賓夕法尼亞、MALVERN — 2019年1月30日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出15款采用eSMP®系列超薄SMF (DO-219AB)封裝新型1 A、2 A和3 A器件，擴(kuò)充其表面貼裝TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器產(chǎn)品。Vishay General Semiconductor器件比其他SMA封裝整流器節(jié)省空間，反向電壓從45 V到150 V，3 A電流等級達(dá)到業(yè)內(nèi)SMF封裝器件最高水平。
目前，3 A電流等級肖特基整流器一般采用SMA封裝。日前發(fā)布的器件采用更薄的SMF 封裝，具有高正向電流的同時增加功率密度。器件封裝尺寸 3.7 mm x 1.8 mm，高度降低至0.98 mm, 比SMA封裝薄46%，電路板占位空間減少49%。
1 A、2 A和3 A器件正向壓降分別為0.36 V、0.40 V和0.43 V，可降低續(xù)流二極管和極性保護(hù)二極管功耗，提高效率。應(yīng)用于商業(yè)和工業(yè)用高頻逆變器、DC/DC轉(zhuǎn)換器等，器件還提供AEC-Q101認(rèn)證版本，可用于汽車應(yīng)用。
新整流器最高工作結(jié)溫達(dá)+175 °C，MSL潮濕敏感度等級達(dá)到 J-STD-020 的1級，LF最高峰值為+260 °C。器件適用于自動貼片工藝要求，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素。
賓夕法尼亞、MALVERN — 2019年1月30日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出15款采用eSMP®系列超薄SMF (DO-219AB)封裝新型1 A、2 A和3 A器件，擴(kuò)充其表面貼裝TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器產(chǎn)品。Vishay General Semiconductor器件比其他SMA封裝整流器節(jié)省空間，反向電壓從45 V到150 V，3 A電流等級達(dá)到業(yè)內(nèi)SMF封裝器件最高水平。
目前，3 A電流等級肖特基整流器一般采用SMA封裝。日前發(fā)布的器件采用更薄的SMF 封裝，具有高正向電流的同時增加功率密度。器件封裝尺寸 3.7 mm x 1.8 mm，高度降低至0.98 mm, 比SMA封裝薄46%，電路板占位空間減少49%。
1 A、2 A和3 A器件正向壓降分別為0.36 V、0.40 V和0.43 V，可降低續(xù)流二極管和極性保護(hù)二極管功耗，提高效率。應(yīng)用于商業(yè)和工業(yè)用高頻逆變器、DC/DC轉(zhuǎn)換器等，器件還提供AEC-Q101認(rèn)證版本，可用于汽車應(yīng)用。
新整流器最高工作結(jié)溫達(dá)+175 °C，MSL潮濕敏感度等級達(dá)到 J-STD-020 的1級，LF最高峰值為+260 °C。器件適用于自動貼片工藝要求，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素。
賓夕法尼亞、MALVERN — 2019年1月30日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出15款采用eSMP®系列超薄SMF (DO-219AB)封裝新型1 A、2 A和3 A器件，擴(kuò)充其表面貼裝TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器產(chǎn)品。Vishay General Semiconductor器件比其他SMA封裝整流器節(jié)省空間，反向電壓從45 V到150 V，3 A電流等級達(dá)到業(yè)內(nèi)SMF封裝器件最高水平。
目前，3 A電流等級肖特基整流器一般采用SMA封裝。日前發(fā)布的器件采用更薄的SMF 封裝，具有高正向電流的同時增加功率密度。器件封裝尺寸 3.7 mm x 1.8 mm，高度降低至0.98 mm, 比SMA封裝薄46%，電路板占位空間減少49%。
1 A、2 A和3 A器件正向壓降分別為0.36 V、0.40 V和0.43 V，可降低續(xù)流二極管和極性保護(hù)二極管功耗，提高效率。應(yīng)用于商業(yè)和工業(yè)用高頻逆變器、DC/DC轉(zhuǎn)換器等，器件還提供AEC-Q101認(rèn)證版本，可用于汽車應(yīng)用。
新整流器最高工作結(jié)溫達(dá)+175 °C，MSL潮濕敏感度等級達(dá)到 J-STD-020 的1級，LF最高峰值為+260 °C。器件適用于自動貼片工藝要求，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素。
