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使用數(shù)字萬(wàn)用表判別IGBT模塊好壞

已有42410次閱讀2019-09-16標(biāo)簽:
       工作中會(huì)遇到這樣一些情況:損壞的IGBT模塊要分析失效原因,或者外觀(guān)完好的模塊要判斷是否有異常,在缺乏專(zhuān)門(mén)儀器的情況下,數(shù)字萬(wàn)用表作為常用工具,可以幫助我們快速判別IGBT好壞,這時(shí)一般會(huì)用到萬(wàn)用表的二極管檔、電阻檔、電容檔。值得注意的是,萬(wàn)用表的測(cè)試數(shù)據(jù)并不具有通用性,只能作為參考依據(jù)。
 
       一、模塊結(jié)構(gòu)
       以常見(jiàn)的62mm封裝IGBT模塊為例,其內(nèi)部由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)芯片、FWD(續(xù)流二極管)芯片、邦定線(xiàn)等構(gòu)成,部分大電流模塊還需由多組芯片進(jìn)行組合。圖1、2是某廠(chǎng)商400A模塊: 
 
圖1   
                               
圖2
 
       其電氣連接如圖3。該模塊上、下橋分別有4組IGBT和FWD芯片通過(guò)邦定線(xiàn)并聯(lián),等效電氣符號(hào)如圖4:
       
    圖3     
                             
圖4
 
       二、測(cè)量方法
       1、二極管檔
       用二極管檔,可以測(cè)量續(xù)流二極管的正向壓降VF。短接門(mén)極-發(fā)射極,用萬(wàn)用表紅表筆接發(fā)射極,黑表筆接集電極,測(cè)試正常模塊VF會(huì)在0.3~0.7V左右,VF過(guò)大說(shuō)明FWD芯片或邦定線(xiàn)斷開(kāi),過(guò)小說(shuō)明FWD或IGBT芯片出現(xiàn)短路。
 
       VF的大小與正向電流IF有關(guān),如下圖所示,不同萬(wàn)用表測(cè)試電路中的電阻和電壓存在一定的差異,因此會(huì)導(dǎo)致測(cè)量結(jié)果的差異,所以此測(cè)試值并不能與其他萬(wàn)用表測(cè)試值做對(duì)比,更不能代表數(shù)據(jù)手冊(cè)上的數(shù)據(jù),此測(cè)試值沒(méi)有其它意義,只可以簡(jiǎn)單判定FWD芯片好壞。
 
圖5
 
       2、電阻檔
       (1)測(cè)量模塊內(nèi)各個(gè)IGBT 管的集電極-發(fā)射極之間的阻值,短接門(mén)極-發(fā)射極,萬(wàn)用表紅表筆接集電極,黑表筆接發(fā)射極,正常模塊電阻數(shù)值顯示一般在兆歐級(jí)以上。
 
       (2)分別測(cè)量模塊內(nèi)各個(gè)IGBT 管相門(mén)極-發(fā)射極(門(mén)極-集電極)之間的阻值。萬(wàn)用表紅、黑表筆分別接于門(mén)極和發(fā)射極(門(mén)極和集電極),正常模塊同樣顯示高阻態(tài)。當(dāng)模塊上連接有驅(qū)動(dòng)板時(shí),門(mén)極-發(fā)射極電阻值等于泄放電阻,一般為數(shù)千歐。
 
       受萬(wàn)用表測(cè)量范圍的影響,對(duì)于上述高阻態(tài)的測(cè)量,部分萬(wàn)用表無(wú)法顯示有效數(shù)值。當(dāng)然測(cè)試值為高阻態(tài)時(shí)并不能完全代表模塊是正常的,上述操作方法對(duì)于失效模塊的判定有一定的效果,但判定成功率不是很高,還需要結(jié)合電容檔測(cè)量結(jié)果。
 
       3、電容檔
       萬(wàn)用表測(cè)量檔位調(diào)至電容檔,紅表筆接門(mén)極,黑表筆接發(fā)射極,分別測(cè)量模塊內(nèi)IGBT的門(mén)極-發(fā)射極之間的內(nèi)部電容容值,記錄測(cè)量數(shù)據(jù),然后更換表筆,即黑表筆接門(mén)極,紅表筆接發(fā)射極,記錄測(cè)量所得數(shù)據(jù),視模塊不同容值從幾nF到幾十nF。最后,將此數(shù)據(jù)與該萬(wàn)用表測(cè)量的模塊內(nèi)其它IGBT芯片或同產(chǎn)家、同型號(hào)模塊的測(cè)量數(shù)據(jù)進(jìn)行比較,數(shù)值應(yīng)相同或相近。
 
       測(cè)量時(shí)只建議測(cè)量門(mén)極-發(fā)射極之間的電容, IGBT 芯片中Cies 是最大的, Cres 和Coes遠(yuǎn)小于Cies,見(jiàn)示意圖6、7,而萬(wàn)用表對(duì)于電容的測(cè)試精度也是有限的。
 
       此外:
 
       (1)和正向壓降VF類(lèi)似,此處測(cè)試值與數(shù)據(jù)手冊(cè)上測(cè)試值測(cè)試條件是不同的,僅能作為對(duì)比參考。
 
       (2)模塊上如連接了驅(qū)動(dòng)板,對(duì)容值測(cè)量結(jié)果有影響,應(yīng)先去除。
      
 圖6                         
 圖7
 
       三、總結(jié)
       簡(jiǎn)單歸納數(shù)字萬(wàn)用表判別IGBT好壞步驟如下:
       

       注:

       1、上述方法作為初步判別手段,更準(zhǔn)確的分析需要借助專(zhuān)門(mén)儀器。
 
       2、測(cè)量過(guò)程手指等不要觸碰模塊電極,以免靜電損傷,或干擾對(duì)失效模塊的進(jìn)一步分析。
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