據(jù)悉，韓國(guó)政府在該項(xiàng)目上投資總計(jì)836億韓元。項(xiàng)目始于2017年，計(jì)劃于2023年結(jié)束，旨在生產(chǎn)基于硅和化合物的功率半導(dǎo)體。
項(xiàng)目開(kāi)始兩年后，韓國(guó)政府與釜山國(guó)立大學(xué)成立了一個(gè)工作組，并在該大學(xué)生產(chǎn)了6英寸SiC晶圓原型。
據(jù)BusinessKorea，從2019年到今年5月，參與該項(xiàng)目的公司銷售額達(dá)到390億韓元。其中一家公司開(kāi)發(fā)了一種用于物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的高效電源管理芯片，在此期間的銷售額為210億韓元。另一家從汽車轉(zhuǎn)向芯片研究的公司與國(guó)內(nèi)一家汽車制造商簽訂了供應(yīng)合同，銷售額約為80億韓元。
MOTIE表示，“在這些成就的基礎(chǔ)上，這些公司正在吸引越來(lái)越多的SiC投資，擴(kuò)大SiC芯片和模塊的使用，并改進(jìn)與GaN相關(guān)的工藝技術(shù)等等，以提高他們?cè)诨衔锇雽?dǎo)體行業(yè)的增長(zhǎng)潛力。”
近年來(lái)，韓國(guó)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域動(dòng)作頻頻。（點(diǎn)擊了解韓國(guó)第三代半導(dǎo)體破局之路）
今年4月，韓國(guó)政府召開(kāi)會(huì)議，發(fā)表了“下一代功率半導(dǎo)體技術(shù)開(kāi)發(fā)及產(chǎn)能擴(kuò)充方案”，宣布將正式培育下一代功率半導(dǎo)體技術(shù)，到2025年開(kāi)發(fā)5種以上的商業(yè)化產(chǎn)品，并在國(guó)內(nèi)建設(shè)6~8英寸代工廠。
5月，韓國(guó)公開(kāi)表示，在未來(lái)10年斥資約510萬(wàn)億韓元(約3萬(wàn)億人民幣），建設(shè)全球最大芯片制造基地。
同月，韓國(guó)宣布啟動(dòng)“X-band GaN半導(dǎo)體集成電路”國(guó)產(chǎn)化課題。韓國(guó)無(wú)線通信設(shè)備半導(dǎo)體企業(yè)RFHIC（艾爾福）被選定為課題牽頭企業(yè)，SK Siltron將參與SiC基板/GaN樹(shù)脂的制作，LIG nex1負(fù)責(zé)系統(tǒng)的驗(yàn)證，韓國(guó)電子通信研究院(ETRI)的半導(dǎo)體工廠將被用來(lái)進(jìn)行GaN MMIC的制作。
