6月15日,本土功率器件龍頭企業(yè)華潤微A股報收75.90元/股,漲幅1.01%,總市值達1002億元,成功突破千億市值大關(guān)。

華潤微是目前國內(nèi)最大的功率器件企業(yè)之一,近年來業(yè)績增長勢頭猛烈。2020年據(jù)華潤微披露年報顯示,報告期內(nèi),華潤微實現(xiàn)營業(yè)收入69.77億元,較上年同期增長21.49%;歸屬于母公司所有者的凈利潤9.60億元,較上年同期增長139.66%。
華潤微在無錫擁有1條8英寸和3條6英寸晶圓產(chǎn)線,在重慶擁有1條8英寸晶圓產(chǎn)線(53%持股比例)和12英寸生產(chǎn)線(19%持股比例)。公告顯示,2020年,6英寸產(chǎn)能約248萬片/年,8英寸產(chǎn)能約144萬片。重慶12寸產(chǎn)線達產(chǎn)后,將形成36萬片/年產(chǎn)能。
值得注意的是,華潤微在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)早有布局。
據(jù)華潤微2020年年報顯示,報告期內(nèi),華潤微積極布局和拓展碳化硅業(yè)務(wù)及供應(yīng)鏈,通過華潤微電子控股有限公司與國內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅外延晶片企業(yè)-瀚天天成電子科技(廈門)有限公司達成《增資擴股協(xié)議》,增資后持有瀚天天成 3.2418%的股權(quán),通過資本合作和業(yè)務(wù)合作積極帶動 SiC 業(yè)務(wù)的發(fā)展和布局。
2020年9月,華潤微在互動平臺回復(fù)投資者關(guān)于公司第三代半導(dǎo)體布局的提問。
華潤微表示,公司目前在積極布局第三代半導(dǎo)體,于2020年7月在慕尼黑上海電子展上召開了SiC新品發(fā)布會,正式向市場投入1200V和650V工業(yè)級SiC肖特基二極管功率器件產(chǎn)品系列。
與此同時宣布國內(nèi)首條6英寸商用SiC晶圓生產(chǎn)線正式量產(chǎn)。在GaN方面,華潤微正從襯底材料,器件設(shè)計、制造工藝,封裝工藝全方位開展硅基氮化鎵的研發(fā)工作。
據(jù)悉,去年華潤微發(fā)布的1200V 產(chǎn)品電流等級從2A到40A,主要聚焦于太陽能、UPS(不間斷電源)、充電樁、儲能、車載電源等應(yīng)用領(lǐng)域。650V產(chǎn)品電流等級為4A到16A,主要瞄準服務(wù)器電源、通訊電源等高效開關(guān)電源應(yīng)用市場。

半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)過近六十年的發(fā)展,目前已經(jīng)發(fā)展形成了三代半導(dǎo)體材料,第一代半導(dǎo)體材料 主要是指硅、鍺元素等單質(zhì)半導(dǎo)體材料;第二代半導(dǎo)體材料主要是指化合物半導(dǎo)體材料,如砷化 鎵、銻化銦;第三代半導(dǎo)體材料是寬禁帶半導(dǎo)體材料,其中最為重要的就是 SiC 和 GaN。
和傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料相比,更寬的禁帶寬度允許材料在更高的溫度、更強的電壓與更快的開關(guān)頻率下運行。
SiC 具有高臨界磁場、高電子飽和速度與極高熱導(dǎo)率等特點,使得其器件適用于高頻高溫的應(yīng)用 場景,相較于硅器件,可以顯著降低開關(guān)損耗。因此,SiC 可以制造高耐壓、大功率電力電子器 件如 MOSFET、IGBT、SBD 等,用于智能電網(wǎng)、新能源汽車等行業(yè)。與硅元器件相比,
GaN 具有高臨界磁場、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點,是超高頻器件的極佳選擇,適用于 5G 通信、微波射頻等領(lǐng)域的應(yīng)用。未來,隨著第三代半導(dǎo)體材料的成本因生產(chǎn)技術(shù)的不斷提升而 下降,其應(yīng)用市場也將迎來爆發(fā)式增長,給半導(dǎo)體行業(yè)帶來新的發(fā)展機遇。
華潤微表示,在需求不斷擴大、廠商良性競爭的態(tài)勢下,碳化硅功率器件的成本會持續(xù)下降,具有廣闊的應(yīng)用前景。華潤微看好碳化硅器件在新能源汽車、充電樁、5G、服務(wù)器和電源等市場的應(yīng)用。









