TrendForce集邦咨詢以明年各季度的供過于求比例（以下稱：sufficiency ratio）作為預(yù)測(cè)基礎(chǔ)，預(yù)期DRAM平均銷售單價(jià)將年減15%，而價(jià)格下滑幅度在上半年較為明顯；下半年起將受惠于DDR5的滲透率提升與旺季需求效應(yīng)帶動(dòng)，均價(jià)跌幅將收斂，不排除有持平或漲價(jià)的可能性。

高層數(shù)產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)者眾，NAND Flash明年產(chǎn)值再增7.4%

NAND Flash方面， 2022年供給位元年增長(zhǎng)率約31.8%；而需求位元年成長(zhǎng)幅度為30.8%，故明年NAND Flash價(jià)格也將受供過于求影響而有所下滑。此外，由于NAND Flash屬完全競(jìng)爭(zhēng)市場(chǎng)，均價(jià)下滑的幅度較DRAM更加明顯，然NAND Flash在層數(shù)結(jié)構(gòu)的堆棧持續(xù)推進(jìn)，故在供給位元成長(zhǎng)仍維持在30%以上的情況下，預(yù)估2022年NAND Flash總產(chǎn)值仍有成長(zhǎng)空間，達(dá)741.9億美元、年增7.4%。

同樣以明年各季度的sufficiency ratio作為預(yù)測(cè)基礎(chǔ)，推估2022年平均銷售單價(jià)將年減18.0%，而價(jià)格下滑幅度也是在上半年度較為明顯，下半年起將受惠于旺季需求效應(yīng)帶動(dòng)，均價(jià)跌幅較為收斂，或有單季價(jià)格持平的可能性。

整體而言，DRAM與NAND Flash歷年的總產(chǎn)值變化，由于兩者競(jìng)爭(zhēng)型態(tài)的不同，DRAM基本上在產(chǎn)能擴(kuò)張上較有規(guī)律，故長(zhǎng)期均價(jià)的波動(dòng)性較小，同時(shí)20nm以下制程微縮已經(jīng)逐漸達(dá)到物理極限，使得年度位元成長(zhǎng)增幅有限；而NAND Flash在產(chǎn)能擴(kuò)張的規(guī)劃則較不穩(wěn)定，再加上產(chǎn)品的層數(shù)仍能持續(xù)提升，故長(zhǎng)期均價(jià)的波動(dòng)性較大，進(jìn)而呈現(xiàn)DRAM產(chǎn)值成長(zhǎng)幅度不及NAND Flash的態(tài)勢(shì)，但獲利表現(xiàn)方面則反之。

資本支出持續(xù)拉高，產(chǎn)值若無(wú)法跟進(jìn)成長(zhǎng)，恐壓抑廠商獲利能力

從資本支出來(lái)看，DRAM方面，近年來(lái)其整體資本支出對(duì)營(yíng)收占比（以下稱：CAPEX to sales ratio）逐漸升高有兩大原因，首先，由于DRAM的制程微縮已經(jīng)逐漸面臨物理極限，在20nm制程以后，除了美光（Micron）1α nm仍造就有近30%的單晶圓位元成長(zhǎng)外，其他從1Xnm轉(zhuǎn)至1Ynm、或者1Ynm轉(zhuǎn)至1Znm制程，成長(zhǎng)已經(jīng)收斂至15%以內(nèi)。2022年三星（Samsung）與SK海力士（SK hynix）的最先進(jìn)制程將正式導(dǎo)入關(guān)鍵機(jī)臺(tái)EUV，而該機(jī)臺(tái)的生產(chǎn)交期長(zhǎng)且造價(jià)高昂，使得三大原廠紛紛提前提撥大筆的資本支出，以因應(yīng)EUV的前置訂單。

其次，由于DRAM已形成寡占市場(chǎng)型態(tài)，即便偶爾出現(xiàn)均價(jià)下跌周期，也因?yàn)楣��?yīng)商的生產(chǎn)秩序形成，銷售均價(jià)難以跌破總生產(chǎn)成本（fully loaded cost），故DRAM原廠能夠逐漸累積來(lái)自該產(chǎn)品的生產(chǎn)獲利。由于制程轉(zhuǎn)進(jìn)不易，除三大原廠以外，市占較小的南亞科（Nanya Tech）、華邦（Winbond）等廠商皆有實(shí)際擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，成為DRAM 市場(chǎng)CAPEX to sales ratio持續(xù)升高的另一大原因。

NAND Flash方面，其CAPEX to sales ratio自2017年轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND技術(shù)以來(lái)即有顯著提升，該年之前平均達(dá)25~30%，目前提升到平均近40%。主因是隨著3D堆棧層數(shù)的上升，除了拉長(zhǎng)產(chǎn)品生產(chǎn)所需時(shí)間，對(duì)于蝕刻難度、精準(zhǔn)度的要求也一并提升，主流層數(shù)正朝向1YY層世代邁進(jìn)，供應(yīng)商同時(shí)開始研發(fā)2XX層產(chǎn)品技術(shù)，對(duì)于單次蝕刻深度的要求不斷增加，顯示出該產(chǎn)業(yè)所需的資本支出總額隨著層數(shù)提升、產(chǎn)值增加而持續(xù)成長(zhǎng)。

TrendForce集邦咨詢表示，由于NAND Flash堆棧層數(shù)的技術(shù)推進(jìn)，未來(lái)供應(yīng)商仍將持續(xù)追求推進(jìn)更高層數(shù)，以降低每GB的生產(chǎn)成本。因此，預(yù)期該產(chǎn)業(yè)的資本支出仍有增長(zhǎng)空間，且CAPEX to sales ratio將維持在接近40%或以上。值得注意的是，若未來(lái)數(shù)年產(chǎn)值無(wú)法跟進(jìn)支出的成長(zhǎng)速度，恐將造成CAPEX to sales ratio過度上升，進(jìn)而壓抑供應(yīng)商獲利能力。