作為功率半導(dǎo)體器件第三次技術(shù)革命的代表性產(chǎn)品，IGBT從上世紀(jì)80年代至今經(jīng)歷了六代技術(shù)演變，具有高頻率、高電壓、大電流、易于開關(guān)等優(yōu)良性能，被業(yè)界譽(yù)為功率變流裝置的“CPU”。
采用IGBT進(jìn)行功率變換，能夠提高用電效率和質(zhì)量，具有高效節(jié)能和綠色環(huán)保的特點(diǎn)，是解決能源短缺問題和降低碳排放的關(guān)鍵支撐技術(shù)。因此，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、家用電器、新能源汽車、軌道交通、醫(yī)學(xué)乃至軍工航天領(lǐng)域等領(lǐng)域。
我國是IGBT需求上升最快的國家之一，據(jù)集邦咨詢2019年IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展報告顯示，受益于新能源汽車及工業(yè)領(lǐng)域需求的大幅增長和IGBT技術(shù)的逐漸成熟，IGBT市場規(guī)模迅速正在迅速擴(kuò)大；2018年我國IGBT市場規(guī)模為153億元，同比增長19.9%。
盡管目前，國內(nèi)也有眾多廠商加入IGBT產(chǎn)品布局，但國內(nèi)IGBT市場依然產(chǎn)量依然較低，與國內(nèi)巨大需求相比供不應(yīng)求。2018年國內(nèi)IGBT產(chǎn)量1115萬只，較2017年的820萬只增加了295萬只，同比增長36%。但2018年國內(nèi)IGBT產(chǎn)品需求達(dá)7898萬只，供需缺口達(dá)6783萬只，國內(nèi)產(chǎn)量嚴(yán)重不足。
目前全球IGBT市場主要由國外企業(yè)占據(jù)，從全球市場競爭格局來看，IGBT供應(yīng)商分布相對集中，主要由歐洲、美國、日本三個國家（地區(qū)）提供，其中包括德國英飛凌、瑞士ABB、美國安森美、飛兆以及日本三菱、東芝、富士等公司，他們憑借先進(jìn)的生產(chǎn)及制造工藝，占據(jù)了大部分市場份額。
由于IGBT行業(yè)存在技術(shù)門檻較高、人才匱乏、市場開拓難度大、資金投入較大等困難，國內(nèi)企業(yè)在產(chǎn)業(yè)化的進(jìn)程中一直進(jìn)展緩慢，隨著全球制造業(yè)向我國轉(zhuǎn)移，我國功率半導(dǎo)體市場占世界市場的50%以上，是全球最大的IGBT市場，但I(xiàn)GBT產(chǎn)品嚴(yán)重依賴進(jìn)口，在中高端領(lǐng)域更是90%以上的IGBT器件依賴進(jìn)口，IGBT國產(chǎn)化需求已是刻不容緩。
雖然我國IGBT市場需求增長迅速，但由于國內(nèi)相關(guān)人才缺乏，工藝基礎(chǔ)薄弱，國內(nèi)企業(yè)產(chǎn)業(yè)化起步較晚，IGBT模塊至今仍幾乎全部依賴進(jìn)口，市場主要由歐洲、日本及美國企業(yè)占領(lǐng)。
但國內(nèi)廠商發(fā)展具有自身優(yōu)勢：在需求端，我國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模居全球首位，本土IGBT企業(yè)擁有靠近目標(biāo)市場的地域優(yōu)勢，可以對市場需求做出快速反應(yīng)；在供給端，自主可控是發(fā)展趨勢，同時國內(nèi)的IGBT企業(yè)相較于國外廠商往往具備成本與定制化的相對優(yōu)勢。再加上國家政策及社會資本的加持，未來，實現(xiàn)IGBT國產(chǎn)替代仍具有較高可能性。
本土IGBT相關(guān)企業(yè)
江蘇捷捷微電子股份有限公司
成立于1995年3月，是一家從事半導(dǎo)體分立器件研發(fā)、制造和銷售的企業(yè)，晶閘管器件及芯片方片化IDM廠商。公司擁有五條半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品線。主營產(chǎn)品包括MOSFET器件，IGBT，半導(dǎo)體防護(hù)器件，二極管，SiC二極管，塑封可控硅，小信號器件，固態(tài)繼電器等。
杭州士蘭微電子股份有限公司
成立于1997年9月，是一家半導(dǎo)體IDM企業(yè)，公司業(yè)務(wù)主要集中于三大領(lǐng)域，一是基于士蘭芯片生產(chǎn)線高壓、高功率、高頻特殊工藝的集成電路、功率模塊(IPM/PIM)、功率器件及（各類MCU/專用IC組成的）功率半導(dǎo)體方案；二是MEMS傳感器產(chǎn)品、數(shù)字音視頻和智能語音產(chǎn)品；三是光電產(chǎn)品及LED芯片制造和封裝。主營產(chǎn)品包括分立器件成品（IGBT、MOS管、TVS、FRD、三極管、SBD），IPM智能功率模塊，IGBT模塊，AC-DC電路，快充電路，DC-DC電路，LED驅(qū)動電路（照明、調(diào)光），柵極驅(qū)動集成電路，MEMS傳感器電路，8/32位MCU，專用ASIC電路等。
江蘇固特電氣控制技術(shù)有限公司
成立于2001年3月，專業(yè)研制和生產(chǎn)固態(tài)繼電器，電力半導(dǎo)體模塊，調(diào)壓調(diào)功控制器及軟啟動控制器，風(fēng)機(jī)調(diào)速器產(chǎn)品系列，智能溫控儀表。主要產(chǎn)品包括固態(tài)繼電器、功率半導(dǎo)體模塊（IGBT模塊、晶閘管模塊、整流管模塊、晶閘管/整流混合模塊、整流橋模塊、電機(jī)旋轉(zhuǎn)模塊）、電力調(diào)整器、固態(tài)調(diào)壓器、溫控儀表、風(fēng)力調(diào)速器、三相電機(jī)正反轉(zhuǎn)模塊。
比亞迪半導(dǎo)體有限公司
成立于2004年10月，作為半導(dǎo)體IDM企業(yè)，比亞迪半導(dǎo)體主要從事功率半導(dǎo)體、智能控制IC、智能傳感器、光電半導(dǎo)體的設(shè)計、研發(fā)、制造及服務(wù)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、能源、通訊和消費(fèi)電子等領(lǐng)域。2005年,比亞迪組建團(tuán)隊,開始研發(fā)IGBT；2009年推出國內(nèi)首款自主研發(fā)IGBT芯片，打破國外企業(yè)的技術(shù)壟斷；2018年推出IGBT 4.0芯片，成為國內(nèi)中高端IGBT功率芯片新標(biāo)桿；2020年推出國內(nèi)首款批量裝車的SiC MOSFET，已應(yīng)用于比亞迪全新旗艦豪華轎車“漢”車型。主營產(chǎn)品包括功率半導(dǎo)體器件、IGBT功率模塊、電源管理IC、CMOS圖像傳感器、傳感及控制IC、音視頻處理IC等。
嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司
成立于2005年4月，是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體芯片和模塊尤其是IGBT芯片和模塊研發(fā)、生產(chǎn)和銷售服務(wù)的國家級高新技術(shù)企業(yè)，成功研發(fā)出了全系列IGBT芯片、FRD芯片和IGBT模塊。其中IGBT模塊產(chǎn)品超過600種，電壓等級涵蓋100V～3300V，電流等級涵蓋10A～3600A。產(chǎn)品已被成功應(yīng)用于新能源汽車、變頻器、逆變焊機(jī)、UPS、光伏/風(fēng)力發(fā)電、SVG、白色家電等領(lǐng)域。主要產(chǎn)品包括IGBT器件，IGBT模塊（600V、650V、1200V、1700V、3300），MOSFET模塊，IPM模塊，F(xiàn)RD/整流模塊/晶閘管、SiC等。
江蘇宏微科技股份有限公司
成立于2006年8月，業(yè)務(wù)包括設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售新型電力半導(dǎo)體芯片、分立器件及模塊，如FRED、VDMOS、IGBT芯片、分立器件、標(biāo)準(zhǔn)模塊及用戶定制模塊(CSPM)；高效節(jié)能電力電子裝置的模塊化設(shè)計、制造及系統(tǒng)的解決方案，如動態(tài)節(jié)能照明電源、開關(guān)電源、UPS、逆變及變頻裝置等。主要產(chǎn)品包括快恢復(fù)二極管芯片及模塊，IGBT分立器件及模塊，MOSFET分立器件，F(xiàn)RED分立器，整流二極管模塊，晶閘管模塊，整流橋模塊，電源模組等。
西安衛(wèi)光科技有限公司
成立于2007年1月，隸屬于陜西電子信息集團(tuán)公司，是大功率半導(dǎo)體器件重點(diǎn)骨干企業(yè)和軍用元器件研制、生產(chǎn)定點(diǎn)企業(yè)�，F(xiàn)有六條生產(chǎn)線（6英寸0.35μm MOSFET/IGBT芯片、4英寸功率雙極型晶體管/TVS、硅低頻大功率晶體管、玻璃鈍化封裝二極管、硅堆硅橋生產(chǎn)線、功率模生產(chǎn)線、塑封晶體管生產(chǎn)線）。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于航天、航空、電子、兵器、船舶、核工業(yè)等領(lǐng)域。主要產(chǎn)品包括MOSFET/IGBT晶體管、功率模塊、雙極型功率晶體管、玻璃鈍化封裝二極管、金屬封裝二極管、硅堆、硅橋、TVS瞬態(tài)電壓抑制二極管。
蘇州硅能半導(dǎo)體科技股份有限公司
成立于2007年11月，是一家半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司，已開發(fā)的產(chǎn)品包括大功率MOSFET、溝槽式肖特基、射頻功率晶體管、IGBT和功率集成電路，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電動車電機(jī)、筆記本等數(shù)碼產(chǎn)品、鋰電保護(hù)、Adaptor、太陽能（LED）、航模、工業(yè)開關(guān)控制（UPS）、變頻器、通訊設(shè)備等等各種電源轉(zhuǎn)換控制。
龍騰半導(dǎo)體股份有限公司
成立于2009年7月，是一家致力于新型功率器件研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)。已形成超結(jié)MOSFET、IGBT、中低壓SGT MOSFET、中低壓溝槽MOSFET、高壓平面MOSFET及功率模塊等完整的功率器件產(chǎn)品系列，產(chǎn)品已在消費(fèi)類（TV板卡電源、充電器、適配器、LED驅(qū)動電源）、工業(yè)類（計算機(jī)及服務(wù)器電源、通信電源）、汽車類（充電樁、車載電源）等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。
西安派瑞功率半導(dǎo)體變流技術(shù)股份有限公司
成立于2010年12月，是西安電力電子技術(shù)研究所的全資子公司，主營業(yè)務(wù)是功率半導(dǎo)體分立器件、電力電子變流裝置以及功率半導(dǎo)體器件測試試驗設(shè)備的設(shè)計、開發(fā)、生產(chǎn)和服務(wù)。主要產(chǎn)品包括大功率晶閘管，IGBT模塊，大功率整流管，散熱器，電力半導(dǎo)體模塊等。
江蘇中科君芯科技有限公司
成立于2011年11月，是一家專注于IGBT、FRD等新型電力電子芯片研發(fā)的中外合資高科技企業(yè)。公司推出的IGBT芯片、單管和模塊產(chǎn)品從600V至6500V，覆蓋了目前主要電壓段及電流段，已批量應(yīng)用于感應(yīng)加熱、逆變焊機(jī)、工業(yè)變頻、新能源等領(lǐng)域；其獨(dú)創(chuàng)的DCS技術(shù)將應(yīng)用于最新的汽車級IGBT芯片中。
深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司
成立于2012年2月，是國內(nèi)電源管理IC和功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)先的設(shè)計與銷售企業(yè)，專業(yè)從事各種電源管理IC和功率半導(dǎo)體器件的設(shè)計、生產(chǎn)和銷售。產(chǎn)品包括電源管理IC、MOS管(低壓/中壓/高壓)、高壓開關(guān)三極管、IGBT、時鐘日歷IC、接口IC、LED射燈&日光燈&球泡燈&臺燈驅(qū)動IC、運(yùn)放IC、比較器IC、邏輯電路IC、模擬開關(guān)IC、EEPROM IC、音頻放大IC、LED數(shù)碼管驅(qū)動IC等。
寧波達(dá)新半導(dǎo)體有限公司
成立于2013年3月，從事IGBT、MOSFET、FRD等功率半導(dǎo)體芯片與器件的設(shè)計、制造和銷售，并提供相關(guān)的應(yīng)用解決方案。建有一條IGBT模塊產(chǎn)線，在上海有芯片設(shè)計中心，負(fù)責(zé)芯片設(shè)計和制造管理。在8寸及6寸晶圓制造平臺成功開發(fā)600V-3300V IGBT芯片產(chǎn)品，芯片電流等級涵蓋10A～200A。采用自主IGBT芯片，推出了系列化的滿足工業(yè)應(yīng)用、消費(fèi)電子、新能源的IGBT模塊，模塊電壓涵蓋600V～1700V，電流等級涵蓋10A ～ 800A。公司IGBT產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于白色家電、逆變焊機(jī)、工業(yè)變頻、感應(yīng)加熱、大功率電源、UPS、新能源汽車、太陽能/風(fēng)力發(fā)電、SVG等領(lǐng)域。
深圳芯能半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
成立于2013年9月，是一家半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)商，致力于IGBT芯片、IGBT驅(qū)動芯片以及大功率智能功率模塊的研發(fā)、應(yīng)用和銷售，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)伺服電機(jī)驅(qū)動、電磁爐、變頻家電以及逆變焊機(jī)等領(lǐng)域，同時公司為用戶提供技術(shù)支持。
四川廣義微電子股份有限公司
成立于2014年3月，是遂寧市引進(jìn)的第一家半導(dǎo)體芯片制造項目，產(chǎn)品領(lǐng)域涉及高壓VDMOS、雙極IC、COOL MOS工藝平臺、TRENCH MOS、IGBT、肖特基等6大門類，最小線寬0.25μm。廣泛應(yīng)用于智能家具、手機(jī)、音響、車載音響等領(lǐng)域。
深圳尚陽通科技有限公司
成立于2014年6月，是一家致力于高端半導(dǎo)體功率器件設(shè)計、開發(fā)、制造及銷售的集成電路設(shè)計公司，公司的產(chǎn)品包括IGBT、超結(jié)MOSFET、SGT MOSFET等。
麗晶美能（北京）電子技術(shù)有限公司
成立于2014年7月，致力于功率半導(dǎo)體芯片和器件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的國家級高新技術(shù)企業(yè)。擁有完整的功率模塊生產(chǎn)測試基地，實現(xiàn)了集芯片設(shè)計-芯片制造-封裝測試-應(yīng)用方案為一體的全核心技術(shù)鏈的研發(fā)模式。目前公司擁有IGBT、FRD等系列的芯片和大功率模塊產(chǎn)品。
嘉興奧羅拉電子科技有限公司
成立于2016年12月，是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體器件研發(fā)、銷售和技術(shù)服務(wù)的創(chuàng)新型企業(yè)。公司特色產(chǎn)品為宇航級抗輻射VDMOS，此外，還包括IGBT單管及模塊，溝槽MOS，普通MOS，二極管（FRD、TMBS、TVS），Rad-Hard MOS。
中山漢臣電子科技有限公司
成立于2017年2月，是一家從事功率半導(dǎo)體元器件的設(shè)計、研發(fā)及銷售的高科技公司，主要產(chǎn)品包括Trench-FS IGBT、Shielded-Gate Trench MOSFET、HV MOSFET、Fast-Recovery MOSFET等，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動等系統(tǒng)中。主營產(chǎn)品包括IGBT、MOSFET。
貴州芯長征科技有限公司
成立于2017年3月，是一家新型功率半導(dǎo)體器件開發(fā)公司，核心業(yè)務(wù)包括IGBT、coolmos，SiC等芯片產(chǎn)品及技術(shù)開發(fā)，可實現(xiàn)從芯片設(shè)計、制造工藝、封測、可靠性、應(yīng)用等全鏈條貫通。
煙臺臺芯電子科技有限公司
成立于2017年5月，主營業(yè)務(wù)包括IGBT芯片設(shè)計、研發(fā)，IGBT功率模塊封裝、生產(chǎn)、檢測、銷售，以及第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC器件的研發(fā)和生產(chǎn)。擁有涵蓋芯片設(shè)計、模塊封裝、產(chǎn)品檢測、產(chǎn)品銷售為一體的完整產(chǎn)業(yè)鏈，公司產(chǎn)品主要面向逆變焊機(jī)、變頻器、新能源汽車、充電樁、風(fēng)力發(fā)電和智能電網(wǎng)等新能源領(lǐng)域。
上海功成半導(dǎo)體科技有限公司
成立于2018年5月，致力于半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，主要產(chǎn)品包括：20V~150V溝槽型功率VDMOS（N溝道和P溝道），600V~700V超結(jié)功率MOSFET，600V~1200V溝槽柵場截止型IGBT。深耕光伏新能源、工業(yè)變頻、消費(fèi)電子、開關(guān)電源等市場應(yīng)用。
江蘇東晨電子科技有限公司
成立于2009年12月，公司前身為江蘇東光微電子股份有限公司，逐漸從單一的固體放電管生產(chǎn)廠商逐步成長為集芯片設(shè)計、研發(fā)、封裝檢測和銷售為一體的功率半導(dǎo)體分立器件及集成電路企業(yè)，已形成IGBT、 VDMOS、防護(hù)器件、晶閘管、GDT等系列產(chǎn)品，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、數(shù)字電視、民用電路、摩托車、電動工具、家用電器、節(jié)能燈、消費(fèi)電子、汽車電子、設(shè)備和儀表等領(lǐng)域。
上海寶芯源功率半導(dǎo)體有限公司
成立于2012年9月，專注于設(shè)計，生產(chǎn)和銷售應(yīng)用于電源管理，馬達(dá)驅(qū)動，模擬開關(guān)，音頻功效等領(lǐng)域高性能功率半導(dǎo)體元器件�，F(xiàn)有成熟產(chǎn)品包括大功率MOS器件，肖特基二極管，IGBT和功率驅(qū)動IC等。
無錫紫光微電子有限公司
成立于2014年8月，是由紫光同芯微電子有限公司投資的一家高新技術(shù)企業(yè)，是一家專注于先進(jìn)半導(dǎo)體功率器件和集成電路的設(shè)計研發(fā)、芯片加工、封裝測試及產(chǎn)品銷售的集成電路設(shè)計企業(yè)，公司開發(fā)和生產(chǎn)的SJ MOSFET、DT MOSFET、HV VDMOS、IGBT、IGTO、Half Bridge Gate Driver等先進(jìn)半導(dǎo)體功率器件以及相關(guān)的電源管理集成電路等產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于節(jié)能、綠色照明、風(fēng)力發(fā)電、智能電網(wǎng)、混合動力\電動汽車、儀器儀表、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。
青島佳恩半導(dǎo)體有限公司
成立于2015年3月，是一家擁有核心芯片及方案技術(shù)的高科技公司，主要從事IGBT、MOSFET、FRD等功率半導(dǎo)體芯片與器件的設(shè)計、制造和銷售，并提供相關(guān)的系統(tǒng)應(yīng)用解決方案。
成都藍(lán)矽科技有限公司
成立于2018年12月，是一家功率半導(dǎo)體設(shè)計公司，產(chǎn)品系列從MOSFET和IGBT等分立器件開始，逐步延伸到模組，并涵蓋SiC和GaN器件以及相關(guān)電源管理芯片，其解決方案包括直流電機(jī)驅(qū)動解決方案、鋰電池保護(hù)解決方案、無線充電解決方案、手機(jī)充電器等。
株洲中車時代電氣股份有限公司
成立于2005年9月，作為中車時代電氣股份有限公司下屬全資子公司，全面負(fù)責(zé)公司半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)營。從1964年開始投入功率半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，2008年戰(zhàn)略并購英國丹尼克斯公司，目前已成為國際少數(shù)同時掌握大功率晶閘管、IGCT、IGBT及SiC器件及其組件技術(shù)的IDM（集成設(shè)計制造）模式企業(yè)代表，擁有芯片—模塊—裝置—系統(tǒng)完整產(chǎn)業(yè)鏈。
上海陸芯電子科技有限公司
成立于2017年5月，是一家專注于最新一代功率半導(dǎo)體器件的高科技公司，聚焦于功率半導(dǎo)體（IGBT、SJMOS & SiC）的設(shè)計和應(yīng)用。產(chǎn)品適用于感應(yīng)加熱行業(yè)（電磁爐電磁灶、IH電飯鍋）、高頻工業(yè)領(lǐng)域（電焊機(jī)、UPS、光伏逆變器、PFC等）、電機(jī)驅(qū)動領(lǐng)域（工業(yè)變頻器、熱泵、變頻空調(diào)）、新能源電動汽車（車載OBC、充電樁、汽車電機(jī)驅(qū)動、汽車電子等）。
天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司
成立于1998年12月，是生產(chǎn)經(jīng)營半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體集成電路與器件的高新技術(shù)企業(yè)，主營業(yè)務(wù)包括高壓器件、功率集成電路與器件、單晶硅和拋光片四大方面。器件產(chǎn)品包括分立IGBT、IGBT模塊、MOSFET、SiC二極管、肖特基二極管等。
科達(dá)半導(dǎo)體有限公司
成立于2007年10月，主要從事IGBT、FRD、MOSFET等新型功率半導(dǎo)體器件( 電力電子器件）的設(shè)計、生產(chǎn)和銷售。公司在深圳、上海、浙江、成都、香港等地區(qū)均設(shè)有銷售中心。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電磁爐、小功率變頻器、逆變焊機(jī)、無刷馬達(dá)控制器、UPS、開關(guān)電源、液晶電視及顯示器、太陽能應(yīng)用等領(lǐng)域。
無錫新潔能股份有限公司
成立于2013年1月，主要從事半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)與銷售，主要產(chǎn)品包括：12V~200V溝槽型功率MOSFET（N溝道和P溝道）、30V~300V屏蔽柵功率MOSFET（N溝道和P溝道）、500V~900V超結(jié)功率MOSFET、600V~1350V溝槽柵場截止型IGBT，產(chǎn)品已成功進(jìn)入汽車電子、電機(jī)驅(qū)動、家用電器、消費(fèi)電子、LED照明、電動車、安防、網(wǎng)絡(luò)通信等市場領(lǐng)域。
西安中車永電電氣有限公司
成立于2005年12月，是中車永濟(jì)電機(jī)有限公司全資控股的專門從事電力電子產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)的高技術(shù)企業(yè)。公司主要產(chǎn)品有：IGBT 模塊、IPM模塊、整流管、晶閘管、組合元件等電力半導(dǎo)體器件；變流器、功率模塊、城軌地面整流裝置、地鐵單向?qū)ㄑb置、充電機(jī)等裝置。產(chǎn)品主要應(yīng)用于高速鐵路、風(fēng)力發(fā)電、冶金工業(yè)、城市軌道交通、太陽能光伏發(fā)電等領(lǐng)域。
威海新佳電子有限公司
成立于2004年5月，專注于新型功率半導(dǎo)體器件和應(yīng)用產(chǎn)品的研發(fā)及生產(chǎn)，主要有3條產(chǎn)品線,蓋了1GBT、MOSFET、FRD,可控硅、整流模塊、固態(tài)繼電器和智能模塊等產(chǎn)品。形成了以IGBT為核心器件,應(yīng)用于變頻控制、電能質(zhì)量管理、電動汽車等域的功率半導(dǎo)體器件一體化解決方案。
南京銀茂微電子制造有限公司
成立于2007年11月，以研發(fā)、制造和銷售擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的新型電力電子模塊（國產(chǎn)IGBT功率模塊、MOSFET功率模塊）、全氣密半氣密高可靠性混合電路電子器件、大規(guī)模變流技術(shù)核心組件為主營業(yè)務(wù)。具備年產(chǎn)通用功率模塊65萬件和高壓大功率模塊10萬件以上的生產(chǎn)能力。
