通過比較尚陽通SnowMOSTM B系列產(chǎn)品和IGBT 產(chǎn)品，對(duì)器件的動(dòng)靜態(tài)參數(shù)和波形進(jìn)行分析，可以更好的認(rèn)知尚陽通產(chǎn)品特征。如下是尚陽通MOSFET SRC65R042BT-G 和 IGBT SRE50N065FSUD6T-G產(chǎn)品的靜動(dòng)態(tài)參數(shù)比較表格：
通過上表可以看到，兩款產(chǎn)品的靜態(tài)參數(shù)相當(dāng)；但實(shí)際IGBT是導(dǎo)通壓降特性，MOSFET是導(dǎo)通電阻特性，根據(jù)實(shí)際靜態(tài)數(shù)據(jù)計(jì)算兩者導(dǎo)通損耗 vs 導(dǎo)通電流曲線如下�？梢钥吹剑谛‰娏飨�，MOSFET損耗相對(duì)較��；在大電流下，IGBT的導(dǎo)通損耗較小。
尚陽通IGBT SRE50N065FSUD6T的動(dòng)態(tài)參數(shù)Qg，Cies和Coes相比較B 系列MOSFET更小。這可以改善開關(guān)電源設(shè)計(jì)中的驅(qū)動(dòng)損耗，也可以使用性價(jià)比更高的驅(qū)動(dòng)線路。
實(shí)際測(cè)試關(guān)斷損耗曲線如上圖。在小電流情況下，MOSFET關(guān)斷損耗較優(yōu)；在大電流情況下，IGBT關(guān)斷損耗略優(yōu)。綜合導(dǎo)通損耗的特點(diǎn)可以看出，MOSFET適合應(yīng)用在中小功率以及高頻工作情況下，而IGBT更適合工作在中大功率和低頻工作情況下。
以傳統(tǒng)PFC線路為例，主功率器件的電流開關(guān)波形如上圖。根據(jù)此波形評(píng)估分別采用MOSFET和IGBT的損耗分布如下：
可以看到，MOSFET 在130kHz工作條件下總損耗略小于IGBT在45kHz工作條件下的總損耗。MOSFET有利于提升系統(tǒng)工作頻率，減少系統(tǒng)體積；IGBT在低頻工作下是性價(jià)比更高的一種方案。
基于客戶的多種選擇，尚陽通目前已經(jīng)推出全系列超結(jié)600~650V 超結(jié)MOSFET產(chǎn)品，封裝包括TO-247，TO-247-4， PDFN88等多種封裝形式；其中TO-247封裝產(chǎn)品Rdson最低到22mΩ，PDFN88封裝產(chǎn)品Rdson最低到75mΩ；同時(shí)推出多規(guī)格IGBT和SiC產(chǎn)品供客戶選擇。
