由于采用新型微溝槽技術(shù)，TRENCHSTOP IGBT7芯片的靜態(tài)損耗大大降低。在相同的電流等級下，TRENCHSTOP IGBT7芯片的通態(tài)電壓可以降低10%。這使得應用中的損耗大幅降低，尤其能使通常在中等開關(guān)頻率下運行的工業(yè)驅(qū)動的損耗大大降低。IGBT T7技術(shù)的飽和電壓（V CE(sat)）很低，并帶有發(fā)射極控制的第七代（EC7）二極管，該二極管的正向壓降（V F）可減小150 mV，同時還能提高反向恢復軟度。
TRENCHSTOP IGBT7器件具有優(yōu)異的可控性和卓越的抗電磁干擾性能。它很容易通過調(diào)整來達到特定于應用的最佳dv/dt和開關(guān)損耗。650V TRENCHSTOP IGBT7擁有應用所需的抗短路能力。此外，它還通過了基于JEDEC標準的HV-H3TRB（高壓高濕高溫反偏）試驗，證明該器件在常見的工業(yè)應用的高濕環(huán)境中具有良好的耐用性。
供貨情況
650 V TRENCHSTOP IGBT7分立式器件現(xiàn)已接受訂購。如欲了解更多信息，敬請訪問https://www.infineon.com/igbt7。
