近日，Digitimes發(fā)布的一份研究報(bào)告中，詳細(xì)分析了臺(tái)積電、三星、Intel及IBM四家廠商在相同命名的半導(dǎo)體制程工藝節(jié)點(diǎn)上的晶體管密度問(wèn)題，并對(duì)比了各家在10nm、7nm、5nm、3nm及2nm的晶體管密度情況。
在10nm節(jié)點(diǎn)，三星的晶體管密度只有0.52億個(gè)/mm2，臺(tái)積電是0.53億個(gè)/mm2，英特爾已經(jīng)達(dá)到了1.06億個(gè)/mm2。英特爾的晶體管密度達(dá)到了臺(tái)積電和三星的兩倍左右。在7nm節(jié)點(diǎn)，三星的晶體管密度是0.95億個(gè)/mm2，臺(tái)積電是0.97億個(gè)/mm2，而英特爾預(yù)計(jì)將達(dá)到了1.8億個(gè)/mm2。英特爾的晶體管密度依然比臺(tái)積電和三星高出了80％以上。在5nm節(jié)點(diǎn)上，三星的晶體管密度提升到了1.27億個(gè)／mm2，臺(tái)積電則達(dá)到了1.73億個(gè)/mm2，英特爾將達(dá)到3億個(gè)/mm2。英特爾的晶體管密度比臺(tái)積電高出了超過(guò)73％，達(dá)到了三星2．36倍。到了3nm節(jié)點(diǎn)，臺(tái)積電的晶體管密度大約是2.9億個(gè)/mm22，三星只有1.7億個(gè)/mm2，英特爾將達(dá)到5.2億個(gè)/mm2。英特爾的晶體管密度比臺(tái)積電高出了超過(guò)79％，達(dá)到了三星2倍以上。即便是英特爾的5nm制程，其晶體管密度也達(dá)到了三星2nm的1.76倍。至于2nm節(jié)點(diǎn)，目前沒(méi)多少數(shù)據(jù)，IBM之前聯(lián)合三星等公司發(fā)布的2nm工藝密度大約是3.33億個(gè)/mm2，臺(tái)積電的目標(biāo)則是4.9億個(gè)/mm2，均低于英特爾3nm的晶體管密度。雖然以上數(shù)據(jù)其實(shí)不能100％反映各家的工藝技術(shù)水平，因?yàn)檫�需要考慮到其他的例如鰭片間距、柵極間距、最小金屬間距、邏輯單元高度、功耗、成本等方面的問(wèn)題。但就摩爾定律關(guān)注的晶體管密度指標(biāo)來(lái)看，在同一制程工藝節(jié)點(diǎn)上，英特爾的優(yōu)勢(shì)巨大，甚至相比臺(tái)積電、三星更新一代的制程工藝也同樣具有一定的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。
