該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規(guī)的硅（Si）MOSFET、IGBT產品相比，具有高耐壓、高速開關和低導通電阻特性，有利于降低功耗，精簡系統(tǒng)。
新產品采用了可提高碳化硅MOSFET可靠性的東芝第二代芯片設計生產[1]，實現(xiàn)了輸入電容低、柵輸入電荷低、漏源導通電阻低等特性。與東芝推出的1200V硅絕緣柵雙極晶體管（IGBT）“GT40QR21”相比，“TW070J120B”關斷開關損耗降低80%左右，開關時間（下降時間）縮短大約70%，并且能夠在不超過20A[2]的漏極電流下提供低導通電壓。
它的柵閾值電壓被設置在4.2V至5.8V的較高電壓范圍內，有助于減少故障風險（意外開啟或關閉）。此外，內置的具有低正向電壓的碳化硅肖特基勢壘二極管（SBD）也有助于降低功率損耗。
在大容量AC-DC轉換器、光伏逆變器、大容量雙向DC-DC轉換器等工業(yè)應用中，這種新型MOSFET不僅將通過降低功率損耗來達到提高效率的目的，而且也將為縮小設備尺寸做出貢獻。
應用：
大容量AC-DC轉換器
光伏逆變器
大容量雙向DC-DC轉換器
特性：
第2代芯片設計（內置碳化硅SBD）
高電壓、低輸入電容、低總柵電荷、低導通電阻、低二極管正向電壓、高柵閾值電壓：
VDSS＝1200V，Ciss＝1680pF（典型值），Qg＝67nC（典型值），
RDS（ON）＝70mΩ（典型值），VDSF＝-1.35V（典型值），Vth＝4.2～5.8V
增強類型易于操作
主要規(guī)格：
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