近日，比亞迪發(fā)布了《關(guān)于分拆所屬子公司比亞迪半導體有限公司至創(chuàng)業(yè)板上市的預案》，芯片業(yè)務經(jīng)營層面的變革之后，緊接著就帶來了技術(shù)層面的突破，即比亞迪的IGBT 6.0芯片。新一代功率芯片由比亞迪半導體西安研發(fā)中心主導，將于稍后正式發(fā)布。
據(jù)悉，比亞迪半導體在全國擁有五大研發(fā)及生產(chǎn)制造基地，分別是深圳、惠州、寧波、長沙、西安。位于西安的半導體研發(fā)中心，將配備近千人的研發(fā)團隊，是比亞迪半導體精心布局的全新研發(fā)基地，承擔著開啟新一輪半導體創(chuàng)新與研發(fā)攻堅戰(zhàn)的使命。
比亞迪半導體將充分利用西安在集成電路方面的人才資源、供應鏈資源及客戶資源，主要從事功率半導體、智能傳感器、智能控制IC等半導體產(chǎn)品的設(shè)計及服務，進一步提升公司產(chǎn)品研發(fā)和技術(shù)實力。
作為電動車三電系統(tǒng)的控制核心，IGBT芯片是整車成本中僅次于動力電池的關(guān)鍵零部件。IGBT芯片良品率的提升，將有助于成本的降低，同時輻射到生產(chǎn)效率，為自動化生產(chǎn)線提升單位時間產(chǎn)能提供了良好的基礎(chǔ)。所以，比亞迪IGBT 6.0不僅是一次技術(shù)突破，還是解決目前功率半導體市場較大缺口，未來獲得更多客戶的一大利器。
據(jù)了解，自2002年進入半導體領(lǐng)域以來，比亞迪半導體在2009年便推出國內(nèi)首款自主研發(fā)的 IGBT 芯片，2018年推出 IGBT4.0 芯片并樹立國內(nèi)中高端車用IGBT新標桿。截止2020年底，以IGBT為主的車規(guī)級功率器件累計裝車超過100萬輛，單車行駛里程超過100萬公里。
IGBT4.0芯片通過精細化平面柵設(shè)計，使得同等工況下，綜合損耗較市場主流產(chǎn)品降低了約20%，整車電耗顯著降低。
時至2021年，比亞迪對此進行了升級，從4.0的精細化平面柵設(shè)計進階到了6.0的高密度溝槽柵技術(shù)。比亞迪半導體稱，相較同類產(chǎn)品在可靠性及產(chǎn)品性能上將實現(xiàn)重大突破，達到國際領(lǐng)先行列。
資料顯示，IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)是一種大功率的電力電子器件，主要用于變頻器逆變和其他逆變電路，將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電，俗稱電力電子裝置的“CPU”。
IGBT是新能源汽車最核心的技術(shù)，其好壞直接影響電動車功率的釋放速度：直接控制直、交流電的轉(zhuǎn)換，同時對交流電機進行變頻控制，決定驅(qū)動系統(tǒng)的扭矩（直接影響汽車加速能力）、最大輸出功率（直接影響汽車最高時速）等。
