日前，據(jù)天眼查消息顯示，華為技術(shù)有限公司公開“半導(dǎo)體器件及相關(guān)模塊、電路、制備方法”專利，公開號CN113054010A，申請日期為2021年2月。
Source：天眼查
專利摘要顯示，該器件包括：N型漂移層、P型基極層、N型發(fā)射極層、柵極、場截止層和P型集電極層等。上述半導(dǎo)體器件，可以有效降低IGBT的集電極與發(fā)射極之間的漏電流。
行業(yè)的發(fā)展往往依附于需求，近年來，IGBT市場需求大幅上漲，國內(nèi)IGBT廠商隨之加速增長，部分下游應(yīng)用廠商也向上游 IGBT 領(lǐng)域布局，華為也投身此浪潮。除IGBT，華為還持續(xù)布局第三代半導(dǎo)體。
自2019年起，業(yè)內(nèi)就傳言華為開始著手研發(fā)IGBT。
2020年7月，華為旗下投資平臺哈勃，投資入股了一家IGBT廠商——東微半導(dǎo)體。據(jù)介紹，東微半導(dǎo)體主要產(chǎn)品為MOSFET、IGBT等高性能功率器件，主要滿足各種電能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的應(yīng)用，包括快速充電器、充電樁、開關(guān)電源、直流電機(jī)驅(qū)動、光伏逆變器等。
今年3月，更是有知情人士透露，華為正在為公司的功率器件研發(fā)大肆招兵買馬，其中包括IGBT、MOSFET、SiC、GaN等主流的功率器件，隊伍已有數(shù)百人之多。
而第三代半導(dǎo)體，既是十四五重點(diǎn)，也是兩會關(guān)鍵詞之一。隨著“碳中和”、“新基建”的提出，第三代半導(dǎo)體需求高漲，站上風(fēng)口。
SiC方面，華為哈勃成立至今，已投資了8家第三代半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)，其中SiC企業(yè)就有4家，設(shè)計外延和襯底領(lǐng)域，足見華為對SiC的重視和看好。
GaN方面，早在幾年前，華為就已經(jīng)在其4GLTE基站中采用了氮化鎵功率放大器；2020年，華為發(fā)布了65WGaN（氮化鎵）雙口充電器，有傳言稱，此款充電器很有可能就是華為自研；同年8月，華為智能汽車解決方案BU總裁王軍在公眾場合透露，華為目前正在研發(fā)激光雷達(dá)技術(shù)。而GaN晶體管的進(jìn)步已被證明是開發(fā)高精密激光雷達(dá)系統(tǒng)不可或缺的一部分。
