印度研發(fā)出本土首個(gè)存儲(chǔ)器
已有22955次閱讀2021-08-23標(biāo)簽:
印度孟買理工學(xué)院 (IIT-B) 的研究人員發(fā)明了本土首個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù),可用于印度 本土晶圓廠的180nm 節(jié)點(diǎn)上制造。內(nèi)存是物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 的一個(gè)關(guān)鍵方面,物聯(lián)網(wǎng)是一種嵌入傳感器或芯片的物體網(wǎng)絡(luò),可在無需人工干預(yù)的情況下通過無線網(wǎng)絡(luò)交換數(shù)據(jù)。通過為芯片提供用戶特定的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ),內(nèi)存用于定制芯片。物聯(lián)網(wǎng)連接微小的芯片,這些芯片都是相同的,但通過存儲(chǔ)在內(nèi)存中的身份(條形碼)來區(qū)分。該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在硅集成電路存儲(chǔ)芯片上的金屬-絕緣體-金屬 (metal-insulator-metal :MIM) 存儲(chǔ)單元中。在物聯(lián)網(wǎng)顛覆全球半導(dǎo)體行業(yè)之際,以印度政府航天部莫哈里半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室 (SCL) 為首的半導(dǎo)體制造生態(tài)系統(tǒng)不得不從國外進(jìn)口主要技術(shù)。然而,由電氣工程系教授 Udayan Ganguly 領(lǐng)導(dǎo)的 IIT-B 研究小組與 SCL 一起成功展示了基于 CMOS-180nm 的 8 位存儲(chǔ)技術(shù)。這是一項(xiàng)可以用于量產(chǎn)的技術(shù)。理想情況下,硅芯片(如溫度計(jì))應(yīng)該是相同的,但制造差異會(huì)產(chǎn)生微小的偏差(例如溫度誤差),這些偏差會(huì)在測(cè)試中顯示出來。這使得大部分芯片無用。IIT-B 團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)的技術(shù)能夠?qū)⑦@種微小的偏移校正一次存儲(chǔ)在內(nèi)存中,然后將其應(yīng)用于輸出,使每個(gè)不完美的芯片變得完美。使用這種方法,現(xiàn)在可以設(shè)計(jì)通用芯片并添加特定于應(yīng)用程序的偏移量,從而使昂貴的定制芯片設(shè)計(jì)變得多余,為用戶節(jié)省時(shí)間和金錢。“100 個(gè)想法中有一個(gè)是從實(shí)驗(yàn)室到晶圓廠的旅程。超過 95% 產(chǎn)量的嚴(yán)格過程需要一個(gè)由世界一流的研發(fā)基礎(chǔ)設(shè)施支持的堅(jiān)持不懈的多學(xué)科團(tuán)隊(duì),以形成持久的合作。一旦如此成功的技術(shù)開啟了觸及無數(shù)生命的可能性,在這種情況下,就是通過具有微小內(nèi)存的芯片,” Ganguly說。這種一次性可編程 (OTP) 存儲(chǔ)器基于超薄沉積二氧化硅,而不是現(xiàn)有的基于柵極氧化物的 OTP 技術(shù)。與柵極氧化物擊穿(一種流行的 OTP 存儲(chǔ)器)所需的高電壓相比,IIT-B 的存儲(chǔ)器芯片需要更少的功率和芯片面積,因?yàn)楸苊饬藢?duì)升壓電源的需求。“內(nèi)存技術(shù)對(duì)數(shù)據(jù)安全至關(guān)重要。它對(duì)現(xiàn)在和未來的印度晶圓廠至關(guān)重要。為了注入創(chuàng)新,將存儲(chǔ)技術(shù)從研究轉(zhuǎn)化為制造是在全球競(jìng)爭(zhēng)和本地服務(wù)以建立充滿活力的半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的關(guān)鍵。Chandigarh聯(lián)合 IIT-B-SCL 團(tuán)隊(duì)采用 OTP 內(nèi)存技術(shù)用于修剪應(yīng)用程序是朝這個(gè)方向邁出的開創(chuàng)性一步。NITI Aayog 成員 VK Saraswat 說:“通過為該國啟用安全內(nèi)存和加密硬件,它將改變游戲規(guī)則。該項(xiàng)目由科技部 (DST) 的高優(yōu)先領(lǐng)域研究強(qiáng)化 (IRHPA) 發(fā)起。這項(xiàng)工作的各個(gè)方面由 DST 的納米電子研究和應(yīng)用網(wǎng)絡(luò) (NNetRA)、DST 先進(jìn)制造技術(shù)和 PSA 辦公室提供資金,用于硬件安全。IIT-B 的團(tuán)隊(duì)與 IIT-Delhi、SETS Chennai 和國防研究與開發(fā)組織合作進(jìn)行硬件加密。“印度政府?dāng)?shù)字印度計(jì)劃的成功為我們國家制造電子硬件的能力奠定了基礎(chǔ)。對(duì)包括集成電路或芯片在內(nèi)的電子硬件的關(guān)注是加強(qiáng)主要在太空和國防領(lǐng)域的研發(fā)的關(guān)鍵。標(biāo)準(zhǔn)制定、產(chǎn)品設(shè)計(jì)或 IP 開發(fā)以及半導(dǎo)體制造變得越來越重要。提高印度在該領(lǐng)域的參與度是印度研發(fā)的主要優(yōu)先事項(xiàng)。印度政府首席科學(xué)顧問 (PSA) K Vijay Raghavan 表示,IIT-B 與 SCL 之間首次建立這種存儲(chǔ)器技術(shù)的合作證明了該國半導(dǎo)體研究的潛力更大。