露笑科技此前發(fā)布非公開(kāi)發(fā)行預(yù)案顯示，本次非公開(kāi)發(fā)行擬募集資金總額不超過(guò)10億元（含10億元），發(fā)行股票數(shù)量不超過(guò)4.53億股（含本數(shù)），不超過(guò)本次非公開(kāi)發(fā)行前總股本的30%。
本次定增募投項(xiàng)目包括“新建碳化硅襯底片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”、“碳化硅研發(fā)中心項(xiàng)目”和“償還銀行貸款”。其中，新建碳化硅襯底片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目擬投入6.5億元，生產(chǎn)碳化硅襯底片等產(chǎn)品，以滿(mǎn)足國(guó)內(nèi)外快速增長(zhǎng)的6英寸及以上尺寸級(jí)別的碳化硅襯底片市場(chǎng)需求。
據(jù)悉，第三代半導(dǎo)體是“超越摩爾定律”的重要發(fā)展內(nèi)容。碳化硅作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和漂移速度以及更高的抗輻射能力，是制造高溫、高頻、大功率半導(dǎo)體器件的理想材料，是未來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要方向，將成為支撐5G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)、新能源汽車(chē)及充電樁、特高壓輸變電及軌道交通等“新基建”的關(guān)鍵核心材料。
據(jù)記者了解，露笑科技從2018年下半年開(kāi)始組建碳化硅晶體生長(zhǎng)爐制造攻關(guān)小組，2019年7月份成功研制出晶體生長(zhǎng)爐并開(kāi)始批量銷(xiāo)售；2020年9月份與合肥市長(zhǎng)豐縣簽署碳化硅產(chǎn)業(yè)園投資項(xiàng)目，11月28日正式開(kāi)工建設(shè)。
目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被在國(guó)外企業(yè)所壟斷。露笑科技方面稱(chēng)，擬以本次定增為契機(jī)，規(guī)�；a(chǎn)6英寸半絕緣及導(dǎo)電碳化硅襯底片，拓展碳化硅在5GGaN-on-SiC高電子遷移率晶體管（HEMT）、SiC肖特基二極管（SBD）、SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）等元器件、芯片方面的應(yīng)用。
