IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的 IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上；IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點；當(dāng)前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所述的IGBT也指IGBT模塊；隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進，此類產(chǎn)品在市場上將越來越多見。
在IGBT模塊進行外殼封裝之前，先將IGBT芯片和二極管芯片通過焊片將其焊接在DBC基板上，其次，將焊好芯片的DBC進行芯片鍵合，然后再進行二次焊接。該工藝過程中，先將焊接好的子單元進行清洗，防止子單元被氧化，再將子單元、電極、焊片和焊環(huán)通過設(shè)備將其焊接在鋁碳化硅的散熱底板上。
二次焊接工藝對IGBT空洞率的影響因素分析
1. 焊料
目前，所采用的焊片和焊環(huán)材質(zhì)含有Sn、Pb和Ag，不存在助焊劑，且在焊接之前確保焊料不被氧化。
2. 焊接溫度
在焊接過程中，將被焊接的IGBT裝載在一個托盤中，并通過電機拖動系統(tǒng)使其依次在加熱區(qū)、冷卻區(qū)、真空保壓等之間運轉(zhuǎn)。焊接過程中，可根據(jù)焊料的熔點溫度來選取合適的焊接溫度即可，焊接溫度完全按照標(biāo)準(zhǔn)的工藝文件設(shè)置。
3. 降溫速率
在冷卻過程中，也需要特別注意降溫的速率快慢。特別是在焊料結(jié)晶點附近的降溫速率，降溫過快時，便會導(dǎo)致焊料成型的不均勻;當(dāng)降溫速率過慢時，卻會導(dǎo)致空洞率的增加，從而影響焊接質(zhì)量。因此，在實際操作時，必須按照標(biāo)準(zhǔn)的工藝文件要求來設(shè)定速率，以防影響焊接的空洞率。
