2019年9月份，合肥長鑫量產(chǎn)了國內(nèi)首款DDR4內(nèi)存芯片。據(jù)悉，截至 2020 年底，合肥長鑫 12 英寸存儲器晶圓制造基地項目提前達(dá)到預(yù)期產(chǎn)能，實現(xiàn)了從投產(chǎn)到量產(chǎn)再到批量銷售的關(guān)鍵跨越。
兩年來，長鑫的DRAM顆粒已經(jīng)在多個國產(chǎn)內(nèi)存品牌中商用，性能、價格都收獲了不錯的反饋。
資料顯示，合肥長鑫集成電路制造基地項目總投資超過2200億元，選址位于合肥空港經(jīng)濟示范區(qū)，占地面積約15.2平方公里，由長鑫12吋存儲器晶圓制造基地（以下簡稱“基地”）、空港集成電路配套產(chǎn)業(yè)園、空港國際小鎮(zhèn)三個片區(qū)組成。
其中，長鑫12吋存儲器晶圓制造基地項目是中國大陸第一個投入量產(chǎn)的DRAM設(shè)計制造一體化項目，也是安徽省單體投資最大的工業(yè)項目，總投資約1500億元；空港集成電路配套產(chǎn)業(yè)園，位于基地以西，總投資超過200億元；合肥空港國際小鎮(zhèn)位于基地以北，規(guī)劃土地面積9.2平方公里，規(guī)劃總建筑面積420萬平方米，總投資約500億元。
內(nèi)存技術(shù)上，長鑫量產(chǎn)的第一代DDR4/LPDDR4芯片是19nm工藝，此前一直沒有公布具體細(xì)節(jié)，日前兆易創(chuàng)新在一次會議上透露長鑫的19nm工藝良率已達(dá)75%。
75%的良率在業(yè)內(nèi)不算頂尖水平，不過考慮到長鑫生產(chǎn)內(nèi)存不到2年時間，現(xiàn)在的良率表現(xiàn)已經(jīng)不錯了，制造出來還是能保證毛利的。
此外，從長鑫的規(guī)劃日程來看，預(yù)計將于 2021 年完成 17nm 的工藝研發(fā)，并進(jìn)一步加速向 DDR5 DRAM 產(chǎn)品研發(fā)邁進(jìn)。17nm的具體良率尚未公布，但猜測目前會比較低，還在爬升中。
安徽省經(jīng)濟和信息化廳去年曾印發(fā)《重點領(lǐng)域補短板產(chǎn)品和關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)任務(wù)揭榜工作方案》，要求實現(xiàn)中高端移動、平板及消費類產(chǎn)品 DRAM 存儲芯片的自主可控；研發(fā)出更先進(jìn)的 LPDDR5 并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化；14/15nm 工藝研發(fā)等。此次官方的 DRAM 發(fā)展任務(wù)顯然是落在了長鑫頭上，而官方為企業(yè)指定的計劃時間是 2-3 年，但根據(jù)長鑫此前的路線圖，早已開始研發(fā)下一代 DDR5/LPDDR5 內(nèi)存等工藝技術(shù)，預(yù)計有望三年內(nèi)攻堅 LPDDR5 內(nèi)存。
