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據(jù)Cree官方報道，公司和意法半導體宣布擴大現(xiàn)有的多年長期碳化硅晶圓供應協(xié)議。修訂后的協(xié)議要求科銳在未來幾年向 ST 提供 150 毫米碳化硅裸片和外延片，價值超過 8 億美元。

“我們與 Cree 的長期晶圓供應協(xié)議的最新擴展將繼續(xù)為我們?nèi)蛱蓟枰r底供應的靈活性做出貢獻。它將繼續(xù)為我們的全球碳化硅供應做出重要貢獻，補充我們已獲得的其他外部產(chǎn)能以及我們正在增加的內(nèi)部產(chǎn)能。該協(xié)議將有助于滿足我們未來幾年產(chǎn)品制造業(yè)務所需的大量生產(chǎn)，以及大量或增加的汽車和工業(yè)客戶項目”，意法半導體總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery 說。

隨著行業(yè)從內(nèi)燃機轉向電動汽車，基于碳化硅的電源解決方案的采用在整個汽車市場迅速增長，從而實現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率，從而使電動汽車具有更長的續(xù)航里程和更快的充電速度，同時降低成本、減輕重量和節(jié)省空間。在工業(yè)市場，碳化硅解決方案可實現(xiàn)更小、更輕和更具成本效益的設計，更有效地轉換能源以開啟新的清潔能源應用。為了更好地支持這些不斷增長的市場，設備制造商有興趣確保獲得高質(zhì)量碳化硅襯底以支持他們的客戶。

“我們很高興意法半導體將繼續(xù)利用 Wolfspeed 碳化硅材料作為其未來幾年供應戰(zhàn)略的一部分，”Cree 首席執(zhí)行官 Gregg Lowe 表示。“我們與設備制造商簽訂的長期晶圓供應協(xié)議現(xiàn)在總額超過 13 億美元，有助于支持我們推動行業(yè)從硅向碳化硅過渡的努力。我們的合作伙伴關系和對提高產(chǎn)能的重大投資確保我們處于有利地位，能夠充分利用我們相信這是基于碳化硅的應用的數(shù)十年增長機會”，Gregg Lowe 進一步指出。

ST八英寸SiC正式量產(chǎn)

意法半導體昨日宣布，瑞典 Norrköping 工廠已制造出首批 8 吋碳化硅 (SiC) 晶圓，預計將用于生產(chǎn)下一代功率半導體，且此次將尺寸升級到 8 吋，也象征意法針對汽車與工業(yè)客戶的擴產(chǎn)計劃，獲得重要階段性成就。

意法半導體指出，此次量產(chǎn) 8 吋 SiC 晶圓，將鞏固公司在此技術領域的領導地位，也提升功率半導體的輕量化與效能，并降低客戶使用 SiC 產(chǎn)品的成本。

意法半導體表示，首批 8 吋 SiC 晶圓質(zhì)量優(yōu)良，芯片良率和晶體位元錯誤缺陷低，此外，意法半導體除了 SiC 晶圓可滿足嚴格質(zhì)量標準外，升級至 8 吋晶圓也需要制造設備和支援生態(tài)系統(tǒng)同時升級，正與供應鏈上下游廠商合作研發(fā)專屬的制造設備和生產(chǎn)制程。

意法半導體補充，碳化硅 STPOWER SiC 目前由意大利卡塔尼亞和新加坡宏茂橋兩家 6 吋晶圓廠完成前段制程制造，后段制程制造則在中國深圳和摩洛哥布斯庫拉的兩家封測廠進行。

意法半導體強調(diào)，此次階段性的成功只是 8 吋 SiC 量產(chǎn)計劃的一部分，目前也正積極新建碳化硅基板廠，預計 2024 年內(nèi)部采購碳化硅基板比重將超過 40%。

意法半導體汽車和離散元件產(chǎn)品部總裁 Marco Monti 表示，汽車和工業(yè)市場正加速推動系統(tǒng)和產(chǎn)品電氣化的進程，升級至 8 吋 SiC 晶圓將為汽車和工業(yè)客戶帶來巨大優(yōu)勢，因此擴大產(chǎn)能、提升規(guī)模經(jīng)濟效益至關重要，也能更有效控制晶圓良率和改善質(zhì)量。

SiC發(fā)展歷程回顧

按照ST介紹，SiC特性在20世紀初就已經(jīng)確立，第一個SiC發(fā)光二極管追溯到1907年。物理學家知道，SiC的帶隙更寬，比硅寬約2ev，這意味著在室溫下SiC器件的臨界場強是硅基器件的5倍到10倍。因此，新技術可以極大地提高電力轉換效率，同時耐受更高的電壓和更惡劣的作業(yè)狀況。

他們指出，阻礙SiC的發(fā)展的難題是，直到1996年，都沒有人知道如何在半導體晶圓廠實現(xiàn)SiC商用，因為SiC襯底缺陷太多，而且烤箱的高溫不能兼容碳化硅材料。此外，半導體行業(yè)又耗費了十年時間，才能在兩英寸以上的晶圓上制造SiC器件，在大晶圓上加工芯片是降低成本的關鍵。盡管困難重重，ST還是先行一步，投入巨資研發(fā)SiC，并與學術界展開合作，成功地克服了所有這些挑戰(zhàn)。

從SiC的研發(fā)歷史來看，率先掃清基本障礙具有重要意義。作為用SiC襯底制造半導體的先驅(qū)，ST提出了新的可以生產(chǎn)出更多更好的SiC器件的解決方案。此外，ST的卡塔尼亞工廠躋身世界上最大的SiC晶圓廠之列，作為市場上領先的SiC器件制造商。ST擁有從150mm晶圓升級到200mm晶圓的制造設備。

經(jīng)過25年的投入與發(fā)展， SiC變得越來越成熟。因此，業(yè)界不會看到電阻率像以前那樣大幅下降，但會看到更穩(wěn)健可靠的產(chǎn)品。隨著ST晶圓廠試驗更大的晶圓和新工藝，成本將繼續(xù)下降。ST正在投資研發(fā)SiC襯底技術，提高質(zhì)量，優(yōu)化產(chǎn)能，業(yè)界可以期待更高的產(chǎn)能和更低的成本，這將大幅推動SiC采用率的提升。

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ST與CREE簽訂SiC長期供應協(xié)議，價值超八億美元

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