英飛凌科技股份有限公司擴充旗下CoolSiC MOSFET系列電壓等級，繼今年稍早推出的650V產(chǎn)品后，現(xiàn)在更新添具專屬溝槽式半導體技術的1700V電壓等級產(chǎn)品。
新款1700V表面黏著裝置（SMD）產(chǎn)品充分發(fā)揮了碳化硅（SiC）強大的物理特性，提供優(yōu)異的可靠性和低切換及導通損耗。1700V CoolSiC MOSFET適用于三相轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的輔助電源供應器，例如：馬達、再生能源、充電基礎設施及HVDC系統(tǒng)等。
全新1700V CoolSiC溝槽式MOSFET適用于+12 V/0 V閘極源極電壓與一般PWM控制器兼容的返馳式拓撲，因此，無需閘極驅(qū)動IC，就能直接以返馳式控制器來運作。
這類低功率應用通常在100W以下運作。在這些情況下，設計人員通常偏好采用單端返馳式拓撲。有了SMD封裝的1700V CoolSiC MOSFET后，甚至能在輸入電壓高達1000 VDC的直流連結連接輔助電路啟用這種拓撲技術。使用單端返馳式轉(zhuǎn)換器的輔助轉(zhuǎn)換器具高效率和高可靠性，可建置于三相電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中，進而將尺寸縮到最小并減少物料清單。
英飛凌工業(yè)電源控制部門SiC資深協(xié)理Peter Friedrichs博士表示：「1700V CoolSiC MOSFET采用溝槽式技術，可完美平衡效能及可靠性。它結合SiC的出色特性：在高壓SMD封裝中提供精巧尺寸及低損耗，有助于讓我們的客戶大幅降低其輔助電源供應器的復雜性�！�
1700V阻斷電壓消除了設計上針對過電壓余度及電源供應器可靠度的疑慮。CoolSiC溝槽式技術具備此電壓等級晶體管的最低裝置電容和閘極電荷。
因此，與先進的1500V硅MOSFET相比，其功率耗損減少了50％以上，效率也提升了2.5％。與其他1700V SiC MOSFET相比，其效率提升0.6％。低損耗有助于打造尺寸精巧的SMD封裝，以自然對流冷卻的方式進行組裝，不再需要散熱器。
