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12.4億GaN/GaAs射頻芯片項(xiàng)目落地成都!已是本月第四個(gè)氮化鎵項(xiàng)目

已有23657次閱讀2021-09-01標(biāo)簽:
 
隨著5G、新能源汽車、能源互聯(lián)網(wǎng)、軌道交通等下游應(yīng)用領(lǐng)域快速發(fā)展,市場對(duì)第三代半導(dǎo)體的投資熱情高漲,8月以來,已有4個(gè)氮化鎵項(xiàng)目落地。

 

 

據(jù)消息,8月28日,金牛區(qū)2021年現(xiàn)代都市工業(yè)及配套設(shè)施重點(diǎn)項(xiàng)目集中開工儀式在成都舉行,會(huì)上9個(gè)項(xiàng)目集中開工。

 

其中,北京航天微電芯片孵化產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目位于金牛區(qū)天回鎮(zhèn)街道人工智能產(chǎn)業(yè)園,用地面積約77畝。項(xiàng)目總投資約12.4億元,計(jì)劃于2023年6月竣工。項(xiàng)目業(yè)主為北京航天微電科技有限公司,將建成一條國內(nèi)領(lǐng)先,開放式的6英寸0.15μm全制程GaN/GaAs射頻芯片研制線,打造以微聲芯片、氮化鎵芯片、SIP模組、毫米波砷化鎵芯片等產(chǎn)品為代表的高端芯片產(chǎn)業(yè)孵化平臺(tái)。


其他三個(gè)項(xiàng)目分別為,金普新區(qū)管委會(huì)與深圳正威集團(tuán)簽署總投資達(dá)300億元的戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將合作建設(shè)以氮化鎵半導(dǎo)體為核心的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地、以金屬銅為原料向下游延伸建設(shè)5G新材料產(chǎn)業(yè)基地,同時(shí)搭建金屬和新材料等大宗商品交易平臺(tái),并將發(fā)揮金普新區(qū)港口優(yōu)勢(shì)的大連自貿(mào)片區(qū)政策,建設(shè)臨港產(chǎn)業(yè)工貿(mào)集聚地。

 

項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后,預(yù)計(jì)年主營收入將達(dá)400億~500億元。

 

據(jù)報(bào)道,燦科半導(dǎo)體功率器件項(xiàng)目將增加一條氮化鎵共封裝器件生產(chǎn)線,項(xiàng)目建成量產(chǎn)后,可年產(chǎn)氮化鎵共封裝器件2億顆、氮化鎵晶圓6萬片,年產(chǎn)值可達(dá)到12億元。

 

深圳市中科半導(dǎo)體科技有限公司氮化鎵外延片材料和氮化鎵單晶襯底材料的研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目云簽約州經(jīng)開區(qū),總投資2億元,主要生產(chǎn)2-4寸氮化鎵外延片材料和氮化鎵單晶襯底材料。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)達(dá)標(biāo)后,可實(shí)現(xiàn)年?duì)I業(yè)收入3.6億元,年納稅4000萬元。

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