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第三大半導體氮化鎵:2020年應(yīng)用盤點及2021年市場展望

已有30209次閱讀2020-12-31標簽:
 本文由EETOP編譯自allaboutcircuits

  2020年迎來了第三代半導體氮化鎵(GaN)的應(yīng)用浪潮,其應(yīng)用范圍從汽車到音頻放大器。為此外媒allaboutcircuits采訪了GaN Systems首席執(zhí)行官Jim Witham,以了解他為什么認為2021年將有更多GaN被采用。

  雖然20年前氮化鎵(GaN)晶體管曾是大學研究項目的重點,但這些器件現(xiàn)在已被整個行業(yè)廣泛采用--尤其是在2020年。 GaN晶體管現(xiàn)在是硅基FET的熱門替代品,因為它們具有極高的電子遷移率。這也使得GaN比硅基晶體管具有更小的導通電阻和更快的開關(guān)速度。

  

  GaN與Si晶體管

  GaN晶體管的驅(qū)動方式與傳統(tǒng)MOSFET相同,因此很容易集成到現(xiàn)有設(shè)計中。這就是為什么2020年標志著市場對GaN的接受度達到了一個高峰,比以往任何時候都有更多的電源、音頻放大器、數(shù)據(jù)中心和汽車系統(tǒng)采用了GaN。

  

  GaN功率晶體管的市場機會在2020年猛增 中壓段:GaN的最佳選擇

  首先,從快速充電器到數(shù)據(jù)中心,GaN似乎在許多關(guān)鍵行業(yè)都取得了長足發(fā)展。雖然GaN并不是所有電源應(yīng)用的解決方案,但根據(jù)Witham的說法,它的“最佳電壓范圍”在60 V到1200 V之間。

  "硅適用于低電壓(60 V及以下)和低功率,GaN是中等電壓(60-1200 V)和中等功率的理想選擇,而SiC和IGBT則適合高電壓(1200 V及以上)和高功率,"他認為。

  充電器和適配器

  2020年GaN被廣泛采用的一個市場是手機、平板電腦和手持游戲設(shè)備等應(yīng)用的充電器和適配器市場。

  造成這種需求的直接原因是快速充電的廣泛推動,特別是來自亞洲制造商的快速充電。更快的充電需要更高的功率,這通常意味著設(shè)備尺寸更大。而采用GaN則可以比硅充電器實現(xiàn)更小的充電器和更高的功率。

  

  安森美半導體基于GaN的電源 框圖

  "尤其是華為、Oppo和小米都在真正推動快充。"Witham說。GaN Systems預測,隨著GaN成為行業(yè)標準,2021年其他大牌也會開始將自己的GaN充電器推向市場。

  音頻

  對小型、高質(zhì)量、低功耗的音頻設(shè)備的需求不斷增長,使得D類音頻放大器成為設(shè)計人員的最愛。依靠MOSFET輸出級,D類放大器依靠這些晶體管的快速開關(guān)速度,準確地再現(xiàn)了音頻波形。

  對低功耗的小型高質(zhì)量音頻設(shè)備的需求不斷增長,使D類音頻放大器成為設(shè)計師的最愛。D類放大器依靠這些MOSFET晶體管的快速開關(guān)速度來準確地重建音頻波形。

  

  完整的音頻放大器

  GaN具有極高的開關(guān)速度,這是GaN超越硅的另一個方面,有時比硅基FET快1000倍。GaNSystems的白皮書對 這種出色的音頻質(zhì)量進行了量化,表明基于GaN的D類放大器可以產(chǎn)生低至0.004%的總諧波失真(THD),而硅產(chǎn)品僅為0.015%。

  Witham評論說:“我有音頻專家告訴我,這將達到完美晶體管的水平。”由于尺寸減小和出色的音頻質(zhì)量,GaN Systems預測,世界著名的音頻品牌將在來年生產(chǎn)基于GaN的音頻放大器。

  數(shù)據(jù)中心

  從GaN Systems的角度來看,GaN是日益繁重的數(shù)據(jù)中心的必不可少的支柱,隨著越來越多的人在家工作,數(shù)據(jù)中心正在管理空前的功耗和數(shù)據(jù)密度。該公司表示,GaN晶體管可以在三個關(guān)鍵領(lǐng)域做出顯著改進: 

  AC-DC電源,高壓進入服務(wù)器機架,必須降壓才能為所有服務(wù)器分配電源 

  服務(wù)器板上的DC-DC轉(zhuǎn)換器,將直流電壓(無論是12,V,24 V還是48 V)的電壓降低到低芯片級電壓 

  UPS備用電源 

  實現(xiàn)更小,更高效的電源,將使數(shù)據(jù)中心可以在機架中放置更多服務(wù)器,從而提高每平方米的利用性能。

  汽車行業(yè)

  GaN Systems認為大有可為的最后一個領(lǐng)域是汽車行業(yè)。事實上,去年豐田車展上就宣布了一款 "全GaN "汽車。隨著國際政府和公眾對電動汽車的要求越來越高,除高級電池技術(shù)外,設(shè)計師還肩負著集成更小,功率密度更高的系統(tǒng)的任務(wù)。

  

  與硅MOSFET相比,基于GaN的技術(shù)可使LiDAR中的激光信號以更高的速度發(fā)射。

  在Witham眼中,2021年“就是要看到GaN晶體管上路。”

  關(guān)于GaN的成本、設(shè)計和“綠色”價值

  據(jù)GaN Systems公司和許多其他半導體制造商稱,早期圍繞GaN的擔憂已不再迫在眉睫。

  隨著產(chǎn)量的增加,GaN的成本也會下降,"Witham說。

  談到設(shè)計學習曲線,Witham幽默地指出:"GaN有點像法拉利,你必須學會如何駕駛它。"

  

  與GaN FET半橋相比,傳統(tǒng)的高壓半橋。 GaN對于Witham而言,最令人興奮的希望之一就是它將產(chǎn)生長期的環(huán)境影響。Witham認為:“我們正處于動力革命之中。我們看到了這些小型,輕便,高效的電力電子設(shè)備的問世。。。他們將使地球變得更美好。”

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