據(jù)徐州日?qǐng)?bào)報(bào)道，近日，燦科半導(dǎo)體功率器件項(xiàng)目將增加一條氮化鎵共封裝器件生產(chǎn)線，項(xiàng)目建成量產(chǎn)后，可年產(chǎn)氮化鎵共封裝器件2億顆、氮化鎵晶圓6萬片，年產(chǎn)值可達(dá)到12億元。
據(jù)悉，燦科半導(dǎo)體功率器件項(xiàng)目，總投資5.5億元，由廣東致能投資建設(shè)，于2020年11月簽約落地，今年1月開工建設(shè)，3月潔凈廠房建成并投入使用，今年6月其氮化鎵生產(chǎn)線投產(chǎn)。
建成投產(chǎn)后，項(xiàng)目一期預(yù)計(jì)年產(chǎn)值實(shí)現(xiàn)5.4億元，二期實(shí)現(xiàn)18億元。
致能半導(dǎo)體董事長(zhǎng)黎子蘭表示，新上線的這條氮化鎵共封裝器件生產(chǎn)線，可以把氮化鎵功率芯片與硅驅(qū)動(dòng)芯片、硅MOS芯片等不同功能的芯片封裝在一起，形成氮化鎵芯片共封裝器件，能有效降低氮化鎵芯片與其它芯片之間傳統(tǒng)PCB板連接導(dǎo)致的延時(shí)較長(zhǎng)、寄生電感較大、干擾嚴(yán)重等問題，發(fā)揮氮化鎵芯片的高頻優(yōu)勢(shì)，也能助推企業(yè)在電子信息產(chǎn)業(yè)依靠科技創(chuàng)新?lián)屨际袌?chǎng)新藍(lán)海。
