據(jù)山西經(jīng)濟日報報道，日前，由晉城市光機電產(chǎn)業(yè)研究院引進的銻化物半導體項目已經(jīng)進入試運行階段，預計明年將達到1萬支芯片的產(chǎn)能，將成為全國首條第四代半導體的生產(chǎn)線。
Source：山西經(jīng)濟日報截圖
據(jù)悉，銻化物激光器芯片生產(chǎn)項目是晉城市光機電產(chǎn)業(yè)研究院引進中科院半導體研究所牛智川教授團隊落地的首期項目，概算總投資8202.82萬元。項目圍繞銻化物半導體激光芯片核心技術，研制銻化物大功率激光芯片和單模激光芯片，將廣泛應用于激光加工、醫(yī)療切割等不同領域。
銻化物半導體材料指的包含Al、Ga、In、As、Sb等Ⅲ-V族元素在內(nèi)的多元化合物合金材料、具有窄禁帶直接躍遷發(fā)光的獨特優(yōu)勢，兼具重量輕、可直接調(diào)制、波長覆蓋范圍廣等多種優(yōu)勢。越來越受到研究人員的關注，逐漸成為2~4 μm波段半導體激光光源的研究熱點。
以銻化物激光器為代表的中紅外激光器在2~4 μm的紅外窗口波段具有巨大的應用價值，可以廣泛的應用于醫(yī)療美容，工業(yè)生產(chǎn)，環(huán)境監(jiān)管等關系國計民生的重要領域。
牛智川教授表示，銻化物半導體在開發(fā)下一代的小體積、輕重量、低功耗、低成本器件，及其要求極為苛刻的應用方面具有不可替代的獨特優(yōu)勢。國內(nèi)的銻化物超晶格探測器、量子阱激光器技術等正在步入產(chǎn)業(yè)化應用發(fā)展階段。
