電動(dòng)汽車市場增長帶動(dòng)關(guān)鍵功率半導(dǎo)體組件和模塊需求，攸關(guān)變頻、變壓、變流、功率放大、功率管理等功能，也攸關(guān)電動(dòng)汽車快速充電性能，其中以IGBT和第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）芯片和模塊最為重要。
產(chǎn)業(yè)人士指出，IGBT芯片制造以硅芯片為基礎(chǔ)，在電動(dòng)汽車主要應(yīng)用在電動(dòng)控制系統(tǒng)、車載空調(diào)系統(tǒng)、充電樁逆變器等3個(gè)子系統(tǒng)，約占整車成本的7%至10%。而SiC模塊目前主要是電動(dòng)汽車大廠特斯拉（Tesla）帶動(dòng)采用，導(dǎo)入主驅(qū)逆變器和車載充電器應(yīng)用，不過其他電動(dòng)汽車廠采用SiC模塊時(shí)間，最快也要到2023年。
從市場規(guī)模來看，法人引述研調(diào)機(jī)構(gòu)預(yù)估2022年全球IGBT市場可到60億美元，中國IGBT市場預(yù)估2023年可到人民幣290.8億元；去年全球SiC市場規(guī)模不到20億美元。
不過IGBT芯片組件主要由歐洲和日本大廠主導(dǎo)，其中歐洲英飛凌（Infineon）全球市場占有率超過32%，日本富士電機(jī)（FujiElectric）占比近12%，歐洲安森美半導(dǎo)體（ONSemiconductor）近8%，另外包括日本東芝（Toshiba）、三菱電機(jī)（Mitsubishi）、歐洲意法半導(dǎo)體（STM）等。
IGBT模塊也由英飛凌、三菱和富士電機(jī)等三大廠主導(dǎo)，其中英飛凌市場占有率超過35%，三大廠市場占有率達(dá)58%。中國廠商也正急起直追，包括斯達(dá)半導(dǎo)體、中車時(shí)代電氣、威科電子、比亞迪等積極布局電動(dòng)汽車用IGBT模塊。
臺(tái)灣廠商積極創(chuàng)建電動(dòng)汽車用IGBT自主供應(yīng)鏈，例如二極管廠朋程在電動(dòng)汽車用IGBT模塊已有初步成果，預(yù)期第4季送樣客戶項(xiàng)目，10月提功能驗(yàn)證和信賴性驗(yàn)證，預(yù)估明年底首樣機(jī)型小量出貨，最快明年底開始貢獻(xiàn)營收。
鴻海集團(tuán)在出貨制造高電壓高電流IGBT模塊，已有7年至8年經(jīng)驗(yàn)，主要應(yīng)用于馬達(dá)控制，鴻海轉(zhuǎn)投資夏普（Sharp）在IGBT模塊也有制造能力。
導(dǎo)線架廠界霖已切入電動(dòng)汽車和油電混合車用IGBT模塊，客戶包括日系和歐系車廠，應(yīng)用在車用和充電樁領(lǐng)域；艾姆勒車電（2241）也積極開發(fā)電動(dòng)汽車IGBT芯片散熱模塊；保護(hù)組件廠聚鼎（6224）子公司聚燁科技也布局電動(dòng)汽車IGBT模塊散熱應(yīng)用。
不過產(chǎn)業(yè)人士指出，電動(dòng)汽車用IGBT芯片制造以12英寸芯片為主，英飛凌和Cree等大廠已量產(chǎn)，臺(tái)廠IGBT芯片以6英寸晶背產(chǎn)能為主，應(yīng)用在電冰箱等商用領(lǐng)域，至于臺(tái)廠在IGBT芯片發(fā)展進(jìn)度，還需要1年至1.5年的時(shí)間才可浮出臺(tái)面。
比較IGBT模塊和SiC模塊功能效益，產(chǎn)業(yè)人士分析，SiC模塊可讓電動(dòng)汽車加速性能佳、充滿電后里程數(shù)較遠(yuǎn)、充電速度快且導(dǎo)電時(shí)間短，且散熱效益可差3倍至5倍，但價(jià)格差距達(dá)10倍至15倍，因此SiC模塊主要應(yīng)用在高里程高端的電動(dòng)汽車款，預(yù)期短期未來5年電動(dòng)汽車用功率模塊仍是以IGBT模塊為主。
