在本次展會上，賽晶科技帶來了自主技術IGBT芯片及模塊，以及層疊母排、數(shù)字式IGBT驅動、固態(tài)開關、阻抗測量等產品。其中，作為賽晶科技本次展出的重點，i20+D20芯片組，以及ED-Type、EV-Type等IGBT系列產品吸引了行業(yè)的關注。
據(jù)賽晶科技介紹，命名為i20的IGBT芯片，采用精細溝槽、窄臺面、優(yōu)化N型增強層、短溝道、3D結構、優(yōu)化P+、優(yōu)化的激光退火緩沖區(qū)和陽極，以及超薄的N-基底等一系列行業(yè)前沿設計，帶來了高達250A的卓越性能。
i20晶圓
此外，賽晶科技首款IGBT模塊產品，ED-Type模塊，采用了可以提高均流性能近2倍的直線布局，極大的改善了可靠性和穩(wěn)定性。同時結合優(yōu)異的制造工藝和嚴選的原材料，帶來了超低的損耗性能和國際一流水平的性能和可靠性。
EV-Type、ED-Type模塊
還有EV-Type模塊，賽晶科技于今年6月正式推出，主要面向電動汽車及新能源等領域。該模塊采用了行業(yè)前沿的單面冷卻設計，實現(xiàn)了極高的電流密度、較低過沖電壓、極低的導通壓降。EV-Type模塊還有利于最大程度發(fā)揮碳化硅芯片的性能優(yōu)勢。
在IGBT的研發(fā)上，賽晶科技擁有獨特的優(yōu)勢。賽晶科技組建了來自國際領軍企業(yè)的技術專家團隊，擁有IGBT領域前沿的設計理念、一流的技術水平、深厚的工藝經(jīng)驗。因此，賽晶科技的i20芯片、ED-Type和EV-Type模塊等IGBT產品，其各項性能達到和超過國內外同業(yè)水平。
賽晶科技的IGBT產品覆蓋600V到1700V電壓等級，主要面向電動汽車、新能源電力和工業(yè)電控這三大市場。今年6月份，賽晶科技的首條IGBT生產線正式竣工，并進入了試產階段。這是賽晶在IGBT賽道上的一個重要里程碑，意味著賽晶正離國際領先功率半導體企業(yè)又近一步。國內的廣大用戶對于國產器件和賽晶IGBT產品表現(xiàn)出極高的期待。
分離式Hipak/StakPakIGBT門級驅動單元（電壓源）
從發(fā)展戰(zhàn)略來看，賽晶科技與中國雙碳目標是不謀而合的，賽晶的三大業(yè)務方向：一是輸配電，即為高壓、特高壓直流輸電等提供核心器件；二是提供電氣化交通的功率半導及配套器件和前沿性電力電子技術解決方案，包括鐵路、汽車、船舶、飛機的電氣化等；三是為工業(yè)領域的電力自動化和控制、變頻節(jié)能等需求提供功率半導及配套器件和前沿性電力電子技術解決方案。賽晶科技所做的一切，都有利于促進能源的高效、靈活、綠色發(fā)展，有利于降低碳排和“雙碳目標”的實現(xiàn)。
中國作為全球最大的IGBT市場，在“雙碳”目標下，未來擁有更大的前景。雖然目前國際廠商仍在中國IGBT市場中占據(jù)支配地位，但在中美國貿易多變的形勢下，國產器件進入了一個良好的發(fā)展進階段，賽晶擁有國際一流的技術團隊和實力，致力于打造國產精品，成為中國IGBT的亮麗名片。
