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重慶郵電大學成功研發(fā)第三代半導體氮化鎵功率芯片

已有31327次閱讀2020-11-18標簽:
   據(jù)重慶日報報道,目前,重慶郵電大學實驗室已成功研發(fā)第三代半導體氮化鎵功率芯片。
 
  重慶郵電大學光電工程學院副教授黃義透露,“目前,實驗室已成功研發(fā)第三代半導體氮化鎵功率芯片,這也是重慶市功率半導體、汽車電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新興方向。”據(jù)悉,第三代半導體功率芯片主要應用在汽車電子、消費電源、數(shù)據(jù)中心等方面,具備體積小、效率高、用電量少等特點。
 
  “這款功率半導體芯片電量能節(jié)省10%以上,面積是硅芯片的1/5左右,開關速度提升10倍以上。”黃義透露,目前該項目已經(jīng)到了試驗性應用階段,未來有望在各種電源節(jié)能領域和大數(shù)據(jù)中心使用。
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