近日，碳化硅芯片公司瞻芯電子在上海臨港舉辦新品發(fā)布會并公布了最新融資進展。瞻芯電子已于今年完成過億元人民幣融資，投資方包括臨芯投資、金浦投資以及幾家重要產(chǎn)業(yè)協(xié)同方，青桐資本擔任財務(wù)顧問。

　　瞻芯電子2017年成立于上海自貿(mào)區(qū)臨港新片區(qū)，是一家聚焦于碳化硅（SiC）半導體領(lǐng)域的高科技芯片公司，擁有一支經(jīng)驗豐富的SiC工藝及器件設(shè)計、SiC MOSFET驅(qū)動芯片設(shè)計、電力電子系統(tǒng)應(yīng)用、市場推廣和產(chǎn)品運營等方面高素質(zhì)核心團隊。

　　第三代半導體有望彎道超車

　　我國半導體行業(yè)落后歐美發(fā)達國家已久，很難在短時間內(nèi)完成進口替代，但是第三代半導體的發(fā)展處于全球起步階段，目前尚未形成專利標準和行業(yè)壁壘，從我國技術(shù)水平來看，已經(jīng)具備自主研發(fā)第三代半導體的能力，是我國在半導體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)直到超車的最佳時機。

　　實際上，自成立后瞻芯電子短短幾年時間取得了重大突破。2018年5月1日，第一片國產(chǎn)6英寸SiC MOSFET晶圓在上海瞻芯誕生，2019年9月，瞻芯電子推出已經(jīng)通過JEDEC認證的碳化硅MOSFET柵極驅(qū)動芯片系列產(chǎn)品；2020年7月，瞻芯電子推出超越工規(guī)級的碳化硅二極管產(chǎn)品系列。

　　此外，上海瞻芯電子在2020年5月6日申請了一項名為“半導體器件結(jié)構(gòu)及其形成方法”的發(fā)明專利，該項專利中所提供的半導體結(jié)構(gòu)和制備方法，相較于同種器件而言，電廠強度大幅度降低，提高了半導體器件柵氧化層的可靠性。同時柵漏之間的電容也被大幅降低，從而極大地減少了開關(guān)功率的損耗。

　　瞻芯電子是麥格米特的參股公司，今年9月2日，麥格米特在互動平臺上透露瞻芯電子的技研進展，“目前已經(jīng)完成了國內(nèi)第一個基于6英寸碳化硅晶圓的SiCMOSFET和SBD工藝平臺開發(fā)，預(yù)計9月份還將有一款碳化硅MOSFET器件通過工業(yè)級可靠性認證，這也將是填補國內(nèi)空白的產(chǎn)品。”

　　1200V碳化硅產(chǎn)品填補國內(nèi)空白

　　2020年10月16日，瞻芯電子產(chǎn)品發(fā)布會在上海舉行，發(fā)布工規(guī)級基于6英寸晶圓的SiC MOSFET產(chǎn)品，瞻芯電子的第三代半導體功率器件已經(jīng)在麥格米特的充電樁模塊上成功運行，發(fā)布首款量產(chǎn)。

　　基于6英寸晶圓通過JEDEC(暨工規(guī)級)認證的1200V 80mohm碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品。這是首款在國內(nèi)設(shè)計研發(fā)、國內(nèi)6英寸生產(chǎn)線制造流片的碳化硅MOSFET，該產(chǎn)品的發(fā)布填補了國內(nèi)空白，產(chǎn)品性能達到國際先進水平。新產(chǎn)品支持的應(yīng)用領(lǐng)域，包括風能和光伏逆變、工業(yè)電源、新能源汽車、電機驅(qū)動、充電樁等領(lǐng)域。

　　碳化硅是新一代半導體的主攻方向，瞻芯電子創(chuàng)始人張永熙博士介紹，在新能源汽車電驅(qū)動中使用SiC MOSFET替代Si IGBT，整車效率提高5%-10%。在光伏逆變器中使用SiC 功率器件，整機的能耗降低50%。

　　電力電子行業(yè)專家周滿枝介紹，使用SiC MOSFET替代Si IGBT，其開通損耗降低至三分之一，關(guān)斷損耗降至二十分之一，這使得使用SiC功率器件的產(chǎn)品可以達到更高的功率密度，使用更簡單的散熱設(shè)計，整體效率更高。

　　碳化硅MOSFET產(chǎn)品可以應(yīng)用于新能源汽車、光伏逆變，風能逆變、儲能設(shè)施、高速電機驅(qū)動等場合，其市場前景廣泛，預(yù)計到2027年市場銷售額將達到100億美元，SiC功率器件是面向未來更環(huán)保，更節(jié)能的電能轉(zhuǎn)換核心器件，在整個系統(tǒng)中處于關(guān)鍵部位。