7月15日，碳化硅襯底研發(fā)制造企業(yè)同光晶體獲數(shù)億元Pre-IPO輪融資，紅馬資本參與，其他投資方包括上市公司匯川技術(shù)，以及中信產(chǎn)業(yè)基金、南京南創(chuàng)、上海聯(lián)新、上海軍民融合產(chǎn)業(yè)基金等機(jī)構(gòu)。
同光晶體專(zhuān)業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅單晶片的研發(fā)和制備，是國(guó)內(nèi)率先從事第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的企業(yè)之一。公司攻克了從原料合成、單晶生長(zhǎng)、襯底加工，到品質(zhì)檢測(cè)等關(guān)鍵技術(shù)，形成關(guān)鍵裝備自有、核心技術(shù)自主的完整技術(shù)體系，產(chǎn)品經(jīng)檢測(cè)鑒定各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)已達(dá)國(guó)際先進(jìn)水平。
目前同光晶體已建成具有國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平的碳化硅單晶片生產(chǎn)線，產(chǎn)能爬坡迅速，獲得多家行業(yè)標(biāo)桿客戶(hù)的訂單。公司計(jì)劃于未來(lái)一年內(nèi)申報(bào)科創(chuàng)板上市，為中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供可靠的基礎(chǔ)材料。
同光晶體成立于2012年5月，依托于中科院半導(dǎo)體所，是國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)第三代半導(dǎo)體材料SiC單晶襯底的高科技企業(yè)。公司目前的產(chǎn)品包括4英寸、6英寸高純半絕緣型以及導(dǎo)電型碳化硅單晶襯底材料。
以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料，又因其禁帶寬度大于2.2 eV而被稱(chēng)為寬禁帶半導(dǎo)體。寬禁帶的結(jié)構(gòu)決定了第三代半導(dǎo)體材料在高溫、高頻、高功率的工作環(huán)境下將擁有更加優(yōu)異的性能，同時(shí)兼具這些性能特點(diǎn)讓第三代半導(dǎo)體材料不僅能在以傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體為主導(dǎo)的存量市場(chǎng)會(huì)有更出色的表現(xiàn)，同時(shí)在一些如新能源汽車(chē)、高壓快充等新興起的領(lǐng)域?qū)⒊蔀橄掠螒?yīng)用廠家無(wú)可替代的選擇。
同光晶體的SiC襯底主要應(yīng)用在功率半導(dǎo)體與射頻半導(dǎo)體領(lǐng)域，其中由導(dǎo)電型碳化硅襯底制成的功率半導(dǎo)體器件主要應(yīng)用于電子電氣領(lǐng)域中新能源汽車(chē)、光伏發(fā)電等方面，而由半絕緣型襯底制成的射頻半導(dǎo)體器件將應(yīng)用于5G通訊、衛(wèi)星、雷達(dá)等領(lǐng)域。
目前，同光晶體的產(chǎn)品已供應(yīng)至國(guó)內(nèi)主要下游應(yīng)用方，同時(shí)公司正與來(lái)自德國(guó)、日本的工業(yè)巨頭進(jìn)行產(chǎn)品驗(yàn)證、需求對(duì)接方面的合作。
同光晶體在2019年完成保定園區(qū)擴(kuò)產(chǎn)，2020年實(shí)現(xiàn)從研發(fā)到量產(chǎn)的轉(zhuǎn)化，產(chǎn)值達(dá)數(shù)億元，且今后每年仍能保持較高增速。
此前，同光晶體董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理鄭清表示，目前公司已完成自主搭建200臺(tái)單晶生長(zhǎng)爐，同時(shí)為滿足功率半導(dǎo)體器件需求，本年計(jì)劃陸續(xù)投產(chǎn)600臺(tái)生長(zhǎng)爐，在2022年4月預(yù)計(jì)產(chǎn)能將達(dá)到10萬(wàn)片。
