富士通電子提供各種鐵電隨機(jī)存取內(nèi)存 (FRAM)(注3) 產(chǎn)品，能提供比EEPROM與閃存更高的耐寫次數(shù)與更快的寫入速度。富士通電子的FRAM產(chǎn)品以最佳的非揮發(fā)性內(nèi)存聞名，尤其是需要非常頻繁記錄及保護(hù)寫入的數(shù)據(jù)以避免突然斷電時(shí)導(dǎo)致數(shù)據(jù)遺失。但同時(shí)，也有些客戶提出需要較低電流讀取運(yùn)作的內(nèi)存，因?yàn)樗麄兊膽?yīng)用僅需少量的寫入次數(shù)，卻極頻繁地讀取數(shù)據(jù)。
為滿足此需求，富士通電子特別開發(fā)出新型態(tài)的非揮發(fā)性ReRAM內(nèi)存“MB85AS8MT”，兼具“高密度位存取”及“低讀取電流”的特色。其為全球最高密度的8Mbit ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品，采用SPI接口、支持1.6至3.6伏特的廣泛電壓，且包含指令與時(shí)序在內(nèi)的電氣規(guī)格都兼容于EEPROM產(chǎn)品。
“MB85AS8MT”最大的特色在于即使擁有超高密度，仍能達(dá)到極小的平均讀取電流。例如，在5MHz的工作頻率下，平均讀取電流為0.15mA，僅相當(dāng)于高密度EEPROM器件所需電流的5%。
因此，在需要透過電池供電的產(chǎn)品中，像是特定程序讀取或設(shè)定數(shù)據(jù)讀取這類需要頻繁讀取數(shù)據(jù)的應(yīng)用中，透過此內(nèi)存的超低讀取電流特性，該產(chǎn)品即能大幅降低電池的耗電量。
在5MHz的工作頻率下，
MB85AS8MT的平均讀取電流僅為高密度EEPROM器件的5%
除了提供與EEPROM兼容的8針腳小外形封裝 (SOP) 外，還可提供2mm x 3mm的超小型11針腳WL-CSP，適用于裝設(shè)在小型穿戴裝置中。
MB85AS8MT也可提供2mm x 3mm的超小型11針腳WL-CSP
高密度內(nèi)存與低功耗的MB85AS8MT采用極小封裝規(guī)格，成為最適合用于需以電池供電的小型穿戴裝置的內(nèi)存，例如助聽器、智能手表及智能手環(huán)等。
富士通電子將持續(xù)致力研發(fā)最佳內(nèi)存，支持客戶對(duì)各種特殊應(yīng)用的需求。
關(guān)鍵規(guī)格
· 器件型號(hào)：MB85AS8MT
· 內(nèi)存密度 (組態(tài))：8 Mbit (1M字符x 8位)
· 界面：序列外圍接口 (SPI)
· 運(yùn)作電壓：1.6V至3.6V
· 運(yùn)作頻率：最高10MHz
· 低功耗：讀取運(yùn)作電流0.15mA (5MHz下取平均值)
· 寫入周期時(shí)間：10ms
· 分頁容量：256 bytes
· 保證寫入周期：100萬次
· 保證讀取周期：無限
· 數(shù)據(jù)保留：10年 (最高耐熱達(dá)85°C)
· 封裝：11-pin WL-CSP與8-pin SOP
注：
可變電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存 (ReRAM)：為非揮發(fā)性內(nèi)存，藉由電壓脈沖于金屬氧化物薄膜，產(chǎn)生的大幅度電阻變化以記錄1和0。其制程化繁為簡(jiǎn)，由兩電極間簡(jiǎn)易金屬氧化物架構(gòu)組成，使其同時(shí)擁有低功耗和高寫入速度的優(yōu)點(diǎn)。
松下電器半導(dǎo)體有限公司Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.：
〒 617-8520 日本京都府長(zhǎng)岡京市神足焼町1番地
網(wǎng)址：https://www.panasonic.com/jp/company/pscs/en.html
鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器 (FRAM)：FRAM是一種采用鐵電質(zhì)薄膜作為電容器以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的內(nèi)存，即便在沒有電源的情況下仍可保存數(shù)據(jù)。FRAM結(jié)合了ROM和RAM的特性，并擁有高速寫入數(shù)據(jù)、低功耗和高速讀寫周期的優(yōu)點(diǎn)。富士通自1999年開始生產(chǎn)FRAM，亦稱為FeRAM。
