隨著工業(yè)、汽車、無線通訊和消費電子等領域新應用的不斷涌現(xiàn)以及節(jié)能減排需求日益迫切，我國功率半導體有龐大的市場需求，容易催生新產業(yè)新技術，在國家政策利好下，功率半導體將成為“中國芯”的最好突破口。
為此，民進中央建議：
一、進一步完善功率半導體產業(yè)發(fā)展政策，大力扶持硅材料功率半導體芯片技術攻關，立項支持硅材料功率半導體材料、芯片、器件等設計和制造工藝流程技術。經過多年布局和發(fā)展，我國在硅材料 IGBT芯片技術方面有一定的技術基礎和沉淀，可以將集中突破硅材料6代功率芯片產品設計及批量制造工藝技 術作為發(fā)展重點，采取先易后難、解決“有無”問題的發(fā)展策略，盡快實現(xiàn)功率半導體芯片自主供給。
二、加大新材料科技攻關。大數(shù)據(jù)傳輸、云計算、AI 技術、物聯(lián)網，包括下一步的能源傳輸，對網絡傳輸速度及容量提出了越來越高的要求，大功率芯片的市場需求非常大。從產業(yè)發(fā)展趨勢看，碳化硅、氮化鎵等新材料應用于功率半導體優(yōu)勢明顯，是下一代功率半導體的核心技術方向。
目前碳化硅、氮化鎵市場處于起步階段，國內廠商與海外傳統(tǒng)巨頭之間差距較小，國內企業(yè)有望在本土市場應用中實現(xiàn)彎道超車。
一是要把功率半導體新材料研發(fā)列入國家計劃，全面部署，竭力搶占戰(zhàn)略制高點；
二是引導企業(yè)積極滿足未來的應用需求，進行前瞻性布局。推動功率半導體龍頭企業(yè)著力攻克一批產業(yè)發(fā)展關鍵技術、應用技術難題，在國際競爭中搶占先機；
三是要避免對新概念的過熱炒作。新材料從發(fā)現(xiàn)潛力到產業(yè)化，需要建立起高效的產學研體系，打造更加開放包容的投資環(huán)境。
三、謹慎支持收購國外功率半導體企業(yè)。通過收購很難實現(xiàn)完全學會和掌握國際先進的功率半導體芯 片設計及制造工藝技術，同時海外工廠制造的產品仍然存在著無法出口到中國的危險。
業(yè)內指出，功率半導體關系到我國智能電網、高鐵動力系統(tǒng)、汽車動力系統(tǒng)等關鍵零部件的國產化進程，是關系到高鐵工業(yè)、汽車工業(yè)自主可控的戰(zhàn)略性產業(yè)。國家政策的支持將加速我國高端功率器件的發(fā)展進程，未來市場空間廣闊。
其中，內功率半導體器件龍頭企業(yè)華微電子在2019年年報中表示，公司擁有4英寸、5英寸與6英寸等多條功率半導體晶圓生產線，產品覆蓋IGBT芯片、MOSFET芯片和IC芯片，處于國內行業(yè)領先地位；同時，8英寸生產線項目第一期預計在2020年6月通線，將進一步提升公司的制造能力。
在IGBT領域，公司將進行重要布局。公司表示將拓展白色家電、工業(yè)變頻、UPS和新能源領域IGBT產品的份額；開發(fā)新一代Trench FS IGBT產品平臺，產品關鍵參數(shù)性能較上一代提升15%；對于新能源車用芯片，推出自主設計集成電流傳感器和溫度傳感器的IGBT芯片和配套的模塊方案，提高產品功率密度和效率，適應電控系統(tǒng)的輕量化要求。
目前，國內市場上銷售的IGBT、低壓trench-MOS和超結MOS產品多為進口產品，產品售價較高。據(jù)公告，公司8英寸產品具有進口替代優(yōu)勢，擬應用在新能源汽車、變頻家電和廚房電源三大領域。與進口同類產品相比，生產成本較低，產品售價預計會有較強的市場競爭力。
目前公司產品已經向新能源汽車、變頻家電、工業(yè)和光伏新興領域快速拓展，并已取得良好效果。公司已建立從高端二極管、單雙向可控硅、MOS系列產品到第六代IGBT國內最齊全、最具競爭力的功率半導體器件產品體系，正逐步由單一器件供應商向整體解決方案供應商轉變。
