功率半導(dǎo)體：日本的一張王牌

在功率元件方面占據(jù)優(yōu)勢的日本半導(dǎo)體企業(yè)有：三菱電機(jī)、富士電機(jī)、日立功率元件、東芝電子元件與存儲(chǔ)器件等。中堅(jiān)企業(yè)有羅姆、產(chǎn)研電氣、新電元工業(yè)等等。

而在氧化鎵方面，日本在元件、基板等方面的研發(fā)全球領(lǐng)先。但據(jù)了解，研究氧化鎵功率元件、并進(jìn)行開發(fā)的并不是現(xiàn)在的大型、中型功率半導(dǎo)體企業(yè)！也就是說并不是我們所熟悉的三菱電機(jī)、富士電機(jī)、日立Power Device、東Device&Storage、羅姆、三星電子、新電元工業(yè)等企業(yè)。而是一些小企業(yè)。

自2012年以后，業(yè)界不斷公布關(guān)于氧化稼功率元件的研發(fā)、試做成果。迄今為止，已經(jīng)試做了橫型MES FET、橫型MOS FET、Normally Off的縱型MIS FET。在SBD的試做中，已經(jīng)證明了ON電阻比碳化硅的SBD低得多！在初級(jí)試驗(yàn)階段就可以證明其性能超過碳化硅功率元件，這真是了不起！而現(xiàn)在參加研發(fā)的日本企業(yè)持續(xù)增加，且正在呈現(xiàn)出“All Japan”的景象。

隨著電動(dòng)車和各種綠化智能的需求成為主流，功率器件的重要程度日益提高，但這能否成為日本半導(dǎo)體卷土重來的底氣，那就有待后續(xù)觀察了。但從現(xiàn)在看來，中國大陸、美國、歐洲和大陸的功率器件競賽已然拉開帷幕。

技術(shù)進(jìn)步產(chǎn)能擴(kuò)張，國產(chǎn)替代未來可期

國內(nèi)功率半導(dǎo)體廠商研發(fā)支出/ 人員不斷擴(kuò)大。近年來國內(nèi)廠商加大研發(fā)投入，研發(fā)支出快速增長，多家廠商 2020 年度前三季度的研發(fā)支出已接近 2019 年全年水平，研發(fā)人員數(shù)量也呈快速增加趨勢。

部分產(chǎn)品技術(shù)水平已達(dá)到國外主流水準(zhǔn)。持續(xù)的研發(fā)投入帶來了國內(nèi)功率半導(dǎo)體廠商的技術(shù)進(jìn)步。部分功率半導(dǎo)體產(chǎn)品已達(dá)到與國外主流競品的同等技術(shù)水平。比如，華潤微已建立國內(nèi)領(lǐng)先的 Trench-FS 工藝平臺(tái)。斯達(dá)半導(dǎo)體擁有基于第六代 Trench Field Stop 技術(shù)的 1700V IGBT 芯片及配套的快恢復(fù)二極管芯片技術(shù)。新潔能 MOSFET 國內(nèi)領(lǐng)先，可提供 12-250V 溝槽型/500-900V 結(jié)/30-300V 屏蔽柵 MOSFET 產(chǎn)品，性能接近英飛凌主流產(chǎn)品。

國內(nèi)廠商產(chǎn)能擴(kuò)張助力份額提升。在技術(shù)進(jìn)步的同時(shí)，國內(nèi)功率半導(dǎo)體廠商也不斷加大投資建廠步伐，擴(kuò)大產(chǎn)能以提升市場份額。

通過以上分析，國內(nèi)廠商有望憑借技術(shù)進(jìn)步、成本優(yōu)勢和快速響應(yīng)能力實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代 、 份額提升 。當(dāng)前功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化率較低主要集中在高端產(chǎn)品領(lǐng)域。但功率半導(dǎo)體行業(yè)因?yàn)榧夹g(shù)迭代較慢、產(chǎn)品生命周期較長、投資強(qiáng)度相對(duì)較小的特點(diǎn)，有望成為國替代的最佳賽道。