7月14日，中國(guó)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)就美方此舉發(fā)表評(píng)論稱，這或意味著中國(guó)的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)已經(jīng)進(jìn)入了美國(guó)制裁范圍，美方有意從存儲(chǔ)領(lǐng)域最上游的控制IC、到存儲(chǔ)芯片全面封鎖，務(wù)求不讓大陸掌握存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵技術(shù)。

據(jù)路透社相關(guān)文章報(bào)道，兩家中國(guó)存儲(chǔ)企業(yè)被盯上的原因類(lèi)似：

華瀾微電子被列入美國(guó)出口管制實(shí)體清單原因是美國(guó)商務(wù)部認(rèn)為“參與違反美國(guó)國(guó)家安全與外交政策活動(dòng)，正在采購(gòu)或試圖采購(gòu)源自美國(guó)商品，以用于未經(jīng)授權(quán)的軍事用途。”

而美國(guó)議員在致函商務(wù)部長(zhǎng)雷蒙多中宣稱，“大陸NAND Flash龍頭長(zhǎng)江存儲(chǔ)與軍方關(guān)系密切，危及美國(guó)國(guó)家安全。”

從兩家企業(yè)的主營(yíng)業(yè)務(wù)來(lái)看，美方對(duì)中國(guó)大陸的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)確實(shí)關(guān)注有加。

據(jù)杭州華瀾微電子官網(wǎng)介紹，該公司專業(yè)從事數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和信息安全的核心技術(shù)研究，提供數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和信息安全領(lǐng)域的集成電路芯片和技術(shù)方案，其芯片主要有移動(dòng)存儲(chǔ)控制器芯片、固態(tài)硬盤(pán)控制器芯片、Bridge控制器芯片和硬盤(pán)陣列控制器芯片四大系列，是中國(guó)大陸唯一全系列擁有數(shù)碼存儲(chǔ)控制器芯片的高科技公司。

 圖源：華瀾微電子官網(wǎng)

而長(zhǎng)江存儲(chǔ)官網(wǎng)顯示，該公司成立于2016年7月，是一家專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造一體化的IDM集成電路企業(yè)，同時(shí)也提供完整的存儲(chǔ)器解決方案。

據(jù)了解，存儲(chǔ)芯片是電子產(chǎn)品不可或缺的零部件，NAND Flash芯片主要負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存，涉及資料寫(xiě)入、抹除等程序。當(dāng)下海量的數(shù)據(jù)資料大都存儲(chǔ)于云端，NAND Flash芯片作為存儲(chǔ)載體地位特殊，尤其是當(dāng)這類(lèi)芯片用于國(guó)防領(lǐng)域的時(shí)候，更是攸關(guān)國(guó)家安全，因此引起美方注意。

以“涉軍”為由拉黑中國(guó)企業(yè)是美方慣用伎倆，但有業(yè)內(nèi)人士表示，美國(guó)有意“拉黑”中方存儲(chǔ)企業(yè)的意圖還在于快速消除中國(guó)存儲(chǔ)企業(yè)崛起威脅美企相關(guān)市場(chǎng)的可能。

以被美國(guó)議員建議列入實(shí)體清單的長(zhǎng)江存儲(chǔ)為例，長(zhǎng)江存儲(chǔ)主攻的是NAND Flash 市場(chǎng)，據(jù)IDC調(diào)研數(shù)據(jù)顯示，2019年Flash MEMORY 市場(chǎng)規(guī)模整體約 460 億~480 億美元，占總體存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模約 26%，位列數(shù)字存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模第三。其中NAND Flash 市場(chǎng)規(guī)模約為 440 億美元，且近年來(lái)呈上升趨勢(shì)。

而在該領(lǐng)域中，向來(lái)是以美日韓企業(yè)為領(lǐng)頭羊。據(jù)Statista數(shù)據(jù)顯示，2019 年NAND Flash市形成三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、鎂光、SK 海力士、Intel 主導(dǎo)的 NAND Flash 市場(chǎng)格局，分占市場(chǎng)份額的 33.5%、18.9%、14.3%、13.5%、9.7%和 9.5%，CR6 高達(dá) 99.4%，市占前六的美日韓企業(yè)們幾乎壟斷了整個(gè)NAND Flash市場(chǎng)，其中美企占據(jù)38.3%。在高度壟斷的NAND Flash市場(chǎng)中，廠家的議價(jià)權(quán)也較為強(qiáng)勢(shì)。

圖：2019 年 NAND Flash市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局

來(lái)源：國(guó)信證券經(jīng)濟(jì)研究所

但近年來(lái)中國(guó)企業(yè)在 NAND Flash領(lǐng)域進(jìn)展較快。3D NAND是當(dāng)前NAND Flash技術(shù)主流方向，全球能夠?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)3D NAND的公司只有三星、美光、英特爾、海力士、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等十幾家廠商。截止2019年末，美光、海力士、三星、西部數(shù)據(jù)等國(guó)際大廠均已成功研發(fā)100+層的3D NAND。2020年4月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也宣布直接跳過(guò)96層，成功研發(fā)128 層 TLC/QLC 兩款產(chǎn)品。

在產(chǎn)能上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也在奮力直追，長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)家存儲(chǔ)器項(xiàng)目于2016 年底開(kāi)工，總投資240 億美元，分兩期建設(shè)3D NAND 閃存晶圓廠，目前進(jìn)展順利。

值得注意的是，就當(dāng)前而言，中國(guó)存儲(chǔ)企業(yè)還不足以對(duì)全球存儲(chǔ)芯片供應(yīng)市場(chǎng)產(chǎn)生決定性的影響，美方究竟是否已經(jīng)對(duì)中國(guó)存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展產(chǎn)生忌憚之心還要看其后續(xù)舉動(dòng)來(lái)了解。