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第三代半導體或成政策發(fā)力點 華為等巨頭布局(附股)

已有33998次閱讀2020-09-07標簽:
   第三代半導體以氮化鎵、碳化硅、硒化鋅等寬帶半導體原料為主,更適合制造耐高溫、耐高壓、耐大電流的高頻大功率器件。目前,第三大半導體材料市場呈現(xiàn)出美日歐玩家領(lǐng)先的格局。相比之下,中國的第三代半導體產(chǎn)業(yè)稍顯貧弱,在技術(shù)領(lǐng)先度、市場份額占比等方面較落后。
 
  華創(chuàng)證券指出,有消息稱,中國正在規(guī)劃將大力支持發(fā)展第三代半導體產(chǎn)業(yè)寫入“十四五”規(guī)劃之中,計劃在2021到2025年的五年之內(nèi),舉全國之力,在教育、科研、開發(fā)、融資、應用等等各個方面對第三代半導體發(fā)展提供廣泛支持,以期實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨立自主。
 
  國內(nèi)第三代半導體產(chǎn)業(yè)的建設(shè)也在加碼。2020年7月20日,投資160億元、占地面積1000畝的“三安光電第三代半導體產(chǎn)業(yè)園”,在長沙高新區(qū)啟動開工建設(shè)。而在此之前,華為旗下的哈勃科技投資有限公司出手投資了國內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導體材料公司,該公司是我國第三代半導體材料碳化硅龍頭企業(yè)。
 
  據(jù)市場分析機構(gòu)賽迪顧問統(tǒng)計,2019年在射頻器件領(lǐng)域氮化鎵占比超過30%,氮化鎵市場規(guī)模約5.6億美元;到2025年,氮化鎵在射頻器件領(lǐng)域占比有望超過50%,市場規(guī)模有望沖破30億美元。碳化硅方面,2019年全球碳化硅市場規(guī)模約5.4億美元,在2025年有望達到30億美元,汽車市場將成為碳化硅市場規(guī)模增長的重要驅(qū)動力。5G、智慧交通、新能源已經(jīng)成為全球發(fā)展的方向,而碳化硅、氮化鎵的市場潛力還遠未被全部挖掘。
 
  三安光電近年來不斷布局氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、碳化硅(SiC)等產(chǎn)品陸續(xù)出貨,正式宣告跨界氮化鎵領(lǐng)域。
 
  亞光科技主要專注于III-V化合物半導體工藝尤其是寬禁帶半導體,用于制造高頻高功率器件。公司很早就開發(fā)了氮化鎵相關(guān)產(chǎn)品,技術(shù)水平處于業(yè)內(nèi)相對領(lǐng)先地位。
 
  有研新材積極推進半導體靶材、稀土磁材、紅外光學材料、生物醫(yī)用材料等重點領(lǐng)域發(fā)展。
 
  智光電氣在互動平臺上表示,參股公司粵芯半導體聯(lián)合中標工信部半導體、芯片、關(guān)鍵零部件等領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)技術(shù)基礎(chǔ)公告服務平臺建設(shè)項目,此建設(shè)項目面向第三代半導體碳化硅芯片制造技術(shù),開展“卡脖子”核心裝備研制,重點解決高硬度材料的高平整度、低粗糙度高效加工技術(shù)等難題。
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