集團近日（2024年8月20日）宣布，將從2024年10月1日起開始提供用于下一代光收發(fā)器的新型200Gbps PIN光電二極管（PD）芯片樣品，以支持800Gbps和1.6Tbps光纖通信。三菱電機的光學設備陣容中增加了新的接收器芯片，將使傳輸速度為800Gbps/1.6Tbps的現(xiàn)有設備能夠以相同的速度接收新的光數(shù)據(jù)，從而擴大光收發(fā)器的通信容量，從而有助于提高數(shù)據(jù)中心內的通信速度和容量。

在物聯(lián)網(wǎng)技術發(fā)展的背景下，隨著連接到網(wǎng)絡的終端數(shù)量的增加、高分辨率視頻流的擴展以及生成式人工智能技術的普及，數(shù)據(jù)通信量呈指數(shù)級增長，對網(wǎng)絡速度和容量的需求比以往任何時候都更加迫切。特別是在市場增長迅速的數(shù)據(jù)中心，通信速度正在從400Gbps向800Gbps甚至1.6Tbps轉變。光纖收發(fā)器面臨的挑戰(zhàn)是，在用于發(fā)射的光學設備中，產(chǎn)品可支持下一代800Gbps和1.6Tbps，而在用于接收的光學設備中，滿足性能要求的產(chǎn)品較少。

繼三菱電機于2023年4月推出用于光傳輸?shù)男酒?00Gbps（112Gbaud四電平脈沖幅度調制[PAM4]）電吸收調制器激光二極管（EML）之后，即將推出用于光接收的200Gbps PIN-PD芯片。利用多年來在光學器件設計和制造中積累的專門知識，三菱電機開發(fā)了一種新的PD芯片，通過采用背面入射結構和凸透鏡集成結構，盡可能縮小光電轉換區(qū)域，從而實現(xiàn)高速傳輸。

產(chǎn) 品 特 點

集成了背面入射和凸透鏡結構，用于數(shù)據(jù)中心的高速、大容量通信

該芯片結構集成了背面入射和聚光凸透鏡，最大限度地減小了光電轉換面積，實現(xiàn)低電容，可達到200Gbps高速傳輸（112Gbaud PAM4），是傳統(tǒng)主流產(chǎn)品（100Gbps）的兩倍。

配備4個新型PD芯片的光收發(fā)器可實現(xiàn)800Gbps通信，8個芯片可實現(xiàn)1.6Tbps通信，為高速、大容量數(shù)據(jù)中心做出貢獻。
 

集成背面入射和凸透鏡的PD芯片結構橫截面圖

使光收發(fā)器的組裝效率更高，制造成本更低

與傳統(tǒng)結構相比，凸透鏡的光接收面積增加了約四倍，使新的PD芯片能夠接收到略微偏離中心的入射光。消除了對入射光精確對準的需要，有助于提高光收發(fā)器的組裝效率。

通過將PD芯片的電極與信號放大IC或基板上的倒裝芯片封裝相對應，可以消除組裝光收發(fā)器時的導線連接工序，有助于降低制造成本。
 

通過集成凸透鏡擴大光接收區(qū)域

倒裝芯片封裝

主要規(guī)格

環(huán)保意識

本產(chǎn)品符合RoHS指令2011/65/EU和（EU）2015/863。

網(wǎng)站

有關光器件的更多信息，請訪問www.MitsubishiElectric.com/semiconductors/opt/

*背面入射：一種結構，其中引腳結位于半導體襯底的前側，允許入射光在相反（背）側被接收。

**倒裝芯片安裝：將一個芯片倒裝在另一個組件上的方法

***Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment