SiC性能優(yōu)良但短期難替代IGBT,新能源汽車普及在即,有望帶動車規(guī)級IGBT放量增長。IGBT技術(shù)不斷革新,已經(jīng)迭代7代,朝著“小尺寸、高功率、低損耗”方向發(fā)展。SiCMOSFET雖性能優(yōu)良,但在成本與可靠性上不具優(yōu)勢,故目前全球產(chǎn)業(yè)化尚處起步階段。新能源汽車行業(yè)臨近拐點之年,高端車與低端車雙雙加速放量,預(yù)計2025年銷量有望達(dá)505萬輛,在新能源汽車等下游應(yīng)用市場蓬勃發(fā)展的拉動下,IGBT供不應(yīng)求,IGBT行業(yè)將持續(xù)向好發(fā)展,我們預(yù)計國內(nèi)車規(guī)級IGBT2025年市場空間為152億元,2019-2025年CAGR約27%。
國內(nèi)龍頭突圍IGBT市場,有望通過技術(shù)升級和低價換量實現(xiàn)進(jìn)口替代。國內(nèi)車規(guī)級IGBT行業(yè)呈寡頭壟斷格局,英飛凌占近六成份額,比亞迪破局而入,市場份額為18%,國產(chǎn)化程度比較低。技術(shù)上,英飛凌、三菱等國際龍頭領(lǐng)先國內(nèi)龍頭1代左右,且實現(xiàn)了產(chǎn)品低、中、高壓全覆蓋;成本上,低價材料疊加高效生產(chǎn),使得國際龍頭成本占優(yōu),再考慮到其品牌高定價,故毛利率水平高于國內(nèi)龍頭。目前國內(nèi)IGBT對外依存度超90%,進(jìn)口替代迫在眉睫,以比亞迪、斯達(dá)半導(dǎo)為代表的國內(nèi)龍頭正在加速推進(jìn)IGBT國產(chǎn)化。未來在與國際龍頭競爭中,國內(nèi)龍頭有望在技術(shù)與成本上雙管齊下,一方面加快IGBT技術(shù)的自主研發(fā),縮小與國際水平差距,另一方面擴(kuò)產(chǎn)降本,以更低價格換取更多市場,真正實現(xiàn)核“芯”自主可控。
