功率半導(dǎo)體已經(jīng)成為芯片產(chǎn)業(yè)布局的熱門方向之一，國(guó)產(chǎn)代替的需求日益緊迫。隨著十四五規(guī)劃緊密籌備，第三代半導(dǎo)體有望寫入國(guó)家計(jì)劃，政策支持的力度在加大。此外，全球最大的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)在中國(guó)，隨著國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈的不斷完善，未來(lái)整個(gè)行業(yè)會(huì)有很大的上升空間。
近日，新潔能發(fā)布了三季業(yè)績(jī)報(bào)告，公司前三季實(shí)現(xiàn)總營(yíng)收為6.66億元，同比增長(zhǎng)22.84%，實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)1.01億元，同比增長(zhǎng)61.21%。其中，第三季的營(yíng)收為2.82億元，歸母凈利潤(rùn)為4561萬(wàn)，營(yíng)收同比增長(zhǎng)31.76%，利潤(rùn)同比增長(zhǎng)81，07%。利潤(rùn)增長(zhǎng)遠(yuǎn)大于營(yíng)收的增幅，主要利益于公司產(chǎn)品毛利率提升。
功率半導(dǎo)體器件又稱為電力電子器件，主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件，幾乎用于所有的電子制造業(yè)，例如變頻器、焊機(jī)、電源、逆變器、汽車電控、家電、消費(fèi)電子等，如今，電力電子器件正沿著大功率化、高頻化、集成化的方向發(fā)展。
國(guó)產(chǎn)芯片代替空間巨大，未來(lái)新潔能的產(chǎn)品將往高端發(fā)展，毛利率將會(huì)進(jìn)一步提升。在2020年前三季度，由于下游行業(yè)需求整體向好，新潔能實(shí)現(xiàn)銷售毛率24.43%，同比增長(zhǎng)了5.14%。實(shí)際上，去年新潔能的營(yíng)收約為7.7億元左右，而今年前三季度已經(jīng)接近去年全年的營(yíng)收，從目前的市場(chǎng)表現(xiàn)來(lái)看，今年新潔能的全年?duì)I收有望達(dá)到10億元。
新潔能成立于2013年1月，主要從事MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體芯片和功率器件的研發(fā)設(shè)計(jì)及銷售，是國(guó)內(nèi)少數(shù)幾家能夠研發(fā)設(shè)計(jì)并量產(chǎn)先進(jìn)的屏蔽柵MOSFET和超級(jí)結(jié)MOSFET的廠商之一，公司于9月28日上交所主板正式掛牌上市，短短一個(gè)月時(shí)間里，市值從29億左右沖上130億元。
從產(chǎn)品布局方面來(lái)看，新潔能擁有溝槽型功率MOSFET、超結(jié)功率MOSFET、屏蔽柵功率MOSFET及IGBT四大產(chǎn)品平臺(tái)，技術(shù)實(shí)力領(lǐng)先。生產(chǎn)方面，公司分別與華虹宏力和長(zhǎng)電科技等領(lǐng)先代工廠合作，一定程度上也保證了公司產(chǎn)品的領(lǐng)先性，同時(shí)也在自建封測(cè)產(chǎn)線。
其中，新潔能新一代IGBT系列產(chǎn)品，基于溝槽電場(chǎng)截止型IGBT技術(shù)理論，進(jìn)一步優(yōu)化了器件結(jié)構(gòu)，大幅提高了器件的功率密度。此外，對(duì)于焊接、太陽(yáng)能、UPS、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和家用電器等硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用推出了低速和高速系列，對(duì)于感應(yīng)加熱、太陽(yáng)能等諧振開(kāi)關(guān)應(yīng)用推出了新一代1200V、1350V產(chǎn)品系列，具有高擊穿電壓、大通流容量等優(yōu)勢(shì)。
目前，新潔能客戶涵蓋家電、電動(dòng)車、電源管理、電動(dòng)工具和通信等多個(gè)領(lǐng)域，用戶包括有海爾、臺(tái)達(dá)、三星、富士康、中興、納恩博、視源股份、寧德時(shí)代等，基于公司多個(gè)子產(chǎn)品工藝平臺(tái)，可以快速開(kāi)發(fā)出適用于下游市場(chǎng)的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)代替進(jìn)口方案。
作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)企業(yè)之一，新潔能在2016-2019年年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件企業(yè)排行榜中，公司連續(xù)四年名列“中國(guó)半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)”，目前公司正在全力推進(jìn)高端功率MOSFET、IGBT的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，投入對(duì)SiC/GaN寬禁帶半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。
