準(zhǔn)諧振模式的InnoSwitch3-CP、InnoSwitch3-EP和InnoSwitch3-Pro IC在一個(gè)表面貼裝封裝內(nèi)集成了初級(jí)電路、次級(jí)電路和反饋電路。在新發(fā)布的系列器件中，氮化鎵開(kāi)關(guān)替換了IC初級(jí)的常規(guī)高壓硅晶體管，這可以降低電流流動(dòng)期間的傳導(dǎo)損耗，并極大降低工作時(shí)的開(kāi)關(guān)損耗。這最終有助于大幅降低電源的能耗，從而提高效率，使體積更小的InSOP-24D封裝提供更大的輸出功率。

新IC無(wú)需外圍元件即可提供精確的恒壓/恒流/恒功率，并輕松與接快充協(xié)議接口IC協(xié)同工作，因此適用于高效率反激式設(shè)計(jì)，例如，移動(dòng)設(shè)備、機(jī)頂盒、顯示器、家電、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和游戲機(jī)的USB-PD和大電流充電器/適配器。InnoSwitch3-CP和InnoSwitch3-EP的電源特性可以通過(guò)改變硬件參數(shù)的方式進(jìn)行配置，而InnoSwitch-Pro集成先進(jìn)的數(shù)字接口，可通過(guò)軟件實(shí)現(xiàn)對(duì)恒壓和恒流的設(shè)置點(diǎn)、異常處理以及安全模式選項(xiàng)的控制。

Power Integrations總裁兼首席執(zhí)行官Balu Balakrishnan表示：“在實(shí)現(xiàn)高效率和小尺寸方面，氮化鎵是一項(xiàng)明顯優(yōu)于硅技術(shù)的關(guān)鍵技術(shù)。我們預(yù)計(jì)眾多電源應(yīng)用會(huì)從硅晶體管快速轉(zhuǎn)換為氮化鎵。自從我們?cè)?/font>18個(gè)月之前推出硅技術(shù)新器件以來(lái)，InnoSwitch3已成為離線開(kāi)關(guān)電源IC市場(chǎng)當(dāng)之無(wú)愧的技術(shù)先行者，隨著我們的反激式產(chǎn)品在效率和功率能力的提高，新的氮化鎵IC進(jìn)一步鞏固了我們的優(yōu)勢(shì)地位。”