芯思想研究院整理了全國省/自治區(qū)/直轄市及集成電路發(fā)展重要城市的相關集成電路規(guī)劃和產(chǎn)業(yè)規(guī)模目標，以供參考。
根據(jù)芯思想研究院的統(tǒng)計和估算，到2025年我國集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模（設計、制造、封測、設備、材料）將超過40000億元。
到2025年集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模預估超過千億級的省/自治區(qū)/直轄市有11個，分別是（按拼音排序）：安徽、北京、福建、廣東、湖北、江蘇、上海、山東、陜西、四川、浙江。百億級的省/自治區(qū)/直轄市有7個，分別是（按拼音排序）：重慶、甘肅、河北、湖南、江西、遼寧、天津。
到2025年集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模超過千億級的城市有17個，分別是（按拼音排序）：北京、成都、廣州、合肥、寧波、南京、南通、泉州、上海、紹興、深圳、蘇州、武漢、無錫、廈門、西安、珠海。百億級城市有15個，分別是（按拼音排序）：長沙、常州、池州、重慶、大連、杭州、濟南、南昌、青島、沈陽、石家莊、天津、天水、徐州、株洲。
到2025年集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模（設計、制造、封測、設備、材料）超過千億級的產(chǎn)業(yè)園區(qū)有9個，分別是：（按拼音排序）北京亦莊（經(jīng)開區(qū)）、成都高新區(qū)、南京江北新區(qū)、泉州芯谷、上海臨港新片區(qū)、上海張江園區(qū)、紹興濱海新區(qū)、無錫高新區(qū)、西安高新區(qū)。
北京市（簡稱：京）
2021年8月18日，北京市人民政府發(fā)布《北京市“十四五”時期高精尖產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》（京政發(fā)〔2021〕21號）。
《發(fā)展規(guī)劃》指出以自主突破、協(xié)同發(fā)展為重點，構(gòu)建集設計、制造、裝備和材料于一體的集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新高地，打造具有國際競爭力的產(chǎn)業(yè)集群。重點布局北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)、海淀區(qū)、順義區(qū)。
�。�1）集成電路創(chuàng)新平臺。以領軍企業(yè)為主體、科研院所為支撐，建立國家級集成電路創(chuàng)新平臺；支持新型存儲器、CPU、高端圖像傳感器等重大戰(zhàn)略領域基礎前沿技術(shù)的研發(fā)和驗證，形成完整知識產(chǎn)權(quán)體系。
�。�2）集成電路設計。重點布局海淀區(qū)，聚力突破量大面廣的國產(chǎn)高性能CPU、FPGA、DSP等通用芯片及EDA工具的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化；面向消費電子、汽車電子、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、超高清視頻等領域發(fā)展多樣化多層次行業(yè)應用芯片；支持技術(shù)領先的設計企業(yè)聯(lián)合產(chǎn)業(yè)鏈上下游建設產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心。
�。�3）集成電路制造。堅持主體集中、區(qū)域集聚，圍繞國家戰(zhàn)略產(chǎn)品需求，支持北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)、順義區(qū)建設先進特色工藝、微機電工藝和化合物半導體制造工藝等生產(chǎn)線。
�。�4）集成電路裝備。支持北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)建設北京集成電路裝備產(chǎn)業(yè)園，建設國內(nèi)領先的裝備、材料驗證基地，打造世界領先的工藝裝備平臺企業(yè)和技術(shù)先進的光刻機核心部件及裝備零部件產(chǎn)業(yè)集群；加快完善裝備產(chǎn)業(yè)鏈條，提升成熟工藝產(chǎn)線成套化裝備供給能力以及關鍵裝備和零部件保障能力。
《規(guī)劃》還提出搶先布局一批未來前沿產(chǎn)業(yè)。包括：
�。�1）量子信息領域完善量子信息科學生態(tài)體系，加強量子材料工藝、核心器件和測控系統(tǒng)等核心技術(shù)攻關，推進國際主流的超導、拓撲和量子點量子計算機研制，開展量子保密通信核心器件集成化研究，搶占量子國際競爭制高點。
（2）光電子領域積極布局高數(shù)據(jù)容量光通信技術(shù)，攻克光傳感、大功率激光器等方向材料制備、器件研制、模塊開發(fā)等關鍵技術(shù)，推動硅基光電子材料及器件、大功率激光器國產(chǎn)化開發(fā)。
�。�3）新型存儲器領域開展先進DRAM技術(shù)研發(fā)，推進17nm/15納米DRAM研發(fā)與量產(chǎn)，突破10納米DRAM部分關鍵技術(shù)。
《北京市國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，重點發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)。
（1）以設計為龍頭，以裝備為依托，以通用芯片、特色芯片制造為基礎，打造集成電路產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)。
（2）開發(fā)IP庫和工具軟件，建設集成電路裝備工藝驗證與技術(shù)創(chuàng)新平臺，建成中關村集成電路設計園二期、中國移動國際信息港、北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)集成電路裝備產(chǎn)業(yè)基地二期和國家信創(chuàng)園。
�。�3）支持先進工藝、制造材料、EDA、碳基集成電路等一批突破性項目，實施集成電路制造業(yè)新生產(chǎn)力布局項目和集成電路裝備產(chǎn)業(yè)基地項目，支持8英寸晶圓產(chǎn)線和8英寸MEMS高端產(chǎn)線落地，夯實“研發(fā)線+量產(chǎn)線”協(xié)同格局。
（4）支持創(chuàng)新企業(yè)共同組建光刻機研發(fā)中心，積極發(fā)展7/5/3納米刻蝕設備、薄膜設備、離子注入機等高端裝備，支持光刻機中光學鏡頭、光源及工件臺等自主可控項目建設。
�。�5）鼓勵企業(yè)開展AI芯片、高端傳感器等人工智能細分領域應用，建設國家高端儀器和傳感器產(chǎn)業(yè)基地。
�。�6）加快基礎智造工藝、元器件等技術(shù)攻關，培育核心零部件、高端裝備制造工業(yè)。
北京經(jīng)開區(qū)（亦莊）
2021年7月發(fā)布的《"十四五"時期北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)發(fā)展建設和二〇三五年遠景目標規(guī)劃》指出，“十四五”期間，北京經(jīng)開區(qū)在產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新鏈上將進一步發(fā)力，以“白菜心”工程等重大攻堅項目為抓手，繼續(xù)強化集成電路制造和裝備環(huán)節(jié)優(yōu)勢，確立北京經(jīng)開區(qū)在全國集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的領導地位。
《目標規(guī)劃》指出，引領集成電路自主可控發(fā)展。
（1）以自主可控為導向，率先組織開展集成電路產(chǎn)學研用一體化突破，推動芯片設計、先進制造、關鍵設備、零部件、核心材料、先進封測等集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展
�。�2）重點布局圖像傳感器、超高清顯示、存儲、車規(guī)、國產(chǎn)CPU、IGBT等芯片設計細分領域。強化制造領域引領地位，加快中芯國際產(chǎn)能提升，支持存儲器芯片快速量產(chǎn)。
（3提升關鍵設備核心競爭力，實現(xiàn)刻蝕、薄膜、離子注入等關鍵裝備全布局，形成區(qū)域集中、協(xié)同發(fā)展的集群效應。
�。�4）聯(lián)合攻關金屬部件、硅基及陶瓷等非金屬部件、電子部件的供應安全問題，重點關注光刻機核心部件，支持光學鏡頭、激光光源、工件臺及計算光刻軟件等規(guī)�；瘧�，探索光刻機整機測試平臺建設。
�。�5）填補核心材料產(chǎn)業(yè)空白環(huán)節(jié)，實現(xiàn)光刻膠、濺射靶材和專用氣體等材料國產(chǎn)化突破。
�。�6）加速先進封裝工藝和測試能力落地，滿足國產(chǎn)CPU、顯示驅(qū)動和5G射頻產(chǎn)品封測需求，補齊區(qū)域短板。
上海市（簡稱：滬）
2021年6月發(fā)布的《上海市戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)和先導產(chǎn)業(yè)發(fā)展“十四五”規(guī)劃》提出，以國家重大戰(zhàn)略任務為牽引，強化創(chuàng)新平臺體系建設、關鍵技術(shù)攻關和重大項目布局，持續(xù)提升產(chǎn)業(yè)能級和綜合優(yōu)勢。“十四五”期間，集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模年均增速達到20%左右，力爭在制造領域有兩家企業(yè)營收穩(wěn)定進入世界前列，在設計、裝備材料領域培育一批上市企業(yè)。到2025年，基本建成具有全球影響力的集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新高地。先進制造工藝進一步提升，芯片設計能力國際領先，核心裝備和關鍵材料國產(chǎn)化水平進一步提高，基本形成自主可控的產(chǎn)業(yè)體系。
重點發(fā)展：1、集成電路設計。提升5G通信、桌面CPU、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等核心芯片研發(fā)能力，加快核心IP開發(fā)，推進FPGA、IGBT、MCU等關鍵器件研發(fā)。提升集成電路設計工具供給能力，培育全流程EDA平臺，優(yōu)化國產(chǎn)EDA產(chǎn)業(yè)發(fā)展生態(tài)環(huán)境。2、制造和封測。擴大集成電路成熟工藝產(chǎn)線產(chǎn)能，提高產(chǎn)品良率，提升先進工藝量產(chǎn)規(guī)模，繼續(xù)加快先進工藝研發(fā)。提升特色工藝芯片研發(fā)和規(guī)模制造能力。進一步提升先進封裝測試產(chǎn)業(yè)規(guī)模。3、裝備和材料。加快研制具有國際一流水平的刻蝕機、清洗機、離子注入機、量測設備等高端產(chǎn)品。開展核心裝備關鍵零部件研發(fā)。提升12英寸硅片、先進光刻膠研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化能力。
2021年7月5日，上海市人民政府發(fā)布《上海市先進制造業(yè)發(fā)展“十四五”規(guī)劃》（滬府辦發(fā)〔2021〕12號）。
《規(guī)劃》提出發(fā)揮上海產(chǎn)業(yè)基礎和資源稟賦優(yōu)勢，以集成電路、生物醫(yī)藥、人工智能三大先導產(chǎn)業(yè)為引領，大力發(fā)展電子信息、生命健康、汽車、高端裝備、先進材料、時尚消費品六大重點產(chǎn)業(yè)，構(gòu)建“3+6”新型產(chǎn)業(yè)體系，打造具有國際競爭力的高端產(chǎn)業(yè)集群。
《規(guī)劃》提出以自主創(chuàng)新、規(guī)模發(fā)展為重點，提升芯片設計、制造封測、裝備材料全產(chǎn)業(yè)鏈能級。
（1）芯片設計，加快突破面向云計算、數(shù)據(jù)中心、新一代通信、智能網(wǎng)聯(lián)汽車、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等領域的高端處理器芯片、存儲器芯片、微處理器芯片、圖像處理器芯片、FPGA、5G核心芯片等，推動骨干企業(yè)芯片設計能力進入3納米及以下，打造國家級EDA平臺，支持新型指令集、關鍵核心IP等形成市場競爭力。
�。�2）制造封測，加快先進工藝研發(fā)，支持12英寸先進工藝生產(chǎn)線建設和特色工藝產(chǎn)線建設，爭取產(chǎn)能倍增，加快第三代化合物半導體發(fā)展；發(fā)展晶圓級封裝、2.5D/3D封裝、柔性基板封裝、系統(tǒng)封裝等先進封裝技術(shù)。
�。�3）裝備材料，加強裝備材料創(chuàng)新發(fā)展，突破光刻設備、刻蝕設備、薄膜設備、離子注入設備、濕法設備、檢測設備等集成電路前道核心工藝設備；提升12英寸硅片、高端掩膜板、光刻膠、濕化學品、電子特氣等基礎材料產(chǎn)能和技術(shù)水平，強化本地配套能力。
《規(guī)劃》還提出充分發(fā)揮張江實驗室、國家集成電路創(chuàng)新中心等“1+4”創(chuàng)新體系的引領作用，加強前瞻性、顛覆性技術(shù)研發(fā)和布局，聯(lián)合長三角開展產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)作。加快建設上海集成電路設計產(chǎn)業(yè)園、東方芯港、電子化學品專區(qū)等特色產(chǎn)業(yè)園區(qū)載體，引進建設一批重大項目。到2025年，基本建成具備自主發(fā)展能力、具有全球影響力的集成電路創(chuàng)新高地。
《上海市國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，重點發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)。具體計劃包括：
�。�1）增強集成電路產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新能力。努力打造完備產(chǎn)業(yè)生態(tài)，加快建設張江實驗室，加強前瞻性、顛覆性技術(shù)研發(fā)布局，構(gòu)建上海集成電路研發(fā)中心等為主要支撐的創(chuàng)新平臺體系。
�。�2）圍繞國家重大生產(chǎn)力布局，推動先進工藝、特色工藝產(chǎn)線等重大項目加快建設盡早達產(chǎn)，加快高端芯片設計、關鍵器件、核心裝備材料、EDA設計工具等產(chǎn)業(yè)鏈關鍵環(huán)節(jié)攻關突破，加強長三角產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)作，逐步形成綜合性集成電路產(chǎn)業(yè)集群，帶動全國集成電路產(chǎn)業(yè)加快發(fā)展。
（3）促進人工智能深度賦能實體經(jīng)濟，在智能芯片、智能軟件、智能駕駛、智能機器人等領域，持續(xù)落地一批重大產(chǎn)業(yè)項目。
�。�4）在第六代通信、下一代光子器件等方面，加強科技攻關與前瞻謀劃，為未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展奠定基礎。
�。�5）在上海自貿(mào)試驗區(qū)改革創(chuàng)新方面，要探索建立集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈保稅模式。
�。�6）培育壯大前沿產(chǎn)業(yè)集群和新興業(yè)態(tài)。聚焦集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)關鍵核心技術(shù)突破，建設國家級集成電路綜合產(chǎn)業(yè)基地。
浦東新區(qū)
2021年7月發(fā)布的《中共中央國務院關于支持浦東新區(qū)高水平改革開放打造社會主義現(xiàn)代化建設引領區(qū)的意見》提出，打造集成電路世界級創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)集群。
根據(jù)《意見》，浦東新區(qū)將實施集成電路強鏈育鏈補鏈提升工程，支持龍頭企業(yè)對標國際領先水平，發(fā)展先進制造工藝技術(shù)，瞄準面廣量大的全球市場需求，加快推進成熟工藝節(jié)點的產(chǎn)能建設，補齊產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈短板，加快構(gòu)建集設計、制造、封測、裝備材料為一體的產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)。
2021年8月26日，浦東新區(qū)發(fā)布的《浦東新區(qū)促進制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展“十四五”規(guī)劃》提出，著力提升電子元器件制造能級。聚焦集成電路制造，帶動半導體分立器件制造、顯示器件制造等電子器件制造，帶動電子電子制造、敏感元件信傳感器制造等電子元件及專用材料制造。
《規(guī)劃》提出，打造具有全球競爭力的全鏈條產(chǎn)業(yè)體系，聚焦張江集成電路設計產(chǎn)業(yè)園、東方芯港（臨港集成電路裝備和材料產(chǎn)業(yè)園）建設，培育引進一批骨干企業(yè)，著力攻克一批關鍵核心技術(shù)，應用推廣一批創(chuàng)新產(chǎn)品。
張江強化集成電路設計帶動引領功能，臨港強化集成電路裝備材料自主可控能力，外高橋提升集成電路封測先進水平。
做強集成電路覆蓋設計、制造、封測和設備材料等產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)；強化在集成電路領域的光刻機、離子刻蝕機等裝備的自主創(chuàng)新，聚焦關鍵領域核心環(huán)節(jié)，集聚靶點突破，運用科技創(chuàng)新實現(xiàn)技術(shù)和工藝突破，將產(chǎn)業(yè)鏈中一部分舉足輕重的基礎材料、基礎技術(shù)、核心零部件實現(xiàn)本土化、產(chǎn)業(yè)化。
臨港新片區(qū)
2021年3月3日，上海臨港新片區(qū)發(fā)布的《中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)專項規(guī)劃（2021-2025）》指出，到2025年，先進工藝、成熟工藝、特色工藝進入國際前列，EDA工具、光刻膠、大硅片等關鍵“卡脖子”技術(shù)產(chǎn)業(yè)化取得突破，2種以上關鍵裝備進入全球領先制造企業(yè)采購體系。引進培育5家以上國內(nèi)外領先的芯片制造企業(yè)；形成5家年收入超過20億元的設備材料企業(yè)；培育10家以上的上市企業(yè)，圍繞5G、CPU、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、無人駕駛等細分領域發(fā)展壯大一批獨角獸設計企業(yè)。芯片制造、裝備材料主導地位進一步加強，芯片設計、封裝測試形成規(guī)�；�。
2020年12月18日發(fā)布的《臨港新片區(qū)前沿產(chǎn)業(yè)發(fā)展“十四五”規(guī)劃》指出，到2025年，初步形成國家級集成電路綜合產(chǎn)業(yè)基地。打造“東方芯港”特色產(chǎn)業(yè)園區(qū)，形成具有國際影響力的核心產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)。
“東方芯港”將圍繞核心芯片、特色工藝、關鍵裝備和基礎材料等領域?qū)崿F(xiàn)關鍵核心技術(shù)攻關，建設國家級集成電路綜合性產(chǎn)業(yè)基地。
在產(chǎn)業(yè)空間分布上，“東方芯港”將按照“10+X”布局，在前沿產(chǎn)業(yè)區(qū)規(guī)劃10平方公里產(chǎn)業(yè)用地，作為新片區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)核心承載區(qū)；同時，規(guī)劃“X”處集聚發(fā)展區(qū)域，比如，將國際創(chuàng)新協(xié)同區(qū)作為新片區(qū)集成電路研發(fā)創(chuàng)新集聚區(qū)，布局高端芯片設計、功能性平臺、創(chuàng)新孵化器（加速器）等；將綜合保稅區(qū)作為新片區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)外向型發(fā)展的窗口，布局保稅研發(fā)、保稅制造、集成電路貿(mào)易流通、支持服務等。
張江科學城
2021年7月發(fā)布的《上海市張江科學城發(fā)展“十四五”規(guī)劃》指出，加快集成電路關鍵核心技術(shù)突破。引進培育一批世界一流集成電路設計企業(yè)，著力提升高端芯片設計能力。支持芯片制造企業(yè)推動先進制程工藝芯片規(guī)模量產(chǎn)，大力發(fā)展下一代集成電路生產(chǎn)工藝和產(chǎn)品。支持集成電路材料、設備企業(yè)加大研發(fā)力度，提升生產(chǎn)制造能力。加快人工智能融合賦能應用，支持基礎AI芯片研發(fā)，以類腦算法和類腦芯片為方向，加快感知識別、知識計算、認知推理、運動執(zhí)行、智能無人系統(tǒng)等共性關鍵核心技術(shù)創(chuàng)新突破。推動人工智能與其他產(chǎn)業(yè)融合發(fā)展。
《規(guī)劃》明確建設特色產(chǎn)業(yè)園，上海集成電路設計產(chǎn)業(yè)園，聯(lián)動集成電路裝備材料產(chǎn)業(yè)基地、中試產(chǎn)業(yè)區(qū)等平臺載體，打造國家級全產(chǎn)業(yè)鏈的集成電路集群。
2020年，張江示范區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售規(guī)模達到約1800億元。
天津市（簡稱：津，別稱：津沽）
2021年5月發(fā)布的《天津市產(chǎn)業(yè)鏈高質(zhì)量發(fā)展三年行動方案（2021—2023年）》提出，發(fā)揮集成電路設計領域優(yōu)勢，夯實集成電路制造、計算機零部件及外圍設備制造等領域基礎，重點推動新一代CPU、大規(guī)模集成電路晶圓生產(chǎn)線、先進封測生產(chǎn)線、化學機械拋光（CMP）設備、第三代半導體材料等項目建設，引進和研制圖形處理器、存儲器、第五代移動通信（5G）技術(shù)芯片、刻蝕機等高端項目和產(chǎn)品。到2023年，培育形成5至7家具有行業(yè)領先地位的龍頭企業(yè)，引育若干關鍵核心企業(yè)，實現(xiàn)關鍵裝備核心產(chǎn)品突破“卡脖子”，在國產(chǎn)CPU、移動通信、工業(yè)控制、信息安全等細分領域形成特色鮮明、優(yōu)勢突出的產(chǎn)業(yè)集群，培育良好產(chǎn)業(yè)生態(tài)，推動國產(chǎn)CPU、射頻芯片自給率市場份額逐年提高。強調(diào)加快建設世界最大的8英寸芯片生產(chǎn)基地；
2021年6月，天津市人民政府發(fā)布《天津市制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展“十四五”規(guī)劃》（津政辦發(fā)〔2021〕23號）。
《規(guī)劃》提出加快發(fā)展以人工智能產(chǎn)業(yè)為核心、以新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)為引領、以信創(chuàng)產(chǎn)業(yè)為主攻方向、以新型智能基礎設施為關鍵支撐、各領域深度融合發(fā)展的新興產(chǎn)業(yè)，加快建設“天津智港”。
《規(guī)劃》提到，要發(fā)展新一代信息技術(shù)材料。擴大8-12英寸硅單晶拋光片和外延片產(chǎn)能，加快6英寸半絕緣砷化鎵等研發(fā)生產(chǎn)。開發(fā)生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性、高功率光纖材料，提升光電功能晶體材料研究開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化水平。推動氟化氬光刻膠、正性光刻膠材料綠色發(fā)展，改進光刻膠用光引發(fā)劑等高分子助劑材料性能，提升拋光液材料環(huán)保性。
《規(guī)劃》強調(diào)要夯實產(chǎn)業(yè)基礎能力。實施產(chǎn)業(yè)基礎再造工程，著力推動核心基礎零部件（元器件）、工業(yè)基礎軟件、關鍵基礎材料、先進基礎工藝等領域研發(fā)創(chuàng)新、重點突破，強化產(chǎn)業(yè)技術(shù)基礎研究攻關，提升產(chǎn)品和技術(shù)競爭力，補齊產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈短板。支持企業(yè)通過“揭榜掛帥”等方式承擔重大攻關項目，加快解決共性基礎問題，增強自主保障能力。積極承接一批國家級重點產(chǎn)業(yè)基礎項目，引導產(chǎn)學研用聯(lián)合開展關鍵核心技術(shù)和共性技術(shù)攻關，加快實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化突破。重點推動唯捷創(chuàng)芯5G終端高集成度射頻模組、國芯可信計算系列系統(tǒng)級芯片（SOC）等核心基礎零部件項目，實施中環(huán)領先材料集成電路硅片、金橋焊材高端焊接材料等關鍵基礎材料項目，以及北特汽車輕量化鋁合金精密成型自動化制造等先進基礎工藝項目。
《天津市國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出：集成電路是天津發(fā)展信創(chuàng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展高地的重點發(fā)展產(chǎn)業(yè)。
（1）強化芯片設計、高端服務器制造等優(yōu)勢，補齊芯片制造、封測、傳感器、通信設備等薄弱或缺失環(huán)節(jié)，建成“芯片—整機終端”基礎硬件產(chǎn)業(yè)鏈，實現(xiàn)全鏈發(fā)展。著力夯實制造業(yè)根基。增強制造業(yè)核心競爭力。實施產(chǎn)業(yè)基礎再造工程，著力推動核心基礎零部件和元器件、關鍵基礎材料、先進基礎工藝、工業(yè)基礎軟件、產(chǎn)業(yè)技術(shù)基礎等領域研發(fā)創(chuàng)新、重點突破，全面提升工業(yè)基礎能力。
（2）提出要重點發(fā)展CPU、5G、物聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)等領域的處理器芯片設計，在系統(tǒng)級芯片（SoC）、圖形處理器（GPU）、可編程邏輯門陣列（FPGA）等領域突破一批關鍵技術(shù)。做強芯片用8-12英寸半導體硅片制造，布局12英寸晶圓生產(chǎn)線項目。
目前天津市形成了濱海新區(qū)以IC設計為主導，西青區(qū)主攻芯片制造、封裝測試，津南區(qū)聚焦高端設備、材料領域的分布格局。
重慶市（簡稱：渝，別稱：山城）
《重慶市半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展五年工作方案》提出，重慶將聚焦“功率半導體芯片、存儲芯片、模擬與數(shù)�；旌闲酒�、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)芯片”四大重點方向，瞄準柔性顯示、Micro-LED等前沿技術(shù)，補齊集成電路設計短板，持續(xù)做大晶圓制造規(guī)模，不斷提升封裝測試水平，鼓勵面板產(chǎn)線技術(shù)升級，全力做好金融服務支撐，注重相關專業(yè)人才培養(yǎng)，高質(zhì)量布局“2+N”半導體產(chǎn)業(yè)規(guī)劃。
2021年8月3日，重慶市人民政府發(fā)布《重慶市制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展“十四五”規(guī)劃（2021—2025年）》（渝府發(fā)〔2021〕18號）。
《規(guī)劃》提出要重點發(fā)展包括半導體在內(nèi)的新一代信息技術(shù)。
（1）依托重慶市電源管理芯片發(fā)展基礎，以IDM（整合元件制造）為路徑，加快后端功率器件發(fā)展，打造重慶市半導體產(chǎn)業(yè)核心競爭優(yōu)勢；
�。�2）發(fā)揮重慶市數(shù)模/模數(shù)混合集成電路技術(shù)優(yōu)勢，積極培育物聯(lián)網(wǎng)（工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)）芯片、激光器芯片、探測器芯片等專用芯片及相關器件；
�。�3）面向消費電子、汽車電子、5G（第五代移動通信）等領域現(xiàn)實需求，推進集成電路公共服務平臺建設，培育引進一批集成電路設計龍頭企業(yè)，探索設計成果本地化流片途徑，豐富重慶市集成電路產(chǎn)品種類；
�。�4）加強WLP（晶圓級封裝）、TSV（硅通孔）、FC（倒裝）、MCP（多芯片封裝）、3D（三維）等先進存儲封裝技術(shù)研發(fā)應用，滿足多樣化的封裝需求。加強寬禁帶半導體材料技術(shù)研發(fā)和在半導體產(chǎn)品中應用，搶占未來競爭高地。
（5）先進傳感器及智能儀器儀表：智能化CMOS（互補金屬氧化物半導體）圖像傳感器、溫度傳感器、濕度傳感器、壓力傳感器、慣性傳感器、重力感應傳感器、指紋識別傳感器、二維/三維視覺傳感器、力矩傳感器、碰撞傳感器等先進傳感器產(chǎn)品。
《重慶市國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，發(fā)展新一代信息技術(shù)，打造半導體優(yōu)勢產(chǎn)品譜系。
（1）功率器件，微機電系統(tǒng)（MEMS）傳感器，模擬/數(shù)�；旌闲酒�，存儲芯片，人工智能芯片，硅基光電芯片等半導體。
�。�2）有源矩陣有機發(fā)光二極管（AMOLED）、微型發(fā)光二極管（MicroLED）等面板及下游，激光顯示、激光電視，超高清視頻等新型顯示產(chǎn)品及內(nèi)容，智能可穿戴設備，智能家居，服務機器人，智能視覺終端等新型智能終端。
（3）高密度、柔性印制電路板，片式元器件，高端濾波器，天饋線等新型電子元器件。
（4）基礎軟件，工業(yè)軟件，平臺軟件，高端行業(yè)應用軟件，新興軟件，信息安全軟件等。
�。�5）緊盯軟件定義汽車、芯片制造汽車、數(shù)據(jù)開發(fā)汽車等新動向，重點發(fā)展車規(guī)級芯片。
（6）加快先進基礎材料開發(fā)，突破關鍵戰(zhàn)略材料技術(shù)。重點發(fā)展功能改性高分子材料等先進基礎材料、化合物半導體材料。
重慶集成電路產(chǎn)業(yè)將主要從以下方向發(fā)力：
�。�1）補齊集成電路設計短板。加快建設集成電路公共服務平臺，完善EDA工具、IP庫、檢測等公共服務功能。引進培育一批集成電路設計龍頭企業(yè)，打造集成電路設計產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)。
�。�2）做大晶圓制造規(guī)模。引進、合資合作建設一批大尺寸、窄線寬先進工藝晶圓制造重大項目，加快建設晶圓制造類重大項目。
�。�3）提升封裝測試發(fā)展水平。發(fā)展高密度、高可靠性先進封裝工藝，推進SK海力士、華潤封測等項目加快建設和產(chǎn)能爬坡，進一步壯大封裝測試產(chǎn)業(yè)規(guī)模。
�。�4）重點補強專用設備鏈條。以川渝聯(lián)合建設世界級電子信息和裝備制造產(chǎn)業(yè)集群為契機，重點發(fā)展設備產(chǎn)業(yè)。重點聚焦發(fā)展?jié)摿薮�、國產(chǎn)替代容易、技術(shù)門檻較低的特種檢測設備領域。
重慶高新區(qū)（西永微電園）
西永微電園從集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈出發(fā)，構(gòu)建從EDA平臺、共享IP庫、芯片設計、制造到封裝測試的集成電路全新產(chǎn)業(yè)鏈。目前占重慶市集成電路產(chǎn)值的70%以上。
安徽�。ê喎Q：皖）
2018年，安徽省發(fā)布《安徽省半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃（2018-2021年）》提出，構(gòu)建“一核一弧”的半導體產(chǎn)業(yè)空間分布格局。
1、核心布局。合肥市要發(fā)揮現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)基礎優(yōu)勢，以重大項目為引領，積極推進面板驅(qū)動芯片、家電核心芯片、汽車電子芯片模塊國產(chǎn)化，打造集成電路設計、制造、封裝測試、裝備和材料全產(chǎn)業(yè)鏈，完善產(chǎn)業(yè)配套，輻射帶動全省半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
2、弧形布局。蚌埠市要把握軍民融合大趨勢，拓展微機電系統(tǒng)（MEMS）等產(chǎn)品的研發(fā)與制造空間，推進在工業(yè)、汽車電子、通信電子、消費電子等領域的應用。滁州市要依托區(qū)位優(yōu)勢，重點發(fā)展半導體封裝測試產(chǎn)業(yè)和半導體材料產(chǎn)業(yè)。蕪湖市要以化合物半導體為突破口，積極推進在汽車、家電等領域的應用。銅陵市要利用引線框架、封裝測試設備的研發(fā)與制造基礎，探索發(fā)展高純金屬靶材、鍵合金屬絲（銅絲為主），積極創(chuàng)建半導體設備研發(fā)中心及國家半導體設備研發(fā)生產(chǎn)基地。池州市要持續(xù)推動半導體分立器件的制造、封裝測試等，實現(xiàn)產(chǎn)值突破，形成產(chǎn)業(yè)規(guī)模。省內(nèi)其他城市要結(jié)合產(chǎn)業(yè)基礎，支持配套產(chǎn)業(yè)發(fā)展，拓展應用領域，逐漸融入“一核一弧”半導體產(chǎn)業(yè)鏈條。
《安徽省國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和二〇三五年遠景目標綱要》指出，在集成電路方面，重點開展先進工藝芯片制造技術(shù)、新型集成電路芯片、光通信芯片和高端芯片設計技術(shù)、集成電路核心設備、新型MEMS器件、EDA軟件等研發(fā)，開展系統(tǒng)級封裝平臺建設。
《規(guī)劃綱要》提出戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)集群建設工程，做大做強長鑫、晶合等龍頭企業(yè)，迅速提升集成電路制造規(guī)模和能級，積極參與國家集成電路制造業(yè)創(chuàng)新中心等平臺建設，打造高效協(xié)同的集成電路產(chǎn)業(yè)集群。
合肥市
2020年發(fā)布的《合肥市數(shù)字經(jīng)濟發(fā)展規(guī)劃（2020-2025年）》提出，穩(wěn)步壯大集成電路產(chǎn)業(yè)。
1、全力推進長鑫芯片生產(chǎn)線建設。以顯示驅(qū)動、智能家電、汽車電子、功率集成電路、存儲器等芯片為切入點，通過應用牽引搭建產(chǎn)業(yè)合作平臺、公共服務平臺，瞄準先進工藝，積極聯(lián)合行業(yè)領軍企業(yè)建設高水平集成電路芯片生產(chǎn)線和先進封裝測試生產(chǎn)線。
2、積極培育芯片設計企業(yè)。招引培育優(yōu)秀芯片設計企業(yè)，發(fā)揮好集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金引導作用，助力芯片設計企業(yè)快速發(fā)展。依托芯片設計龍頭企業(yè)開展顯示驅(qū)動、汽車電子、數(shù)字家庭、移動互聯(lián)網(wǎng)、物聯(lián)網(wǎng)、云計算等領域的芯片設計和系統(tǒng)解決方案研究。
3、發(fā)展新型功率器件和分立器件。鼓勵發(fā)展基于氮化鎵的高溫大功率電子器件和高頻微波器件，基于砷化鎵的光電器件和微波器件等新型功率器件，鼓勵企業(yè)研發(fā)集成、邏輯、控制、檢測和保護電路的新型智能功率器件，發(fā)展面向工業(yè)和汽車的新型功率模塊相關產(chǎn)品。
4、提升材料和設備供給能力。引進具備條件的單位開展集成電路關鍵設備、材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，支持國產(chǎn)裝備、材料在集成電路生產(chǎn)線上的應用。
《合肥市國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標綱要》提出產(chǎn)業(yè)集群培育行動計劃。集成電路：聚焦芯片設計、芯片制造、封裝測試、設備和材料等領域，加大動態(tài)存儲、顯示驅(qū)動、GPU、MCU、DSP、FPGA、CMOS、可控硅、分立器件、化合物半導體、IP核、EDA等技術(shù)研發(fā)，重點加快長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地建設，推動晶合12英寸晶圓制造基地二期、沛頓集成電路先進封測和模組生產(chǎn)、第三代功率半導體產(chǎn)業(yè)園等項目建設，促進海峽兩岸（合肥）集成電路產(chǎn)業(yè)合作試驗區(qū)建設，打造中國IC之都。
合肥市將加快國產(chǎn)集成電路的技術(shù)創(chuàng)新步伐，進一步完善“合肥芯”“合肥產(chǎn)”“合肥用”全鏈條，全面提升國家集成電路戰(zhàn)新產(chǎn)業(yè)集群能級。目前，在產(chǎn)業(yè)布局上，合肥市已形成了經(jīng)開區(qū)、高新區(qū)、新站高新區(qū)三大集成電路產(chǎn)業(yè)基地，擁有集成電路企業(yè)近300家，聚集從業(yè)人員超過2萬人，初步完成了產(chǎn)業(yè)布局，成為國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展最快、成效最顯著的城市之一，被國家發(fā)改委、工信部列為集成電路產(chǎn)業(yè)全國重點發(fā)展城市，獲批了全國首個“海峽兩岸集成電路產(chǎn)業(yè)合作試驗區(qū)”和國家首批集成電路戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)集群。
池州市
《池州市國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，發(fā)展壯大半導體產(chǎn)業(yè)。堅持把半導體產(chǎn)業(yè)作為全市戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的首位產(chǎn)業(yè)，推動半導體產(chǎn)業(yè)向5G、IC設計、大數(shù)據(jù)和云計算、人工智能等融合領域延伸，提升省級半導體產(chǎn)業(yè)基地能級，打造全國有特色的分立器件產(chǎn)業(yè)基地和設計、封測產(chǎn)業(yè)基地。到2025年，引進培育20家以上集成電路設計企業(yè)、50家封裝測試企業(yè)、5家晶圓制造企業(yè)，以半導體為核心的新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值突破300億元。
《規(guī)劃綱要》提出“建芯”工程和“固器”工程。
“建芯”工程。按照“抓兩頭(設計、封裝測試)、促中間(制造)”的發(fā)展思路，壯大芯片設計，做強封裝測試，突破晶圓制造和材料。開展應用領域?qū)Ｓ眯酒约?G、傳感器、圖像處理、數(shù)字信號處理等高端芯片研發(fā)。大幅提升封裝測試水平，加快先進封裝和測試技術(shù)的開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。聚焦特色芯片制造，加強化合物半導體生產(chǎn)線的布局和建設。促進半導體清洗、修復等配套產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展。
“固器”工程。鞏固GPP分立器件優(yōu)勢，搶抓新型基礎設施建設契機，聚焦電源控制芯片市場，大力發(fā)展新一代半導體分立器件，加快發(fā)展關鍵電子材料。到2025年，打造2-3家產(chǎn)值超5億元的分立器件IDM(設計+制造+封裝)龍頭企業(yè)及20家配套企業(yè)，形成功率半導體器件-模塊-芯片的全鏈條設計生產(chǎn)能力。
《規(guī)劃綱要》提出半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展重點：
集成電路設計。重點開發(fā)以應用為導向的定制化芯片，大力發(fā)展面板顯示及觸控驅(qū)動芯片、汽車電子芯片、家電芯片、MEMS傳感器、高端電力電子功率器件等專用芯片設計，引導芯片設計企業(yè)與整機制造企業(yè)協(xié)同開發(fā)，推進產(chǎn)業(yè)化。
封裝測試。重點發(fā)展芯片級封裝（CSP）、晶圓級封裝（WLP）、系統(tǒng)級封裝業(yè)務(SIP)、三維封裝等新型封裝，以及邏輯芯片檢測、射頻芯片測試、存儲芯片測試、系統(tǒng)級測試、芯片可靠性測試等檢測重點領域。
晶圓制造。圍繞新能源汽車、5G通信等重點領域，布局GaAs、GaN、SiC等化合物晶圓生產(chǎn)線，滿足高功率、高頻率、高效率等特殊應用需求。
關鍵電子材料和專用配套設備。引入發(fā)展高精度電子銅箔，大力發(fā)展導電膜玻璃、引線框架、電子化學試劑、封裝自動化設備、自動分選機等關鍵電子材料和專用設備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目。
蕪湖市
《蕪湖市國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，微電子領域關鍵核心技術(shù)攻堅行動，包括：第三代半導體需要的高純度低缺陷碳化硅和氮化鎵外延片，超高頻、大功率高端器件研發(fā)。高頻率太赫茲設備、量子通信設備研發(fā)與應用示范等。5G新產(chǎn)品研發(fā)與應用示范。
蚌埠市
《蚌埠市國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，重點建設6吋GaAs微波集成電路制造線和4-6英寸SiC基GaN微波射頻電路制造線，發(fā)展集成電路用硅片。突破高速高精度數(shù)模轉(zhuǎn)換芯片技術(shù)，研發(fā)高速高精度通訊設備的測試儀器，發(fā)展微波集成電路設計與制造以及太赫茲測試技術(shù)、設備和成套解決方案，擴展太赫茲產(chǎn)品示范使用。
馬鞍山市
《馬鞍山市國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，圍繞半導體封裝測試領域完善產(chǎn)業(yè)鏈，著力建設鄭蒲港新區(qū)集成電路封裝測試及相關配套產(chǎn)業(yè)集群（基地），打造華東地區(qū)具有影響力的半導體封裝測試產(chǎn)業(yè)集群；并向IC設計、先進封測領域延伸產(chǎn)業(yè)鏈，打造長三角地區(qū)具有影響力的半導體產(chǎn)業(yè)集群。
福建�。ê喎Q：閩）
《福建省國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和二〇三五年遠景目標綱要》在制造業(yè)主導產(chǎn)業(yè)重大工程電子信息產(chǎn)業(yè)中提出，集成電路以第三代半導體、存儲器、專用芯片等制造為核心，帶動設計、封測產(chǎn)業(yè)鏈上下游進一步協(xié)同，材料設備等配套產(chǎn)業(yè)進一步突破，打造東南沿海重要的集成電路產(chǎn)業(yè)基地。
2021年7月6日，福建省人民政府發(fā)布《福建省“十四五”制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展專項規(guī)劃》（閩政〔2021〕12號）。
《規(guī)劃》明確做大做強電子信息和數(shù)字產(chǎn)業(yè)。突出“增芯強屏”延鏈補鏈發(fā)展，重點發(fā)展特色專用芯片、柔性顯示、LED、自主計算機整機制造及以5G為牽引的網(wǎng)絡通信等領域，深入實施數(shù)字經(jīng)濟創(chuàng)新發(fā)展工程，加快數(shù)字產(chǎn)業(yè)化進程，培育壯大大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)。
集成電路產(chǎn)業(yè)依托福州、廈門、泉州、莆田等重點區(qū)域，推進集成電路特色園區(qū)建設，加快形成“一帶雙核多園”的集聚發(fā)展格局。發(fā)揮聯(lián)芯、士蘭微、瑞芯微等重點企業(yè)作用，加快發(fā)展高端芯片，突破28納米以下先進制程工藝，推動MEMS傳感器生產(chǎn)線建成投產(chǎn)。推動三安化合物半導體、士蘭微化合物半導體等項目建設，提升高速芯片、高功率芯片、5G射頻芯片和5G功放芯片等制造工藝水平。研發(fā)并產(chǎn)業(yè)化內(nèi)存封裝、系統(tǒng)級封裝、晶圓級封裝等先進封測技術(shù)，提升通富、渠梁等企業(yè)的生產(chǎn)能力和技術(shù)水平。發(fā)展特色集成電路設計業(yè)，重點開展智能物聯(lián)等新一代信息技術(shù)應用芯片研發(fā)，推進集成電路企業(yè)和研發(fā)機構(gòu)移植使用國產(chǎn)軟件工具，引導芯片設計與應用結(jié)合，著力提升消費電子領域芯片設計競爭力。增強集成電路材料和裝備本地配套及服務能力，支持大尺寸硅片、光刻膠、高純化學試劑、電子氣體、化合物半導體材料、濺射靶材以及沉積設備、刻蝕設備、半導體檢測設備等研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。支持建設兩岸集成電路測試省級公共服務平臺，深化閩臺集成電路技術(shù)研發(fā)、人才培養(yǎng)等領域合作。
《規(guī)劃》中還指出了福建重點關鍵技術(shù)路徑突破工程，在這一工程里，特別提到了集成電路領域。集成電路領域，福建將豐富知識產(chǎn)權(quán)IP核和設計工具，完善HBT和0.25微米PHEMT工藝；推動12英寸ID內(nèi)存芯片生產(chǎn)與技術(shù)革新，推動先進制造和特色制造工藝發(fā)展，加速化合物半導體研發(fā)和應用，加強砷化鎵射頻芯片、氮化鎵/碳化硅高功率芯片制造；提升封裝測試產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平。
福州市
2021年6月29日發(fā)布的《福州市推進新型基礎設施建設行動方案（2020－2022年）》指出，促進新型基礎設施相關產(chǎn)業(yè)鏈集聚發(fā)展，支持5G、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等領域核心芯片、中高頻器件、智能傳感器的研發(fā)、產(chǎn)業(yè)化和集成應用，推動形成全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)。
廈門市
2016年《廈門市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃綱要》發(fā)布�！毒V要》提出，以集成電路產(chǎn)業(yè)支撐的信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)和相關產(chǎn)業(yè)規(guī)模超4500億元，成為我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重點集聚地區(qū)之一，形成具有國內(nèi)龍頭地位的化合物半導體研發(fā)、產(chǎn)業(yè)化基地，構(gòu)建較為完整的產(chǎn)業(yè)鏈，在部分領域占有國際半導體產(chǎn)業(yè)版圖中的一席之地。
2021年8月16日，廈門市工信局印發(fā)《廈門市“十四五”先進制造業(yè)發(fā)展專項規(guī)劃》�！秾ｍ椧�(guī)劃》提出，在生物醫(yī)藥與健康、集成電路、新材料等領域突破關鍵核心技術(shù)，培育形成一大批以國產(chǎn)替代、自主可控為核心的創(chuàng)新型企業(yè)，企業(yè)自主創(chuàng)新能力躋身全國前列。
半導體與集成電路方面：緊盯國家戰(zhàn)略方向及國內(nèi)外市場缺口，以強化區(qū)域協(xié)同為主線，以突破基礎核心領域為目標，強化關鍵共性技術(shù)供給、裝備研發(fā)，打造東南沿海集成電路產(chǎn)業(yè)核心區(qū)。一是促進產(chǎn)品往高端應用場景延伸。推動LED企業(yè)向智慧照明、健康照明、農(nóng)業(yè)照明及醫(yī)療照明等應用場景發(fā)展；推動芯片設計企業(yè)向高性能計算機、新型顯示等領域延伸；支持發(fā)展面向5G、云計算、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等新基建及智慧城市場景的電子元器件；鼓勵發(fā)展應用于新能源動力汽車、可穿戴智能裝備等未來熱點應用場景的集成電路產(chǎn)品。二是全力突破關鍵技術(shù)環(huán)節(jié)。重點發(fā)展半導體和集成電路制造所需的基礎材料及相關制備工藝。三是加快區(qū)域資源整合。依托廈門集成電路設計公共服務平臺、廈門大學國家集成電路產(chǎn)教融合創(chuàng)新平臺等科研平臺，建立健全產(chǎn)教融合、產(chǎn)學合作體系；深化廈臺合作，以重點項目為抓手，加強廈門兩岸集成電路自貿(mào)區(qū)產(chǎn)業(yè)基地建設，加快集成電路關鍵領域取得突破。
半導體與集成電路重點發(fā)展領域：
半導體：發(fā)展第三代化合物半導體，刻蝕機、離子注入機、多線切割機、自動封裝系統(tǒng)、全自動晶圓檢測機。
集成電路：發(fā)展云計算服務器芯片、新型平板顯示OLED、MICRO-LED芯片、新能源動力汽車芯片、5G電子元器件芯片、壓力傳感器、加速度傳感器、微電機陀螺儀、慣性你真棒一器、MEMS硅麥克風芯片，光刻機、刻蝕機、離子注入機、量測設備。
泉州市
2016年泉州發(fā)布《福建（泉州）半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃（2016-2025）》提出打造“泉州芯谷”。泉州芯谷主要涵蓋晉江集成電路產(chǎn)業(yè)園區(qū)（構(gòu)建集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈）、南安高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)（化合物半導體專業(yè)園區(qū)）、安溪湖頭光電產(chǎn)業(yè)園區(qū)（LED全產(chǎn)業(yè)基地），以存儲器制造和化合物半導體制造為支柱，吸引設計、封裝測試、制造設備、關鍵原材料等上下游產(chǎn)業(yè)鏈配套企業(yè)落戶泉州，推動全產(chǎn)業(yè)鏈集聚。
晉江市
2016年，晉江發(fā)布《晉江市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃綱要（2016-2025）》提出，晉江集成電路產(chǎn)業(yè)將形成以制造為主，封裝測試、設計為輔，裝備材料和應用終端為配套的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展格局。
莆田市
《莆田市國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和二O三五年遠景目標綱要》提出，發(fā)展集成電路行業(yè)，重點延伸發(fā)展氮化鎵、碳化硅等集成電路特色工藝，推動8英寸硅基芯片制造和封測項目建設，加快濾波器、射頻芯片、圖像傳感器芯片、嵌入式CPU內(nèi)核、3D圖像模塊等產(chǎn)業(yè)化進程，發(fā)展集成電路裝備、設計、封裝和測試等產(chǎn)業(yè)鏈。推動莆臺合作半導體產(chǎn)業(yè)項目建設，打造兩岸集成電路產(chǎn)業(yè)合作示范區(qū)。
甘肅�。ê喎Q：甘，隴）
《甘肅省國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，提升新型功率器件和集成電路封測能力，延伸發(fā)展配套產(chǎn)品，打造西部集成電路封測產(chǎn)業(yè)基地。加快智能終端產(chǎn)品、電子材料與元器件、電器制造業(yè)發(fā)展，培育形西部重要的電子信息產(chǎn)業(yè)集群。
《規(guī)劃綱要》提出，重點發(fā)展的新興產(chǎn)業(yè)，發(fā)展以氮化鎵為代表的第三代半導體材料制造，依托甘肅省有機半導體材料及應用技術(shù)工程中心，推動新型半導體材料與器件關鍵技術(shù)研發(fā)和成果轉(zhuǎn)化。
天水市
《天水市國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，圍繞“強龍頭、補鏈條、聚集群”，堅持“因企施策、一企一策”，以培育優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)、骨干企業(yè)、品牌產(chǎn)品為重點，加速新一代信息技術(shù)與制造業(yè)深度融合，發(fā)展先進適用技術(shù)，實現(xiàn)延鏈補鏈強鏈，推動電子信息等傳統(tǒng)優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)做大做強。
《規(guī)劃綱要》提出，依托華天、華洋、六九一三、天光、慶華電子等企業(yè)，引進上下游配套產(chǎn)業(yè)鏈，打造電子信息產(chǎn)業(yè)基地，重點發(fā)展集成電路芯片設計制造、高端引線框架、新一代半導體材料、高端封裝測試、敏感元器件系列產(chǎn)品，打造總產(chǎn)值超過200億元的電子信息產(chǎn)業(yè)集群。
廣東�。ê喎Q：粵）
2021年7月30日，廣東省人民政府發(fā)布《廣東省制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展“十四五”規(guī)劃》（粵府〔2021〕53號）�！兑�(guī)劃》提出，打造我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展第三極，建成具有國際影響力的半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)。其中集成電路設計業(yè)業(yè)務收入超2000億元，設計行業(yè)的骨干企業(yè)研發(fā)投入強度超過20%，全行業(yè)研發(fā)投入強度超過5%，集成電路制造業(yè)業(yè)務收入超1000億元，建成較大規(guī)模特色工藝制程生產(chǎn)線，先進封測比例顯著提升。
《規(guī)劃》提出要重點發(fā)展新一代信息技術(shù)。著力突破核心電子元器件、高端通用芯片，提升高端電子元器件的制造工藝技術(shù)水平和可靠性，布局關鍵核心電子材料和電子信息制造裝備研制項目，支持發(fā)展晶圓制造裝備、芯片/件封裝裝備3C自動化、智能化產(chǎn)線裝備等。以廣州、深圳、珠海為核心,打造涵蓋設計、制造、封測等環(huán)節(jié)的半導體及集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈。支持廣州開展“芯火”雙創(chuàng)基地建設,建設制造業(yè)創(chuàng)新中心。支持深圳、汕頭、梅州、肇慶、潮州建設新型電子元器件產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)，推進粵港澳大灣區(qū)集成電路公共技術(shù)研究中心建設。推動粵東粵西粵北地區(qū)主動承接珠三角地區(qū)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，發(fā)展半導體元器件配套產(chǎn)業(yè)。
《規(guī)劃》提出要軟件與信息服務。要重點突破CAD（計算機輔助設計）、CAM（計算機輔助制造）、CAE（計算機輔助工程）、EDA（電子設計自動化）等工業(yè)軟件。
《規(guī)劃》對集成電路等十大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)進行前瞻性布局。
有關半導體及集成電路的整體布局：推進集成電路EDA底層工具軟件國產(chǎn)化，支持開展EDA云上架構(gòu)、應用AI技術(shù)、TCAD、封裝EDA工具等研發(fā)。擴大集成電路設計優(yōu)勢，突破邊緣計算芯片、儲存芯片、處理器等高端通用芯片設計，支持射頻、傳感器、基帶、交換、光通信、顯示驅(qū)動、RISC-V等專用芯片開發(fā)設計，前瞻布局化合物半導體、毫米波芯片、太赫茲芯片等專用芯片設計。布局建設較大規(guī)模特色工藝制程和先進工藝制程生產(chǎn)線，重點推進模擬及數(shù)�；旌闲酒a(chǎn)制造，加快FD-SOI核心技術(shù)攻關,支持氮化鎵、碳化硅等化合物半導體器件和模塊的研發(fā)制造。支持先進封裝測試技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，重點突破氟聚酰亞胺、光刻膠等關鍵原材料以及高性能電子電路基材、高端電子元器件,發(fā)展光刻機、缺陷檢測設備、激光加工設備等整機設備以及精密陶瓷零部件、射頻電源等設備關鍵零部件研制。
《規(guī)劃》提出廣東有關半導體及集成電路的空間布局：
1、芯片設計及底層工具軟件。以廣州、深圳、珠海、江門等市為核心,建設具有全球競爭力的芯片設計和軟件開發(fā)聚集區(qū)。廣州重點發(fā)展智能傳感器、射頻濾波器、第三代半導體,建設綜合性集成電路產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)。深圳集中突破CPU/GPU/FPGA等高端通用芯片設計、人工智能專用芯片設計、高端電源管理芯片設計。珠海聚焦辦公打印、電網(wǎng)、工業(yè)等行業(yè)安全領域提升芯片設計技術(shù)水平。江門重點推進工業(yè)數(shù)字光場芯片、硅基液晶芯片、光電耦合器芯片等研發(fā)制造。
2、芯片制造。依托廣州、深圳、珠海做大做強特色工藝制造，廣州以硅基特色工藝晶圓代工線為核心，布局建設12英寸集成電路制造生產(chǎn)線；深圳定位28納米及以下先進制造工藝和射頻、功率、傳感器、顯示驅(qū)動等高端特色工藝，推動現(xiàn)有生產(chǎn)線產(chǎn)能和技術(shù)水平提升。
珠海重點建設第三代半導體生產(chǎn)線,推動8英寸硅基氮化鎵晶圓線及電子元器件等擴產(chǎn)建設。佛山依托季華實驗室推動建設12英寸全國產(chǎn)半導體裝備芯片試驗驗證生產(chǎn)線。
3、芯片封裝測試。以廣州、深圳、東莞為依托，做大做強半導體與集成電路封裝測試。廣州發(fā)展器件級、晶圓級MEMS封裝和系統(tǒng)級測試技術(shù)，鼓勵封裝測試企業(yè)向產(chǎn)業(yè)鏈的設計環(huán)節(jié)延伸。深圳集中優(yōu)勢力量,增強封測、設備和材料環(huán)節(jié)配套能力。東莞重點發(fā)展先進封測平臺及工藝。
4、化合物半導體。依托廣州、深圳、珠海、東莞、江門等市大力發(fā)展氮化鎵、碳化硅、氧化鋅、氧化鎵、氮化鋁、金剛石等第三代半導體材料制造，支持氮化鎵、碳化硅、砷化鎵、磷化銦等化合物半導體器件和模塊的研發(fā)制造，培育壯大化合物半導體IDM企業(yè)，支持建設射頻、傳感器、電力電子等器件生產(chǎn)線，推動化合物半導體產(chǎn)品的推廣應用。
5、材料與關鍵元器件。依托廣州、深圳、珠海、東莞等市加快氟聚酰亞胺、光刻膠、高純度化學試劑、電子氣體、碳基、高密度封裝基板等材料研發(fā)生產(chǎn)，大力支持納米級陶瓷粉體、微波陶瓷粉體、功能性金屬粉體、賤金屬漿料等元器件關鍵材料的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。依托廣州、深圳、汕頭、佛山、梅州、肇慶、潮州、東莞、河源、清遠等市大力建設新型電子元器件產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)，推動電子元器件企業(yè)與整機廠聯(lián)合開展核心技術(shù)攻關，建設高端片式電容器、電感器、電阻器等元器件以及高端印制電路板生產(chǎn)線，提升國產(chǎn)化水平。
6、特種裝備及零部件配套。依托珠三角地區(qū),加快半導體集成電路裝備生產(chǎn)制造。支持深圳加大集成電路用的刻蝕設備、離子注入設備、沉積設備、檢測設備以及可靠性和魯棒性校驗平臺等高端設備研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。支持廣州發(fā)展涂布機、電漿蝕刻、熱加工、晶片沉積、清洗系統(tǒng)、劃片機、芯片互連縫合機、芯片先進封裝線、上芯機等裝備制造業(yè)。支持佛山、惠州、東莞、中山、江門、汕尾、肇慶、河源等市依據(jù)各自產(chǎn)業(yè)基礎，積極培育特種裝備及零部件領域龍頭企業(yè)及“隱形冠軍”企業(yè)，形成與廣深珠聯(lián)動發(fā)展格局。
廣州市
2020年9月，廣州市工業(yè)和信息化局印發(fā)了《廣州市加快發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的若干措施》提出爭取納入國家集成電路重大生產(chǎn)力布局規(guī)劃，建設國內(nèi)先進的晶圓生產(chǎn)線，引進一批、培育一批、壯大一批集成電路設計、封裝、測試、分析以及深耕智能傳感器系統(tǒng)方案的企業(yè)，爭取打造出千億級的集成電路產(chǎn)業(yè)集群，建成全國集成電路產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)、人才匯聚地、創(chuàng)新示范區(qū)。
《廣州市國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，做精做深細分產(chǎn)業(yè)鏈，以特色配套新型顯示電路生產(chǎn)制造為契機，積極布局集成電路研發(fā)設計與封裝測試環(huán)節(jié)，吸引集成電路設計、制造與封裝企業(yè)來增城發(fā)展。推動產(chǎn)業(yè)協(xié)同，以硬件制造為切入點，高起點規(guī)劃建設信創(chuàng)產(chǎn)業(yè)園，推進CPU芯片、服務器、數(shù)據(jù)庫、終端安全產(chǎn)品等企業(yè)集聚，大力引導應用軟件及配套產(chǎn)業(yè)集聚。力爭到2025年，新一代信息技術(shù)產(chǎn)值（營收）規(guī)模超1000億元。
深圳市
2019年5月15日發(fā)布的《深圳市進一步推動集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動計劃（2019－2023年）》指出，深圳將建成具有國際競爭力的集成電路產(chǎn)業(yè)集群。設計業(yè)銷售收入突破1600億元，制造業(yè)及相關環(huán)節(jié)銷售收入達到400億元。引進和培育10家銷售收入20億元以上的骨干企業(yè)。
《深圳市國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，建設世界級新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展高地。強化集成電路設計能力，優(yōu)化提升芯片制造生產(chǎn)線，加快推進中芯國際12英寸晶圓代工生產(chǎn)線建設，積極布局先進制程集成電路制造項目，增強封測、設備和材料環(huán)節(jié)配套能力，前瞻布局化合物半導體產(chǎn)業(yè)，高水平建設若干專業(yè)集成電路產(chǎn)業(yè)園區(qū)。
《規(guī)劃綱要》列示集成電路攻關重點領域：重點圍繞芯片架構(gòu)等開展技術(shù)攻關，發(fā)展絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、微機電系統(tǒng)（MEMS）等特色工藝，發(fā)展碳化硅等化合物半導體。
珠海市
2020年10月，珠海市發(fā)布的《珠海市大力支持集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的意見》提出，初步建成高端引領、協(xié)同發(fā)展、特色突出的具有國際競爭力的集成電路產(chǎn)業(yè)集群。
�。�1）壯大芯片設計產(chǎn)業(yè)規(guī)模。加強政策扶持與引導，支持珠海芯片設計規(guī)上企業(yè)加大研發(fā)投入，積極對接國家科技計劃和重大項目，形成一批標志性自主創(chuàng)新成果。
（2）提升高端芯片設計水平。加強芯片設計能力塑造提升，在嵌入式SoC、高性能數(shù)�；旌霞呻娐贰⑿滦惋@示專用芯片、智能計算芯片、新型存儲器、工業(yè)金融電力等重點行業(yè)應用的SoC芯片、通信芯片、安全芯片等重點產(chǎn)品和技術(shù)上，形成差異化特色優(yōu)勢，骨干企業(yè)設計水平實現(xiàn)引領全球創(chuàng)新。
�。�3）引進培育設計龍頭企業(yè)。加大對集成電路設計企業(yè)的招商引資力度，引進和培育一批具有自主知識產(chǎn)權(quán)、具有行業(yè)影響力的集成電路設計龍頭企業(yè)，支持EDA工具研發(fā)企業(yè)、IP設計及服務企業(yè)到珠海落戶，帶動珠海集成電路設計向高端發(fā)展。
�。�4）重點建設12寸中試研發(fā)線、IC產(chǎn)業(yè)云服務平臺、快速封裝測試分析平臺、集成電路設計服務中心、集成電路IP共享中心和工程服務中心，為集成電路企業(yè)提供中試研發(fā)、EDA、IP、設計、多項目晶圓（MPW）等領域的公共服務，提升珠海集成電路產(chǎn)業(yè)深度技術(shù)支撐能力。
（5）大力支持和引進IDM企業(yè)。探索發(fā)展虛擬IDM、共享IDM等新模式。推動珠�，F(xiàn)有領軍企業(yè)建設特色工藝生產(chǎn)線和中試研發(fā)線，確保市場潛力大、產(chǎn)業(yè)基礎好、且涉及國家安全的關鍵特色工藝領域快速發(fā)展。
�。�6）通過建設EDA布局布線創(chuàng)新平臺、先進半導體IP和定制量產(chǎn)平臺，強化與各大foundry廠的合作。支持8英寸硅基氮化鎵外延與芯片大規(guī)模量產(chǎn)生產(chǎn)線增資擴產(chǎn)，迅速形成規(guī)模生產(chǎn)能力，打破阻礙珠海集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸。
�。�7）加快提升封測等環(huán)節(jié)配套能力。積極對接國際國內(nèi)封測技術(shù)領先企業(yè)，積極引進系統(tǒng)級封裝、三維封裝、面板級以及晶圓級封裝等先進封裝技術(shù)和團隊在珠海產(chǎn)業(yè)化，逐步滿足本地市場廣泛需求。加大對本地第三方代工測試企業(yè)扶持和培育力度，做大做強集成電路企業(yè)自有封裝廠，引導本地企業(yè)通過業(yè)務并購、增資擴產(chǎn)等方式實現(xiàn)快速擴張。
（8）加快關鍵裝備和材料配套產(chǎn)業(yè)發(fā)展。加強集成電路關鍵設備、零部件及材料企業(yè)和創(chuàng)新團隊的引資引智工作。大力引進包括刻蝕、清洗、離子注入、CMP、ATE等關鍵環(huán)節(jié)裝備領域的龍頭企業(yè)。面向硅晶圓、光刻膠、拋光液、濺射靶材、金屬絲線、清洗液、中高端電子化學品等專用原材料領域培育和引進國內(nèi)外龍頭企業(yè)。發(fā)展非硅基材料、化合物半導體材料等新興領域，發(fā)展高端封裝基板、通信天線等高附加值的泛電子泛半導體產(chǎn)業(yè)，逐步完善珠海集成電路產(chǎn)業(yè)鏈布局。
珠海高新區(qū)
《珠海高新區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃(2020-2025年)》中指出，珠海高新區(qū)力爭到2025年形成一個兩百億級產(chǎn)業(yè)集群(芯片設計)、一個百億集群(化合物半導體)，建成在珠三角乃至全國范圍內(nèi)都有較強影響力的集成電路產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)。
《發(fā)展規(guī)劃》提出三個方向，一是做大做強芯片設計，立足本地設計企業(yè)集聚、周邊終端企業(yè)眾多的基礎，重點發(fā)揮優(yōu)勢，形成特色；二是做精化合物半導體，重點聚焦氮化鎵、磷化銦、碳化硅等新材料、新器件、新工藝；三是做好產(chǎn)業(yè)鏈式延展，重點對接國內(nèi)封裝測試和模組制造領域龍頭企業(yè)，招引有建封裝測試工廠需求的集成電路設計企業(yè)到高新區(qū)建廠。
廣西壯族自治區(qū)（簡稱：桂）
《廣西壯族自治區(qū)國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，培育壯大新一代信息技術(shù)；超前布局第三代半導體、人工智能等未來產(chǎn)業(yè)。
2021年6月3日，《廣西集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃（2021-2025年）》通過評審。
貴州�。ê喎Q：貴，黔）
《貴州省國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，加快培育智能制造裝備產(chǎn)業(yè)，培育發(fā)展芯片、減速機、傳感器等核心零部件及控制系統(tǒng)制造業(yè)；加快創(chuàng)新技術(shù)服務平臺建設，加快人工智能技術(shù)研發(fā)創(chuàng)新平臺、智能語音開放創(chuàng)新平臺、自動駕駛和智能機器人研發(fā)平臺等建設，推進深度學習框架、智能芯片產(chǎn)品研發(fā)和應用，建設人工智能實驗室；加快發(fā)展大數(shù)據(jù)電子信息產(chǎn)業(yè)，加快發(fā)展智能終端、集成電路、新型電子元件與電子材料等高端電子信息制造業(yè)。
海南�。ê喎Q：瓊）
無內(nèi)容
河北�。ê喎Q：冀）
《河北省國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，打好關鍵核心技術(shù)攻堅戰(zhàn)，瞄準新一代人工智能、量子信息、集成電路、生命健康、航空航天等前沿領域，實施一批發(fā)展急需的重大科技項目，積極參與國家戰(zhàn)略性科學計劃和科學工程；構(gòu)筑現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)體系新支柱，推進基礎材料、關鍵芯片、高端元器件、生物識別等核心技術(shù)攻關，大力發(fā)展整機、終端產(chǎn)品，促進大數(shù)據(jù)、云計算、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、區(qū)塊鏈等技術(shù)集成創(chuàng)新和融合應用，做大做強行業(yè)領軍企業(yè)，重點建設廊坊新型顯示、石家莊光電與導航、辛集智能傳感器等產(chǎn)業(yè)基地，形成具有全國影響力的優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)集群。
2020年4月19日，河北省人民政府發(fā)布了《河北省數(shù)字經(jīng)濟發(fā)展規(guī)劃（2020-2025年）》。《規(guī)劃》提出，培育壯大半導體器件產(chǎn)業(yè)。大力發(fā)展第三代半導體材料及器件，支持碳化硅、氮化鎵單晶及外延研發(fā)產(chǎn)業(yè)化，推進高端傳感器、光機電集成微系統(tǒng)（MEMS）、光通信器件等產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，壯大功率器件及微波集成電路產(chǎn)業(yè)。推動第三代北斗導航高精度芯片、太赫茲芯片、衛(wèi)星移動通信射頻終端芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。支持太赫茲高功率可控發(fā)射器、關鍵元器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，建設太赫茲產(chǎn)業(yè)基地。
《規(guī)劃》提出，推進科技成果產(chǎn)業(yè)化。利用創(chuàng)新成果轉(zhuǎn)化體制機制，激活中電科13所、54所、中船重工718所創(chuàng)新資源，推進第三代半導體材料、微電子機械系統(tǒng)（MEMS）、數(shù)字集群無線通信系統(tǒng)、衛(wèi)星應用通信系統(tǒng)、先進復合材料、特種電子氣體、制氫裝備等重大科技成果產(chǎn)業(yè)化。
石家莊市
2021年4月23日，石家莊發(fā)布《關于新時期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的實施意見》的通知。《實施意見》提出，培育集成電路上市企業(yè)3家以上，并形成以集成電路專用材料、集成電路設計、集成電路加工制作、集成電路封裝測試為核心的較為完備的產(chǎn)業(yè)鏈。
培育集成電路基礎材料優(yōu)勢提升工程：擴大氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）、碳化硅（SiC）晶圓加工能力，提升4英寸/6英寸碳化硅外延、8-12英寸硅外延材料品質(zhì)，加快6英寸碳化硅外延、氮化鎵外延、12英寸硅外延以及高性能陶瓷封裝材料量產(chǎn)化進程。
培育專用集成電路設計與制造發(fā)展工程：提升微波集成電路、射頻集成電路、超大規(guī)模SoC芯片、微機電系統(tǒng)（MEMS）器件、光電模塊、第三代北斗導航高精度芯片、射頻識別（RFID）芯片等設計水平，推進芯片設計與制造一體化發(fā)展；實施5G通信基站用射頻前端套片及模塊重點項目，建設特色集成電路生產(chǎn)線，推動射頻前端芯片、濾波器芯片等實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。支持開展功率半導體器件與功率集成芯片產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。
河南�。ê喎Q：豫）
《河南省國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，推進數(shù)字產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，推動智能傳感器、射頻卡、嵌入式芯片、傳感網(wǎng)絡設備等物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品升級和體系拓展，做優(yōu)車聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療物聯(lián)網(wǎng)、家居物聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)，協(xié)同發(fā)展云服務與邊緣計算服務，構(gòu)建物聯(lián)網(wǎng)全產(chǎn)業(yè)鏈。
黑龍江�。ê喎Q：黑）
《黑龍江省國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，建設好一批質(zhì)量高、拉動能力強的重大項目，其中包括萬鑫石墨谷、第三代半導體材料碳化硅襯底材料及生產(chǎn)裝備等項目。
湖北�。ê喎Q：鄂）
2019年湖北發(fā)布《關于推進全省十大重點產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的意見》。湖北省將依托國家存儲器基地，重點發(fā)展存儲芯片、光通信芯片和衛(wèi)星導航芯片，努力形成以芯片設計為引領、芯片制造為核心、封裝測試與材料為配套的較為完整的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈。
《湖北省國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，集中力量和資源推進國家存儲器基地建設，加快實現(xiàn)技術(shù)趕超和規(guī)模提升，建成全國先進存儲“產(chǎn)業(yè)航母”。加快發(fā)展物聯(lián)網(wǎng)芯片、北斗芯片等，補齊封裝測試短板，完善產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新體系和發(fā)展生態(tài)，打造全球知名的集成電路產(chǎn)業(yè)基地；打好關鍵核心技術(shù)攻堅戰(zhàn)，探索形成社會主義市場經(jīng)濟條件下新型舉國體制湖北路徑。實施關鍵核心技術(shù)攻關工程，圍繞三維存儲芯片、硅光芯片、新型顯示材料、高端醫(yī)學影像設備等重點領域，加強產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同，推動“臨門一腳”關鍵技術(shù)產(chǎn)業(yè)化，實現(xiàn)率先突破；打造具有國際競爭力的產(chǎn)業(yè)集群，推進集成電路、新型顯示器件、下一代信息網(wǎng)絡、生物醫(yī)藥等國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)集群建設，著力培育具有國際競爭力的萬億級光電子信息、大健康產(chǎn)業(yè)集群。構(gòu)建“光芯屏端網(wǎng)”縱向鏈合、橫向協(xié)同的發(fā)展機制，突出“光”特色，做強“芯”核心，做大“屏”規(guī)模，強化“端”帶動，優(yōu)化“網(wǎng)”生態(tài)，發(fā)揮重大項目支撐引領作用，推動建立以武漢為核心，沿江城市分工協(xié)作的產(chǎn)業(yè)布局。
2021年7月，湖北發(fā)布《中共湖北省委、湖北省人民政府關于新時代推動湖北高質(zhì)量發(fā)展加快建成中部地區(qū)崛起重要戰(zhàn)略支點的實施意見》�！秾嵤┮庖姟诽岢觯瑘猿謶�(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)引領，實施戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)倍增計劃，著力打造以“光芯屏端網(wǎng)”為重點的新一代信息技術(shù)和；培育壯大集成電路、光通信及激光、新型顯示、智能終端、信息網(wǎng)絡、軟件及信息服務、人工智能、電子信息材料、生物醫(yī)藥及醫(yī)療器械、數(shù)字創(chuàng)意等10個千億級特色產(chǎn)業(yè)集群。
武漢市
2019年，武漢發(fā)布《武漢市人民政府關于推進重點產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的意見》�！兑庖姟诽岢�，武漢將依托國家存儲器基地，重點發(fā)展存儲芯片、光通信芯片和衛(wèi)星導航芯片，形成以芯片設計為引領、芯片制造為核心、封裝測試為配套的較為完整的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈。
《武漢市國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標綱要》提出，圍繞國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展領域和方向，集中力量發(fā)展集成電路、新型顯示器件、下一代信息網(wǎng)絡、生物醫(yī)藥四大國家級戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)集群。發(fā)展“光芯屏端網(wǎng)”新一代信息技術(shù)。聚焦光電子、硅光及第三代化合物半導體芯片、5G通信與人機交互、虛擬現(xiàn)實、智能終端、信息網(wǎng)絡等，打造“光芯屏端網(wǎng)”萬億產(chǎn)業(yè)集群。到2025年，“光芯屏端網(wǎng)”產(chǎn)值5000億元。
湖南�。ê喎Q：湘）
2020年2月，湖南省發(fā)布的《湖南省數(shù)字經(jīng)濟發(fā)展規(guī)劃（2020-2025年）》提出，形成以設計業(yè)為龍頭、特色制造業(yè)為核心、裝備及材料等配套產(chǎn)業(yè)為支撐的發(fā)展格局，成為全國功率器件中心、第三代半導體重要基地、集成電路設計和裝備特色集聚區(qū)。
發(fā)展壯大電子信息制造業(yè)。搶抓信息技術(shù)應用創(chuàng)新發(fā)展重大機遇，放大特色優(yōu)勢，強化核心基礎零部件（元器件）、先進基礎工藝、關鍵基礎材料和產(chǎn)業(yè)技術(shù)基礎發(fā)展能力，加快打造成為享有盛譽的國家級產(chǎn)業(yè)集群。面向高端設計、特色工藝制造、先進封測、關鍵設備和材料等領域，推進集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。建設國家功率半導體制造業(yè)創(chuàng)新中心等創(chuàng)新平臺，推動關鍵共性技術(shù)突破。
著力突破關鍵核心技術(shù)。圍繞集成電路等行業(yè)，重點突破寬禁帶半導體、CPU、GPU、DSP、SSD等技術(shù)，發(fā)展面向通用芯片、專用芯片等領域的高端定制設計、研發(fā)、生產(chǎn)服務能力。
集成電路產(chǎn)業(yè)成長工程：提升集成電路設計業(yè)，力爭在CPU、GPU、DSP、SSD、4K/8K、5G等高端芯片產(chǎn)業(yè)化上實現(xiàn)突破。壯大集成電路關鍵設備，發(fā)展離子注入機等集成電路裝備，研發(fā)光刻機、刻蝕機等關鍵設備技術(shù)，提升集成電路國產(chǎn)化裝備和成套建設能力和水平。布局新一代半導體產(chǎn)業(yè)，推動IGBT、第三代半導體等重大項目，構(gòu)建完善產(chǎn)品鏈，促進氮化鎵和碳化硅器件制造技術(shù)開發(fā)，發(fā)展器件級、晶圓級封裝和系統(tǒng)級測試技術(shù)，提升工藝技術(shù)水平，加快實現(xiàn)規(guī)�；a(chǎn)能力。推進功率半導體器件創(chuàng)新中心等創(chuàng)新平臺建設，探索行業(yè)共性關鍵技術(shù)聯(lián)合攻關和產(chǎn)業(yè)化路徑。
《湖南省國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，推進半導體關鍵核心成套設備研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，加快6英寸碳化硅材料及芯片、中低壓功率半導體等產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，建成全國最大碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)基地，創(chuàng)建國家級半導體裝備制造區(qū)域中心。
株洲市
《株洲市國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，大力發(fā)展大功率半導體器件產(chǎn)業(yè)鏈。重點發(fā)展硅基IGBT為主要特征的第三代半導體，推動IGBT器件在風電、太陽能發(fā)電、工業(yè)傳動、通用高壓變頻器、電力市場等領域的應用。
《規(guī)劃綱要》提出，關鍵核心技術(shù)攻關清單，IGBT大功率器件領域：重點突破硅基IGBT技術(shù)瓶頸，重點發(fā)展8英寸汽車級IGBT變頻控制技術(shù)，推進SiC、GaN等寬禁帶為主要特征的第三代半導體的研發(fā)；發(fā)展芯片制造設備、檢驗監(jiān)測設備等關鍵設備，發(fā)展低壓IGBT芯片、新能源車用IGBT模塊等，發(fā)展精細溝槽柵IGBT和寬禁帶SiC半導體芯片和器件，重點發(fā)展8英寸汽車級IGBT電控系統(tǒng)基礎器件；發(fā)展芯片單晶硅材料、基板材料等基礎材料。
吉林�。ê喎Q：吉）
《吉林省國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，建設集成光電子學國家重點實驗室：主要研究高速及特殊應用光電子集成器件、硅基光子學及光子器件集成、光電器件物理及微納集成新工藝、微納光電子與光電集成芯片、光電集成新材料和新器件等領域。
《規(guī)劃綱要》提出，前沿領域科技攻關項目：極紫外光刻光學關鍵技術(shù)研究項目（研究極小像差反射式光學設計協(xié)同設計、精密光機結(jié)構(gòu)、深亞納米光學加工與檢測以及極紫外多層膜技術(shù)，開展六鏡極紫外光刻物鏡研發(fā)與驗證項目中元件面形檢測研究）和高功率高光束質(zhì)量激光芯片創(chuàng)新研究項目（完善高功率半導體激光器的材料－器件－系統(tǒng)－應用的全技術(shù)研究鏈條，突破高功率偏振穩(wěn)定VCSEL芯片和高功率、小體積、高光束質(zhì)量中紅外激光技術(shù)等技術(shù)）。
江蘇�。ê喎Q：蘇）
《江蘇省國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，全面增強芯片、關鍵材料、核心部件、工業(yè)軟件等中間品創(chuàng)新能力，帶動內(nèi)循環(huán)加快升級。聚焦重點產(chǎn)業(yè)集群和標志性產(chǎn)業(yè)鏈，瞄準高端裝備制造、集成電路、生物醫(yī)藥、人工智能、移動通信、航空航天、軟件、新材料、新能源等重點領域，組織實施關鍵核心技術(shù)攻關工程，力爭形成一批具有自主知識產(chǎn)權(quán)的原創(chuàng)性標志性技術(shù)成果，加快改變關鍵核心技術(shù)受制于人的被動局面。
南京市
2020年4月，南京市發(fā)布的《南京市數(shù)字經(jīng)濟發(fā)展三年行動計劃（2020—2022年）》指出，重點攻關第三代半導體材料、功率半導體以及國產(chǎn)EDA工具，高水平建設國家集成電路設計服務產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心，重點發(fā)展面向工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、人工智能、5G、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)等領域高端芯片設計、晶圓制造、專用前沿材料及設備。
2019年發(fā)布的《南京市打造集成電路產(chǎn)業(yè)地標行動計劃》提出，力爭到2020年，南京全市擁有銷售收入超100億元的集成電路生產(chǎn)類龍頭企業(yè)1-2家，產(chǎn)業(yè)人才整體規(guī)模達3萬人以上，集成電路設計、制造、封測等關鍵環(huán)節(jié)核心技術(shù)達到國內(nèi)領先水平，初步建成國內(nèi)著名的千億級集成電路產(chǎn)業(yè)基地。到2025年，集成電路產(chǎn)業(yè)綜合銷售收入力爭達1500億元，進入國內(nèi)第一方陣，實現(xiàn)“全省第一、全國第三、全球有影響力”的產(chǎn)業(yè)地標。
南京江北新區(qū)
《南京江北新區(qū)“十四五”發(fā)展規(guī)劃》提出，打造集成電路產(chǎn)業(yè)集群。
1、突破“卡脖子”關鍵核心技術(shù)。大力發(fā)展安全可控的高端芯片設計，支持創(chuàng)建國家集成電路設計服務產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心和國家集成電路設計自動化技術(shù)創(chuàng)新中心，高水平建設中國EDA（電子設計自動化）創(chuàng)新中心，加速國產(chǎn)EDA工具和知識產(chǎn)權(quán)核商業(yè)化進程。深耕智能汽車芯片、物聯(lián)網(wǎng)芯片、人工智能芯片、信息通訊芯片、光電芯片等重點領域，圍繞先進晶圓制造及封測、前沿材料研制、高端設備制造等關鍵環(huán)節(jié)，加快突破三維堆疊封裝、晶圓級封裝、第三代半導體材料、功率半導體等核心技術(shù)。
2、構(gòu)建具有根植性的產(chǎn)業(yè)生態(tài)網(wǎng)絡。大力培育產(chǎn)業(yè)鏈“鏈主”企業(yè)，招引具有核心競爭力的骨干企業(yè)，打造具有地標特色的集成電路產(chǎn)業(yè)集群。強化集成電路設計、軟件開發(fā)、系統(tǒng)集成、內(nèi)容與服務協(xié)同創(chuàng)新，打造涵蓋芯片、軟件、整機、系統(tǒng)、信息服務的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。突出“應用牽引”“芯機聯(lián)動”，拓展集成電路創(chuàng)新產(chǎn)品市場化應用，構(gòu)筑整機帶動芯片技術(shù)進步、芯片支撐整機競爭力提升的生態(tài)閉環(huán)。放大產(chǎn)業(yè)帶動效應，加大人工智能、新一代通信、汽車半導體、智能制造、衛(wèi)星導航等領域?qū)Ｓ眉呻娐烽_發(fā)力度，吸引帶動上下游企業(yè)落戶。
3、打造全鏈條式產(chǎn)業(yè)服務體系。深化南京集成電路產(chǎn)業(yè)服務中心建設，加快人才資源、開放創(chuàng)新、公共技術(shù)、產(chǎn)業(yè)促進等特色服務平臺功能升級，完善EDA工具、測試與驗證、多項目晶圓、材料和器件分析、知識產(chǎn)權(quán)核庫等專業(yè)化公共服務平臺體系，打造全國集成電路公共服務平臺標桿。深化南京集成電路培訓基地建設，完善產(chǎn)學融合、學學協(xié)同、學科交叉的集成電路產(chǎn)業(yè)人才培養(yǎng)機制。持續(xù)辦好世界半導體大會、集成電路系列賽事等重大行業(yè)活動，推動重大活動品牌化、市場化、平臺化發(fā)展。引導國內(nèi)頂尖的專業(yè)咨詢和研究機構(gòu)在新區(qū)開展專業(yè)化服務。進一步完善集成電路產(chǎn)業(yè)支持政策體系。
江寧開發(fā)區(qū)
江寧開發(fā)區(qū)正加快打造以第三代半導體為發(fā)展特色、以高端設計為未來發(fā)展方向的集成電路產(chǎn)業(yè)。
第三代半導體領域以龍頭企業(yè)中國電子科技集團第五十五研究所為引領，主要從事射頻電子、功率電子兩大板塊產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)；高端設計領域集聚了臺積電設計服務中心、鉅泉光電總部及MCU研發(fā)中心、航天龍夢總部及國產(chǎn)芯片研發(fā)中心等重點項目；在重點科研平臺方面擁有毫米波及射頻電子國家重點實驗室、寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室、砷化鎵微波毫米波單片集成電路和多芯片模塊國家級重點實驗室等。
無錫市
2020年2月無錫發(fā)布《關于加快推進數(shù)字經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展的實施意見》指出要鞏固數(shù)字經(jīng)濟關鍵優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)。提升集成電路產(chǎn)業(yè)能級。推動物聯(lián)網(wǎng)、智能網(wǎng)聯(lián)汽車、5G通信、高端功率器件等領域的芯片研發(fā)，做大做強設計主業(yè)，支持晶圓制造的擴產(chǎn)與技術(shù)改造，支持封裝測試業(yè)優(yōu)勢企業(yè)整合增效、技術(shù)升級。
《無錫市國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，提升集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展水平，優(yōu)化無錫國家“芯火”雙創(chuàng)基地等載體平臺，推動一批產(chǎn)業(yè)鏈重大項目建設，形成以新吳區(qū)制造設計、濱湖區(qū)設計、江陰市封裝測試、宜興市材料、錫山區(qū)裝備等集成電路產(chǎn)業(yè)鏈分工協(xié)作體系。高標準建設江蘇集成電路應用技術(shù)創(chuàng)新中心，著重開展設計、加工、制造、封裝、測試分析、新材料開發(fā)等關鍵共性技術(shù)聯(lián)合攻關，打造微納加工與測試表征實驗室。重點突破高端通用芯片和專用芯片、基礎軟件和工業(yè)軟件、控制系統(tǒng)、核心材料等領域的“卡脖子”問題，積極開展6G技術(shù)預研，前瞻性部署石墨烯、區(qū)塊鏈、量子技術(shù)、深海極地、星際網(wǎng)絡、北斗、氫能及氫能源汽車、化合物半導體等未來前沿技術(shù)研發(fā)，支持企事業(yè)單位先行示范應用。
無錫高新區(qū)
《無錫高新區(qū)（新吳區(qū)）現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)“十四五”發(fā)展規(guī)劃》指出，集成電路產(chǎn)業(yè)，無錫高新區(qū)將著眼提升集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展水平，重點發(fā)展高端芯片設計、集成電路核心設備及關鍵零部件，支持發(fā)展芯片制造和封測業(yè)，高水平推進國家集成電路特色工藝及封裝測試創(chuàng)新中心、無錫國家“芯火”雙創(chuàng)基地等重大平臺建設，加快打造世界級集成電路產(chǎn)業(yè)集群。
《發(fā)展規(guī)劃》指出，第三代半導體產(chǎn)業(yè)，無錫高新區(qū)將以市場應用為牽引，面向以氮化鎵、碳化硅等為代表的第三代半導體材料應用領域，貫穿產(chǎn)業(yè)研究、標準檢測、新產(chǎn)品開發(fā)、晶圓生產(chǎn)、封裝應用、襯底材料技術(shù)、裝備制造等全產(chǎn)業(yè)鏈，促進技術(shù)研發(fā)應用，2025年產(chǎn)業(yè)規(guī)模突破50億元。
江陰市
《江陰市國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，攻關集成電路產(chǎn)業(yè)集群。依托江陰集成電路設計創(chuàng)新中心，持續(xù)深化與中科院微電子研究所合作，強化集成電路設計、軟件開發(fā)、封裝測試、系統(tǒng)集成的協(xié)同創(chuàng)新，加快核心芯片的設計、開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。依托長電科技、長電先進、星科金朋等龍頭企業(yè)，打造全球領先的高端封裝測試基地。聚焦先進材料和終端產(chǎn)品，縱深挖掘市場前景好、應用范圍廣的光刻膠、感光油墨等特色細分領域，全面融入長三角集成電路產(chǎn)業(yè)鏈條。
宜興市
《江陰市省國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，大力發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)。推進錫宜集成電路產(chǎn)業(yè)協(xié)同，聚焦集成電路材料和裝備，主攻集成電路硅片、電子氣體、光刻膠及配套試劑、先進封裝材料等領域，引進上下游配套企業(yè)，打造無錫集成電路產(chǎn)業(yè)重要基地。
2018年宜興市發(fā)布《集成電路材料產(chǎn)業(yè)規(guī)劃》，預計到2025年，宜興市集成電路材料產(chǎn)業(yè)將形成300億規(guī)模相關產(chǎn)業(yè)。
宜興市集成電路材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展將以集成電路硅片、化學機械拋光配套材料、高純化學試劑、電子氣體、光刻膠及配套試劑、掩膜版、化合物半導體材料及器件、先進封裝材料為主。
蘇州市
《蘇州市國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，打造半導體和集成電路產(chǎn)業(yè)鏈。發(fā)展集成電路設計、特色集成電路制造，高端集成電路封測，關鍵設備和材料。
《規(guī)劃綱要》提出，發(fā)展車用芯片、安全芯片、網(wǎng)絡芯片、高端數(shù)模芯片、硅光芯片等集成電路設計、化合物半導體、MEMS智能傳感。
2021年1月，蘇州發(fā)布的《蘇州市推進數(shù)字經(jīng)濟和數(shù)字化發(fā)展三年行動計劃（2021—2023年）》提出，集成電路產(chǎn)業(yè)要聚焦集成電路制造業(yè)，著力布局GaN、GaAs、MEMS等特色工藝制造產(chǎn)線，穩(wěn)固封測領域領先優(yōu)勢，加快芯片設計和產(chǎn)業(yè)化，做優(yōu)集成電路配套，補齊產(chǎn)業(yè)發(fā)展短板。針對5G產(chǎn)業(yè)，要圍繞芯片、射頻器件、光器件和光通信設備等優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)發(fā)力，培育龍頭企業(yè)，基本建立各細分領域相對完整的產(chǎn)業(yè)鏈集群。
昆山市
2017年發(fā)布的《昆山市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃(2017-2021)》提出昆山要打造國內(nèi)封裝測試產(chǎn)業(yè)重鎮(zhèn)、面向應用的集成電路設計產(chǎn)業(yè)新高地、長三角地區(qū)半導體設備研發(fā)中心，并建立二手半導體設備交易集散地，
目前昆山已初步形成了“設計-制造-封裝測試-材料及配套設備”的完整半導體產(chǎn)業(yè)鏈。
徐州市
《徐州市國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，做特集成電路與ICT產(chǎn)業(yè)集群。主攻集成電路材料裝備、第三代半導
體材料器件、先進封測等領域，形成“材料-裝備-設計-制造-封測”產(chǎn)業(yè)鏈，建設徐州經(jīng)開區(qū)、邳州經(jīng)開區(qū)半導體材料與裝備基地，打造全球領先的半導體大硅片制造基地和國內(nèi)集成電路材料、裝備產(chǎn)業(yè)高地。
常州市
常州市的儲存電路布局主要位于武進區(qū)。
武進區(qū)
2021年2月發(fā)布的《武進區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈躍升發(fā)展實施方案（2021-2023）》提出，堅持以推動集成電路產(chǎn)業(yè)鏈躍升發(fā)展為主題，以化合物半導體為主要切入口，大力建設集研發(fā)、設計、制造、應用全流程的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈，圍繞建鏈、補鏈、強鏈，加大龍頭企業(yè)培育和重大項目招引力度，著力打造“濱湖高地武進芯谷”。加強產(chǎn)業(yè)頂層設計，聚焦砷化鎵等第二代化合物半導體以及碳化硅、氮化鎵等第三代化合物半導體細分產(chǎn)業(yè)發(fā)展，優(yōu)化產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境，構(gòu)建良好產(chǎn)業(yè)生態(tài)，加強基礎設施配套，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)良性有序發(fā)展，力爭用較短的時間搭建產(chǎn)業(yè)鏈框架，培育形成在全省乃至全國具有競爭力的化合物半導體特色優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)鏈。建立完善產(chǎn)業(yè)配套。打造集設計、制造、封裝于一體的地區(qū)產(chǎn)業(yè)鏈IDM模式，支持集成電路產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同發(fā)力，鼓勵集成電路產(chǎn)業(yè)和地區(qū)主導優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)協(xié)同合作，實現(xiàn)本地化配套和本地化應用，形成多產(chǎn)業(yè)鏈相互促進的全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展態(tài)勢，實現(xiàn)超常規(guī)的跨越式發(fā)展模式。
江西省（簡稱：贛）
《江西省國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，加快推動數(shù)字產(chǎn)業(yè)化。作為數(shù)字產(chǎn)業(yè)化的核心，集成電路產(chǎn)業(yè)要立足前端材料、后端市場等基礎，以移動智能終端、可穿戴設備、半導體照明等應用芯片研發(fā)設計為切入點，做實產(chǎn)用對接，培育設計、制造、封裝、應用產(chǎn)業(yè)鏈，打造全國具有影響力的集成電路產(chǎn)業(yè)集群。
《推規(guī)劃綱要》提出“集成電路產(chǎn)業(yè)培育工程”，以南昌、吉安、贛州等地為重點，加快打造集成電路產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)。加大集成電路研發(fā)投入，精準引進集成電路先進工藝生產(chǎn)線及行業(yè)龍頭企業(yè)，提升本地芯片設計、封測等能力。
南昌市
南昌縣（小藍經(jīng)開區(qū)）
2021年3月，南昌縣（小藍經(jīng)開區(qū)）發(fā)布的《半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展三年行動計劃（2021-2023）》提出，將以封裝測試快速切入、以化合物半導體形成突破、以器件模組生產(chǎn)帶動增長、以設備、材料、設計作為補充。力爭到2023年，南昌縣（小藍經(jīng)開區(qū)）落戶半導體企業(yè)達50家（其中上市公司5家），形成“封測業(yè)支撐、制造業(yè)提升、設計業(yè)補充、材料裝備等配套產(chǎn)業(yè)基本健全”的完整半導體產(chǎn)業(yè)鏈，形成初具規(guī)模的產(chǎn)業(yè)集聚。
贛州市
2020年10月，的《關于新時代支持贛南等原中央蘇區(qū)新一輪產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干措施》提出，做大做強電子信息產(chǎn)業(yè)，在京九（江西）電子信息產(chǎn)業(yè)帶建設規(guī)劃框架下，支持發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)，培育引進特種芯片和半導體材料等企業(yè)。
近年來，贛州市大力發(fā)展電子信息產(chǎn)業(yè)，著力建設對接融入粵港澳大灣區(qū)重要的電子信息產(chǎn)業(yè)集聚地，聚焦新型電子材料、新型顯示、芯片設計和封裝測試、汽車電子產(chǎn)業(yè)鏈條，加速延鏈補鏈強鏈。
遼寧省（簡稱：遼）
《遼寧省國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，做大做強集成電路產(chǎn)業(yè)。推動集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展，加快沈陽集成電路裝備高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化基地、大連集成電路設計產(chǎn)業(yè)基地、朝陽半導體新材料研發(fā)生產(chǎn)基地、盤錦光電產(chǎn)業(yè)基地、錦州電子信息產(chǎn)業(yè)園等建設。做強集成電路裝備及關鍵零部件等優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)，提高集成電路特色材料配套能力。圍繞嵌入式CPU、工業(yè)自動化、汽車電子等領域，強化集成電路設計、軟件開發(fā)、系統(tǒng)集成、內(nèi)容與服務協(xié)同創(chuàng)新。
沈陽市
《沈陽市國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，強做優(yōu)制造業(yè)，推進IC裝備零部件產(chǎn)業(yè)基地、半導體薄膜設備產(chǎn)業(yè)化基地建設，建成國內(nèi)領先的IC整機設備產(chǎn)業(yè)化基地和全球集成電路裝備零部件及系統(tǒng)配套集聚地。
支持IC裝備企業(yè)研發(fā)填補國內(nèi)空白的產(chǎn)品，發(fā)展以涂膠顯影、薄膜沉積設備為核心的IC整機裝備。突破IC裝備關鍵技術(shù)工藝，推動集成電路核心零部件表面處理效能提升,加快科技成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化，加快推動真空干泵等一批重大研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目建設。發(fā)揮IC裝備產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟優(yōu)勢，廣泛吸引上游零部件企業(yè)和研發(fā)機構(gòu)落戶。
開展集成電路控制系統(tǒng)、涂膠顯影設備、3DNAND和DRAM存儲器薄膜沉積設備等技術(shù)攻關。研制28nm集成電路前道單片式清洗設備和大行程連桿型真空機械手產(chǎn)品，突破苛刻工藝用DP系列真空干泵等關鍵技術(shù)和工藝，完善和發(fā)展“控制系統(tǒng)+重要整機裝備+關鍵單元部件+先進材料”的IC產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新鏈。
關鍵核心技術(shù)：3D先進存儲薄膜堆疊層關鍵技術(shù)、ALDHigh-k、MetalGate等沉積工藝、集成電路10nm以下制程PE-ALD關鍵技術(shù)及設備研制、集成電路前道高產(chǎn)能深紫外光刻工藝勻膠顯影設備關鍵技術(shù)、65nm光刻工藝勻膠顯影設備研制、苛刻工藝用真空干泵關鍵技術(shù)攻關及產(chǎn)業(yè)化。
