近日，安森美發(fā)布公告宣布，公司已完成對(duì)碳化硅（SiC）生產(chǎn)商GT Advanced Technologies（＂GTAT＂）的收購(gòu)。此次收購(gòu)將增強(qiáng)安森美確保和增加SiC供應(yīng)的能力。
今年8月，安森美宣布以4.12億美元（約合人民幣26.87億元）現(xiàn)金收購(gòu)GTAT，交易預(yù)計(jì)明年上半年完成。而僅僅兩個(gè)多月后，公司宣布完成收購(gòu)。
據(jù)悉，安森美計(jì)劃投資擴(kuò)大GTAT的生產(chǎn)設(shè)施，支持研發(fā)工作，以推進(jìn)150毫米和200毫米SiC晶體生長(zhǎng)技術(shù)，同時(shí)還投資于更廣泛的SiC供應(yīng)鏈，包括晶圓廠產(chǎn)能和封裝。
瞄準(zhǔn)電動(dòng)車(chē)領(lǐng)域，發(fā)展碳化硅！
安森美半導(dǎo)體在碳化硅領(lǐng)域的側(cè)重點(diǎn)有四：電動(dòng)汽車(chē)及混動(dòng)汽車(chē)、充電樁、5G電源和開(kāi)關(guān)電源（SMPS）和太陽(yáng)能逆變器，其中以電動(dòng)汽車(chē)為最。安森美表示，汽車(chē)領(lǐng)域?qū)?huì)成為碳化硅最大的市場(chǎng)之一。
業(yè)內(nèi)公認(rèn)，新能源汽車(chē)將是第三代半導(dǎo)體SiC/GaN的核心戰(zhàn)略市場(chǎng)。
當(dāng)前，市面上在售新能源汽車(chē)所搭載功率半導(dǎo)體多數(shù)為Si基器件，如Si IGBT和Si MOSFET。隨著技術(shù)和產(chǎn)品的成熟，SiC器件將逐步替代大部分Si基產(chǎn)品，大大提高汽車(chē)?yán)m(xù)航里程并優(yōu)化整車(chē)架構(gòu)。
另外，各國(guó)利好政策推動(dòng)了電動(dòng)汽車(chē)的大幅增長(zhǎng)，而電動(dòng)汽車(chē)對(duì)于高壓、高頻率和高效率器件的需求也推動(dòng)了碳化硅市場(chǎng)的大幅增長(zhǎng)。
事實(shí)上，此次安森美對(duì)GTAT的收購(gòu)，也表現(xiàn)了其對(duì)電動(dòng)車(chē)領(lǐng)域發(fā)展的看好。
