功率半導(dǎo)體器件是電力電子裝置實現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換、電源管理的核心器件，主要功能有變頻、變壓、整流、功率轉(zhuǎn)換和管理等，兼具節(jié)能功效。
功率半導(dǎo)體器件廣泛應(yīng)用于移動通訊、消費電子、電動車、軌道交通、工業(yè)控制、發(fā)電與配電等電力電子領(lǐng)域，主要分為功率分立器件、功率集成電路(即Power IC / PIC，又稱為功率 IC)和功率模組三類。
從功率半導(dǎo)體的發(fā)展路徑來看，更高功率密度，更小的體積，更低的功耗及損耗是其技術(shù)演進(jìn)的重點方向。隨著技術(shù)的進(jìn)步與功率半導(dǎo)體器件的不斷演進(jìn)，在下游市場中，功率半導(dǎo)體器件 MOSFET、IGBT和功率集成電路逐步成為了主流應(yīng)用器件。
功率半導(dǎo)體在多領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，我國市場前景持續(xù)向好，其增長動力主要有以下幾個方面。一是為保障國防安全，軍用功率半導(dǎo)體加快國產(chǎn)化進(jìn)程。二是新能源汽車和充電樁的需求不斷增加。從傳統(tǒng)汽車轉(zhuǎn)變到新能源汽車，汽車動力源發(fā)生根本性改變，原材料成本增長最大的部分就是功率半導(dǎo)體。
新能源汽車是功率半導(dǎo)體市場增長的最大原動力。三是 5G時代的到來會大幅增加通信基站建設(shè)，交換機、路由器及供電系統(tǒng)中的逆變器和整流器也對功率半導(dǎo)體有著廣泛的應(yīng)用。四是物聯(lián)網(wǎng)市場的爆發(fā)式增長促進(jìn)功率半導(dǎo)體規(guī)模化應(yīng)用。
2019 年全球功率半導(dǎo)體器件市場規(guī)模為 381億美元，預(yù)計 2022年達(dá)到約 426億美元的市場規(guī)模，年復(fù)合增長率約為 3.79%。功率二極管是中國發(fā)展最好，國產(chǎn)化率最高的功率半導(dǎo)體器件。
許多國際大廠正逐漸放棄該市場，產(chǎn)能正在向中國大陸和中國臺灣轉(zhuǎn)移。從 2014 年起中國大陸的二極管及相關(guān)產(chǎn)品就出口量超過進(jìn)口量。從市場份額來看，MOSFET 的市場集中度很高，前八大供應(yīng)商占領(lǐng)了約 75%的市場份額。
而本土企業(yè)中分別以 1.8%、1.1%的市占率位列第 11、第 15 位，國產(chǎn)替代空間巨大。全球 IGBT 市場成長迅速，年復(fù)合增長率維持在 7%-9%之間，中國成為 IGBT 需求上升最快的國家之一。
IGBT器件主要由歐洲、美國、日本三個國家（地區(qū)）提供，占據(jù)了大約 70%的市場份額。
IGBT是功率半導(dǎo)體器件第三次技術(shù)革命的代表性產(chǎn)品，從上世紀(jì) 80年代至今經(jīng)歷了六代技術(shù)演變，現(xiàn)具有高頻率、高電壓、大電流，易于開關(guān)等優(yōu)良性能，被業(yè)界譽為功率變流裝置的“CPU”。
目前國內(nèi)外 IGBT市場仍主要由外國企業(yè)占據(jù)，雖然我國 IGBT市場需求增長迅速，但由于國內(nèi)相關(guān)人才缺乏，工藝基礎(chǔ)薄弱，國內(nèi)企業(yè)產(chǎn)業(yè)化起步較晚，IGBT模塊至今仍幾乎全部依賴進(jìn)口，市場主要由歐洲、日本及美國企業(yè)占領(lǐng)。
但國內(nèi)廠商發(fā)展具有自身優(yōu)勢，從需求端講，中國功率半導(dǎo)體需求量世界第一；從供給端講，自主可控是發(fā)展趨勢。同時國內(nèi)的半導(dǎo)體功率企業(yè)相較于國外廠商往往具備成本與定制化的相對優(yōu)勢，國內(nèi)功率半導(dǎo)體行業(yè)具備較高的實現(xiàn)進(jìn)口替代的可能性。
短期內(nèi)我們看好軍用功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的國產(chǎn)替代，長期民用新能源汽車 IGBT 想象空間巨大。在自身經(jīng)營阻感容、分立器件等軍用元器件的基礎(chǔ)上，橫向收購后進(jìn)入 IGBT領(lǐng)域，與其自身的經(jīng)營范圍高度重合。
且軍用 IGBT市場競爭小，替代空間大，短期內(nèi)能給公司帶來業(yè)績與估值的雙重抬升。長期看我國電動車發(fā)展長期向上趨勢不變，隨著新能源汽車廠競爭格局的確定，我國民用 IGBT公司龍頭效應(yīng)將凸顯。
