1、 第三代半導(dǎo)體 SIC 材料的性能優(yōu)勢
第一代半導(dǎo)體材料主要是指硅（Si）、鍺元素（Ge）半導(dǎo)體材料，應(yīng)用極為普遍，包括集成電路、電子信息網(wǎng)絡(luò)工程、電腦、手機、電視、航空航天、各類軍事工程和迅速發(fā)展的新能源、硅光伏產(chǎn)業(yè)中都得到了極為廣泛的應(yīng)用；
第二代半導(dǎo)體材料主要是指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb），主要用于制作高速、高頻、大功率以及發(fā)光電子器件（LED），是制作高性能微波、毫米波器件及發(fā)光器件的優(yōu)良材料。
Si 基器件在 600V 以上高電壓以及高功率場合達(dá)到其性能的極限；為了提升在高壓/高功率下器件的性能，第三代半導(dǎo)體材料 SiC （寬禁帶）應(yīng)運而生；
第三代半導(dǎo)體主要是 SIC 和 GaN，第二代和第三代也稱作化合物半導(dǎo)體，即兩種元素組成的半導(dǎo)體材料，區(qū)別于硅/鍺等單質(zhì)半導(dǎo)體：
SIC 材料具有明顯的性能優(yōu)勢。SiC 和 GaN 是第三代半導(dǎo)體材料，與第一二代半導(dǎo)體材料相比，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率等性能優(yōu)勢，所以又叫寬禁帶半導(dǎo)體材料，特別適用于 5G 射頻器件和高電壓功率器件。
2、 第三代半導(dǎo)體 SIC 器件的性能優(yōu)勢
SIC 的功率器件如 SIC MOS，相比于 Si 基的 IGBT，其導(dǎo)通電阻可以做的更低，體現(xiàn)在產(chǎn)品上面，就是尺寸降低，從而縮小體積，并且開關(guān)速度快，功耗相比于傳統(tǒng)功率器件要大大降低。
在電動車領(lǐng)域，電池重量大且價值量高，如果在 SIC 器件的使用中可以降低功耗，減小體積，那么在電池的安排上就更游刃有余；同時在高壓直流充電樁中應(yīng)用 SIC 會使得充電時間大大縮短，帶來的巨大社會效益。
根據(jù) Cree 提供的測算: 將純電動車 BEV 逆變器中的功率組件改成 SIC 時, 大概可以減少整車功耗 5%-10%；這樣可以提升續(xù)航能力，或者減少動力電池成本。
總結(jié)來說，SiC 器件具備的多種優(yōu)勢將帶動電動車?yán)m(xù)航能力的提升：
1). 高電能轉(zhuǎn)換效率：SiC 屬于寬能隙材料, 擊穿場強度大比 Si 基半導(dǎo)體材料更適用在高功率的應(yīng)用場景；
2). 高電能利用效率：SiC 屬于寬能隙材料, 擊穿場強度大比 Si 基半導(dǎo)體材料更適用在高功率的應(yīng)用場景；
3). 低無效熱耗：開關(guān)頻率高, 速度快, 所產(chǎn)生無效的熱耗減少, 使的電路、散熱系統(tǒng)得以簡化。
2019 年國際上的功率半導(dǎo)體巨頭不斷推出新的基于 SIC 材料的功率器件，且推出的幾款 SiC SBD 及 MOSFET 均符合車規(guī)級（AEC-Q101）標(biāo)準(zhǔn)，這些產(chǎn)品應(yīng)用于新能源車或者光伏領(lǐng)域等功率器件需求場景，將顯著減少功耗，提高轉(zhuǎn)化效率。
3、 政策支持 VS 產(chǎn)業(yè)成熟度提升
2014 年初，美國宣布成立“下一代功率電子技術(shù)國家制造業(yè)創(chuàng)新中心”，期望通過加強第三代半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，使美國占領(lǐng)下一代功率電子產(chǎn)業(yè)這個正出現(xiàn)的規(guī)模最大、發(fā)展最快的新興市場，并為美國創(chuàng)造出一大批高收入就業(yè)崗位。
日本建立了“下一代功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟”由大阪大學(xué)牽頭，協(xié)同羅姆、三菱電機、松下電器等 18 家從事 SiC 和 GaN 材料、器件以及應(yīng)用技術(shù)開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的知名企業(yè)、大學(xué)和研究中心；
歐洲啟動了產(chǎn)學(xué)研項目“LAST POWER”，由意法半導(dǎo)體公司牽頭，協(xié)同來自意大利、德國等六個歐洲國家的私營企業(yè)、大學(xué)和公共研究中心，聯(lián)合攻關(guān) SiC和 GaN 的關(guān)鍵技術(shù)。
我國的“中國制造 2025”計劃中明確提出要大力發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。2015 年 5 月，中國建立第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地，搶占第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)略新高地；國家科技部、工信部、北京市科委牽頭成立第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA），對推動我國第三代半導(dǎo)體材料及器件研發(fā)和相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義。
行業(yè)發(fā)展的瓶頸目前在于 SIC 襯底成本高：目前 SIC 的成本是 Si 的 4-5 倍，預(yù)計未來 3-5 年價格會逐漸降為 Si 的 2 倍左右，SIC 行業(yè)的增速取決于 SIC 產(chǎn)業(yè)鏈成熟的速度，目前成本較高，且 SIC 器件產(chǎn)品參數(shù)和質(zhì)量還未經(jīng)足夠驗證；
SIC MOS 的產(chǎn)品穩(wěn)定性需要時間驗證：根據(jù)英飛凌 2020 年功率半導(dǎo)體應(yīng)用大會上專家披露，目前 SiC MOSFET 真正落地的時間還非常短，在車載領(lǐng)域才剛開始商用（Model 3 中率先使用了 SIC MOS 的功率模塊），一些諸如短路耐受時間等技術(shù)指標(biāo)沒有提供足夠多的驗證，SIC MOS 在車載和工控等領(lǐng)域驗證自己的穩(wěn)定性和壽命等指標(biāo)需要較長時間；
根據(jù) Yole 預(yù)測，SIC 和 GaN 電力電子器件（注意是 GaN 在電力電子中的應(yīng)用，不包括在高頻射頻器件）2023 年在整體功率器件滲透率分別為 3.75%和 1%；驅(qū)動因素是新能源汽車新能源發(fā)電以及快充。
目前國內(nèi)外 SIC 產(chǎn)業(yè)鏈日趨成熟，成本持續(xù)下降，下游接受度也開始提升，目前整個產(chǎn)業(yè)鏈處于行業(yè)爆發(fā)的前夜。
4、SiC 產(chǎn)業(yè)鏈總結(jié)
SIC 產(chǎn)業(yè)鏈分為三大環(huán)節(jié)：上游的 SIC 晶片和外延→中間的功率器件的制造（包含經(jīng)典的 IC 設(shè)計→制造→封裝三個小環(huán)節(jié)）→下游工控、新能源車、光伏風(fēng)電等應(yīng)用。目前上游的晶片基本被美國 CREE 和 II-VI 等美國廠商壟斷；國內(nèi)方面，SiC 晶片商山東天岳和天科合達(dá)已經(jīng)能供應(yīng) 2 英寸~6 英寸的單晶襯底，且營收都達(dá)到了一定的規(guī)模（今年均會超過 2 億元 RMB）；SiC 外延片：廈門瀚天天成與東莞天域可生產(chǎn) 2 英寸~6 英寸 SiC 外延片。
國外 SIC 功率器件玩家：
傳統(tǒng)的功率器件廠商包括英飛凌、意法半導(dǎo)體、三菱電機、富士電機；借助SIC 材料介入 SIC 器件的 CREE；
國內(nèi) SIC 功率器件玩家：泰科天潤，中電科 55 所，基本半導(dǎo)體，三安集成，華潤微等。
SIC 晶片、外延和設(shè)備：國外 CREE 和 II-VI 占據(jù)了 SIC 片 70%以上的份額，國內(nèi)山東天岳和天科合達(dá)已經(jīng)初具規(guī)模；露笑科技 2019 年 11 月公告，露笑科技將為中科鋼研、國宏中宇主導(dǎo)的碳化硅產(chǎn)業(yè)化項目定制約 200 臺碳化硅長晶爐，設(shè)備總采購金額約 3 億元，同時露笑科技另外 2020 年 8 月公告計劃與合肥合作投資 100 億元建設(shè)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園，從 SIC 設(shè)備切入襯底和外延等環(huán)節(jié)。
SIC 器件：10 年 20 倍成長，國內(nèi)全面布局
1、 應(yīng)用：新能源車充電樁和光伏等將率先采用
SiC 具有前述所說的各種優(yōu)勢，是高壓/高功率/高頻的功率器件相對理想的材料, 所以 SiC 功率器件在新能源車、充電樁、新能源發(fā)電的光伏風(fēng)電等這些對效率、節(jié)能和損耗等指標(biāo)比較看重的領(lǐng)域，具有明顯的發(fā)展前景。
高頻低壓用 Si-IGBT,高頻高壓用 SiC MOS,電壓功率不大但是高頻則用GaN。當(dāng)?shù)皖l、高壓的情況下用 Si 的 IGBT 是最好，如果稍稍高頻但是電壓不是很高，功率不是很高的情況下，用 Si 的 MOSFET 是最好。如果既是高頻又是高壓的情況下，用 SiC 的 MOSFET 最好。電壓不需要很大，功率不需要很大，但是頻率需要很高，這種情況下用 GaN 效果最佳。
以新能源車中應(yīng)用 SIC MOS 為例，根據(jù) Cree 提供的測算: 將純電動車 BEV逆變器中的功率組件改成 SIC 時, 大概可以減少整車功耗 5%-10%；這樣可以提升續(xù)航能力，或者減少動力電池成本。
同時 SIC MOS 在快充充電樁等領(lǐng)域也將大有可為�？焖俪潆姌妒菍⑼獠拷涣麟�,透過 IGBT 或者 SIC MOS 轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟? 然后直接對新能源汽車電池進(jìn)行充電，對于損耗和其自身占用體積問題也很敏感，因此不考慮成本，SIC MOS比 IGBT 更有前景和需求，由于目前 SIC 的成本目前是 Si 的 4-5 倍，因此會在高功率規(guī)格的快速充電樁首先導(dǎo)入。在光伏領(lǐng)域，高效、高功率密度、高可靠和低成本是光伏逆變器未來的發(fā)展趨勢，因此基于性能更優(yōu)異的 SIC 材料的光伏逆變器也將是未來重要的應(yīng)用趨勢。
SIC 肖特基二極管的應(yīng)用比傳統(tǒng)的肖特基二極管同樣有優(yōu)勢。碳化硅肖特基二極管相比于傳統(tǒng)的硅快恢復(fù)二極管（SiFRD），具有理想的反向恢復(fù)特性。在器件從正向?qū)ㄏ蚍聪蜃钄噢D(zhuǎn)換時，幾乎沒有反向恢復(fù)電流，反向恢復(fù)時間小于 20ns，因此碳化硅肖特基二極管可以工作在更高的頻率，在相同頻率下具有更高的效率。
另一個重要的特點是碳化硅肖特基二極管具有正的溫度系數(shù)，隨著溫度的上升電阻也逐漸上升，這使得 SIC 肖特基二極管非常適合并聯(lián)實用，增加了系統(tǒng)的安全性和可靠性�？偨Y(jié)來看，SIC 肖特基二極管具有的特點如下：1）幾乎無開關(guān)損耗；2）更高的開關(guān)頻率；3）更高的效率；4）更高的工作溫度；5）正的溫度系數(shù)，適合于并聯(lián)工作；6）開關(guān)特性幾乎與溫度無關(guān)。
根據(jù) CASA 的統(tǒng)計，業(yè)內(nèi)反應(yīng) SiC SBD 實際的批量采購成交價已經(jīng)降至 1元/A 以下，耐壓 600-650V 的產(chǎn)品業(yè)內(nèi)批量采購價約為 0.6 元/A，而耐壓 1200V的產(chǎn)品業(yè)內(nèi)批量采購價約為 1 元/A。
如上表所示，2019 年部分 SIC 肖特基二極管產(chǎn)品價格實現(xiàn)了 20%-35%的降幅，SIC 二極管價格的持續(xù)降低以及和 Si 二極管價差的縮小將進(jìn)一步促進(jìn) SIC 二極管的應(yīng)用。
2、 門檻：SIC 器件的壁壘和難點
SIC 難度大部分集中在 SIC 晶片的長晶和襯底制作方面，但是要做成器件，也有一些自身的難點，主要包括：
1、外延工藝效率低：碳化硅的氣相同質(zhì)外延一般要在 1500℃以上的高溫下進(jìn)行。由于有升華的問題，溫度不能太高，一般不能超過 1800℃，因而生長速率較低。液相外延溫度較低、速率較高，但產(chǎn)量較低 。
2、 歐姆接觸的制作：歐姆接觸是器件器件制作中十分重要的工藝之一，要形成好的碳化硅的歐姆接觸在實際中還是有較大難度；
3、配套材料的耐高溫：碳化硅芯片本身是耐高溫的，但與其配套的材料就不見得能夠耐得住 600℃以上的溫度。所以整體工作溫度的提高，需要不斷的進(jìn)行配套材料方面創(chuàng)新。
SIC 的優(yōu)異性能大家認(rèn)識的較早，之所以最近幾年才有較好的進(jìn)展主要是因為 SIC 片和 SIC 器件兩個方面相比傳統(tǒng)的功率器件均有一些難點，器件生產(chǎn)的高難度高成本加上碳化硅片制造的高難度（后面會提及），兩者互為循環(huán)，一定程度上制約了過去幾年 SIC 應(yīng)用的推廣速度，我們認(rèn)為隨著產(chǎn)業(yè)鏈逐漸成熟，SIC正處于爆發(fā)的前夜，拐點漸行漸近。
3、 空間&增速：SIC 器件未來 5-10 年復(fù)合 40%增長
IHS 預(yù)計未來 5-10 年 SIC 器件復(fù)合增速 40%：根據(jù) IHSMarkit 數(shù)據(jù)，2018年碳化硅功率器件市場規(guī)模約 3.9 億美元，受新能源汽車龐大需求的驅(qū)動，以及光伏風(fēng)電和充電樁等領(lǐng)域?qū)τ谛屎凸囊筇嵘�，預(yù)計到 2027 年碳化硅功率器件的市場規(guī)模將超過 100 億美元，18-27 年 9 年的復(fù)合增速接近 40%。
滲透率角度測算 SIC MOS 器件市場空間：（SIC MOS 只是 SIC 器件的一種）SIC MOS 器件的下游和 IGBT 重合度較大，因此，驅(qū)動 IGBT 行業(yè)空間高成長驅(qū)動因素如車載、充電樁、工控、光伏風(fēng)電以及家電市場，也都是 SIC MOS 功率器件將來要涉足的領(lǐng)域；根據(jù)我們之前系列行業(yè)報告的大致測算，2019 年 IGBT 全球 58 億美金，中國 22 億美金空間，在車載和充電樁和工控光伏風(fēng)電等的帶動下，預(yù)計 2025 年 IGBT 全球 120 億美金，中國 60 億美金。
SIC MOS 器件的滲透率取決于其成本下降和產(chǎn)業(yè)鏈成熟的速度，根據(jù)英飛凌和國內(nèi)相關(guān)公司調(diào)研和產(chǎn)業(yè)里的專家的判斷來看，SIC MOS 滲透 IGBT 的拐點可能在 2024 年附近。預(yù)計 2025 年全球滲透率 25%，則全球有 30 億美金 SIC MOS 器件市場，中國按照 20%滲透率 2025 年則有 12 億美金的 SIC MOS 空間。即不考慮SIC SBD 和其他 SIC 功率器件，僅測算替代 IGBT 那部分的 SIC MOS 市場預(yù)計2025 年全球 30 億美金，相對 2019 年不到 4 億美金有超過 7 倍成長，且 2025-2030年增速延續(xù)。
4、 格局：SIC 器件的競爭格局
目前，碳化硅器件市場還是以國外的傳統(tǒng)功率龍頭公司為主，2017 年全球市場份額占比前三的是科銳，羅姆和意法半導(dǎo)體，其中 CREE 從 SIC 上游材料切入到了 SIC 器件，相當(dāng)于其擁有了從上游 SIC 片到下游 SIC 器件的產(chǎn)業(yè)鏈一體化能力。
國內(nèi)的企業(yè)均處于初創(chuàng)期或者剛剛介入 SIC 領(lǐng)域，包括傳統(tǒng)的功率器件廠商華潤微、捷捷微電、揚杰科技，從傳統(tǒng)的硅基 MOSFET、晶閘管、二極管等切入 SIC 領(lǐng)域，IGBT 廠商斯達(dá)半導(dǎo)、比亞迪半導(dǎo)體等，但國內(nèi)當(dāng)前的 SIC 器件營收規(guī)模都比較�。〒P杰科技最新披露 SIC 營收 2020 年上半年 19.28 萬元左右）；
未上市公司和單位中做的較好的有前面產(chǎn)業(yè)鏈總結(jié)中提到的一些，包括：
泰科天潤：可以量產(chǎn) SiC SBD，產(chǎn)品涵蓋 600V/5A～50A、1200V/5A～50A 和1700V/10A 系列；并且早在 2015 年，泰科天潤就宣布推出了一款高功率碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品，是從事 SIC 器件的較純正的公司；
中電科 55 所：國內(nèi)從 4-6 寸碳化硅外延生長、芯片設(shè)計與制造、模塊封裝實現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈的單位；
深圳基本半導(dǎo)體：成立于 2016 年，由清華大學(xué)、浙江大學(xué)、劍橋大學(xué)等國內(nèi)外知名高校博士團隊創(chuàng)立，專注于 SIC 功率器件，也是深圳第三代半導(dǎo)體研究院發(fā)起單位之一，目前已經(jīng)開始推出其 1200V 的 SiC MOSFET 產(chǎn)品。
SIC 晶片：高成長高壁壘，國產(chǎn)奮起直追
1、 成長分析
如前分析所述，碳化硅晶片主要用來做成高壓功率器件和高頻功率器件：SIC片主要分為兩種類型：導(dǎo)電型的 SIC 晶片經(jīng)過 SIC 外延后制作高壓功率器件；半絕緣型的 SIC 晶片經(jīng)過 GaN 外延后制 5G 射頻器件（特別是 PA）；
碳化硅晶片主要用于大功率和高頻功率器件：2018 年氮化鎵射頻器件全球市場規(guī)模約 4.2 億美元（約 28 億元人民幣），隨著 5G 通訊網(wǎng)絡(luò)的推進(jìn)，氮化鎵射頻器件市場將迅速擴大，Yole 預(yù)計到 2023 年，全球射頻氮化鎵器件市場規(guī)模將達(dá)到 13 億美元（約 91 億元人民幣）；繼續(xù)引用前面 IHS 的預(yù)測，則 SIC功率器件將由 2019 年的 4.5 億美元到 2025 年接近 30 億美元。
第三代半導(dǎo)體 GaN 在高頻射頻領(lǐng)域的市場規(guī)模：根據(jù) Yole 的數(shù)據(jù)，2017 年氮化鎵射頻市場規(guī)模為 4 億美元，將于 2023 年增長至接近 13 億美元，復(fù)合增速為 22%，下游應(yīng)用結(jié)構(gòu)整體保持穩(wěn)定，以通訊與軍工為主，二者合計占比約為 80%。而整體射頻器件的市場空間在 2018-2025 在 8%左右，GaN 射頻器件增速遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于射頻器件整體市場的增長。
導(dǎo)電型碳化硅單晶襯底材料是制造碳化硅功率半導(dǎo)體器件的基材，根據(jù)中國寬禁帶功率半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的測算：
2017-2020 年市場需求：2017 年 4 英寸 10 萬片、6 英寸 1.5 萬片→預(yù)計到 2020年 4 英寸保持 10 萬片、6 英寸超過 8 萬片。
2020-2025 年市場需求：4 英寸逐步從 10 萬片市場減少到 5 萬片，6 英寸晶圓將從 8 萬片增長到 20 萬片；
2025~2030 年：4 英寸晶圓逐漸退出市場，6 英寸晶圓將增長至 40 萬片。
半絕緣碳化硅具備高電阻的同時可以承受更高的頻率，主要應(yīng)用在高頻射頻器件；同樣根據(jù)中國寬禁帶功率半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的測算：
2017 年市場需求：全球半絕緣碳化硅晶片的市場需求約 4 萬片；2020 年：4英寸半絕緣 SIC 維持 4 萬片、6 英寸半絕緣 SIC 晶片 5 萬片；
2025 年市場需求：預(yù)計 4 英寸半絕緣到 2 萬片、6 英寸到 10 萬片；
2025-2030 年市場需求：4 英寸半絕緣襯底逐漸退出市場，而 6 英寸需求到 20萬片。
整體 SIC 晶片全球市場空間預(yù)計從 2020 的 30 億 RMB 增長至 2027年 150 億元 RMB，作為對比，2018 年全球硅片市場 90 億美元，國內(nèi)硅片市場約130 億元（近 8 年復(fù)合增長 5%-7%）。
2、 壁壘分析
SIC 晶片的壁壘較高，主要體現(xiàn)在：
SIC 晶片的核心參數(shù)包括微管密度、位錯密度、電阻率、翹曲度、表面粗糙度等。在密閉高溫腔體內(nèi)進(jìn)行原子有序排列并完成晶體生長、同時控制參數(shù)指標(biāo)是復(fù)雜的系統(tǒng)工程，將生長好的晶體加工成可以滿足半導(dǎo)體器件制造所需晶片又涉及一系列高難度工藝調(diào)控；隨著碳化硅晶體尺寸的增大及產(chǎn)品參數(shù)要求的提高，生產(chǎn)參數(shù)的定制化設(shè)定和動態(tài)控制難度會進(jìn)一步提升。因此，穩(wěn)定量產(chǎn)各項性能參數(shù)指標(biāo)波動幅度較低的高品質(zhì)碳化硅晶片的技術(shù)難度很大，主要體現(xiàn)在下面幾個方面：
1、精確調(diào)控溫度：碳化硅晶體需要在 2,000℃以上的高溫環(huán)境中生長，且在生產(chǎn)中需要精確調(diào)控生長溫度，控制難度極大；
2、容易產(chǎn)生多晶型雜質(zhì)：碳化硅存在 200 多種晶體結(jié)構(gòu)類型，其中六方結(jié)構(gòu)的 4H 型（4H-SiC） 等少數(shù)幾種晶體結(jié)構(gòu)的單晶型碳化硅才是所需的半導(dǎo)體材料，在晶體生長過程中需要精確控制硅碳比、生長溫度梯度、晶體生長速率以及氣流氣壓等參數(shù)，否則容易產(chǎn)生多晶型夾雜，導(dǎo)致產(chǎn)出的晶體不合格；
3、 晶體擴徑難度大：氣相傳輸法下，碳化硅晶體生長的擴徑技術(shù)難度極大，隨著晶體尺寸的擴大，其生長難度工藝呈幾何級增長；
4、 硬度極大難切割：碳化硅硬度與金剛石接近，切割、研磨、拋光技術(shù)難度大， 工藝水平的提高需要長期的研發(fā)積累；
3、 競爭分析
目前，碳化硅晶片產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美國全球獨大的特點。以導(dǎo)電型產(chǎn)品為例，2018 年美國占有全球碳化硅晶片產(chǎn)量的 70%以上，僅 CREE 公司就占據(jù)60%以上市場份額，剩余份額大部分被日本和歐洲的其他碳化硅企業(yè)占據(jù)。
由于碳化硅材料特殊的物理性質(zhì)，其晶體生長、晶體切割、 晶片加工等環(huán)節(jié)的技術(shù)和工藝要求高，需要長期投入和深耕才能形成產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)能力，行業(yè)門檻很高。
后進(jìn)入的碳化硅晶片生產(chǎn)商在短期內(nèi)形成規(guī)�；⿷�(yīng)能力存在較大難度，市場供給仍主要依靠現(xiàn)有晶片生產(chǎn)商擴大自身生產(chǎn)能力，國內(nèi)碳化硅晶片供給不足的局面預(yù)計仍將維持一段時間。
