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華微電子迎功率半導(dǎo)體發(fā)展機(jī)遇,再造“中國芯”

已有35497次閱讀2020-07-08標(biāo)簽:
   中國是全球最大的功率半導(dǎo)體消費(fèi)國。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示,2021年我國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模有望達(dá)到159億美元,年復(fù)合增長率達(dá)到4.83%,超過全球功率半導(dǎo)體增長速度。但是我國功率半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)方面卻遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到,在這樣的大形勢下,華微電子將挺身而出,大力發(fā)展功率半導(dǎo)體行業(yè)。
 
  隨著工業(yè)、汽車、無線通訊和消費(fèi)電子等領(lǐng)域新應(yīng)用的不斷涌現(xiàn)以及節(jié)能減排需求日益迫切,我國功率半導(dǎo)體有龐大的市場需求,容易催生新產(chǎn)業(yè)新技術(shù),在國家政策利好下,功率半導(dǎo)體將成為“中國芯”的最好突破口。
 
  為此,民進(jìn)中央建議:
 
  一、進(jìn)一步完善功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策,大力扶持硅材料功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)攻關(guān),立項支持硅材料功率半導(dǎo)體材料、芯片、器件等設(shè)計和制造工藝流程技術(shù)。經(jīng)過多年布局和發(fā)展,我國在硅材料IGBT芯片技術(shù)方面有一定的技術(shù)基礎(chǔ)和沉淀,可以將集中突破硅材料6代功率芯片產(chǎn)品設(shè)計及批量制造工藝技術(shù)作為發(fā)展重點(diǎn),采取先易后難、解決“有無”問題的發(fā)展策略,盡快實現(xiàn)功率半導(dǎo)體芯片自主供給。
 
  二、加大新材料科技攻關(guān)。大數(shù)據(jù)傳輸、云計算、AI技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng),包括下一步的能源傳輸,對網(wǎng)絡(luò)傳輸速度及容量提出了越來越高的要求,大功率芯片的市場需求非常大。從產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢看,碳化硅、氮化鎵等新材料應(yīng)用于功率半導(dǎo)體優(yōu)勢明顯,是下一代功率半導(dǎo)體的核心技術(shù)方向。
 
  目前碳化硅、氮化鎵市場處于起步階段,國內(nèi)廠商與海外傳統(tǒng)巨頭之間差距較小,國內(nèi)企業(yè)有望在本土市場應(yīng)用中實現(xiàn)彎道超車。
 
  一是要把功率半導(dǎo)體新材料研發(fā)列入國家計劃,全面部署,竭力搶占戰(zhàn)略制高點(diǎn);
 
  二是引導(dǎo)企業(yè)積極滿足未來的應(yīng)用需求,進(jìn)行前瞻性布局。推動功率半導(dǎo)體龍頭企業(yè)著力攻克一批產(chǎn)業(yè)發(fā)展關(guān)鍵技術(shù)、應(yīng)用技術(shù)難題,在國際競爭中搶占先機(jī);
 
  三是要避免對新概念的過熱炒作。新材料從發(fā)現(xiàn)潛力到產(chǎn)業(yè)化,需要建立起高效的產(chǎn)學(xué)研體系,打造更加開放包容的投資環(huán)境。
 
  三、謹(jǐn)慎支持收購國外功率半導(dǎo)體企業(yè)。通過收購很難實現(xiàn)完全學(xué)會和掌握國際先進(jìn)的功率半導(dǎo)體芯片設(shè)計及制造工藝技術(shù),同時海外工廠制造的產(chǎn)品仍然存在著無法出口到中國的危險。
 
  業(yè)內(nèi)指出,功率半導(dǎo)體關(guān)系到我國智能電網(wǎng)、高鐵動力系統(tǒng)、汽車動力系統(tǒng)等關(guān)鍵零部件的國產(chǎn)化進(jìn)程,是關(guān)系到高鐵工業(yè)、汽車工業(yè)自主可控的戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)。國家政策的支持將加速我國高端功率器件的發(fā)展進(jìn)程,未來市場空間廣闊。
 
  其中,國內(nèi)功率半導(dǎo)體器件龍頭企業(yè)華微電子在2019年年報中表示,華微電子擁有4英寸、5英寸與6英寸等多條功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線,產(chǎn)品覆蓋IGBT芯片、MOSFET芯片和IC芯片,處于國內(nèi)行業(yè)領(lǐng)先地位;同時,8英寸生產(chǎn)線預(yù)計在2020年6月投入使用,將進(jìn)一步提升華微電子的制造能力。
 
  在IGBT領(lǐng)域,華微電子將進(jìn)行重要布局。華微電子表示將拓展白色家電、工業(yè)變頻、UPS和新能源領(lǐng)域IGBT產(chǎn)品的份額;開發(fā)新一代TrenchFSIGBT產(chǎn)品平臺,產(chǎn)品關(guān)鍵參數(shù)性能較上一代提升15%;對于新能源車用芯片,推出自主設(shè)計集成電流傳感器和溫度傳感器的IGBT芯片和配套的模塊方案,提高產(chǎn)品功率密度和效率,適應(yīng)電控系統(tǒng)的輕量化要求。
 
  目前,國內(nèi)市場上銷售的IGBT、低壓trench-MOS和超結(jié)MOS產(chǎn)品多為進(jìn)口產(chǎn)品,產(chǎn)品售價較高。據(jù)公告,華微電子8英寸產(chǎn)品具有進(jìn)口替代優(yōu)勢,擬應(yīng)用在新能源汽車、變頻家電和廚房電源三大領(lǐng)域。與進(jìn)口同類產(chǎn)品相比,生產(chǎn)成本較低,產(chǎn)品售價預(yù)計會有較強(qiáng)的市場競爭力。
 
  現(xiàn)如今,華微電子的產(chǎn)品已經(jīng)向新興領(lǐng)域快速拓展,并已取得良好效果。未來,華微電子仍將堅持科學(xué)技術(shù)的研發(fā),加大科研方面的投入,為“中國芯”的制造提供更堅實的技術(shù)保障,推進(jìn)國內(nèi)功率半導(dǎo)體行業(yè)健康有序發(fā)展。
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