據(jù)阿里巴巴達(dá)摩院預(yù)測(cè),2021年以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體將迎來應(yīng)用的大爆發(fā)。據(jù)公開資料顯示,2020年氮化鎵的市場(chǎng)主要應(yīng)用于光電、射頻、電力電子領(lǐng)域。其中,光電領(lǐng)域占氮化鎵市場(chǎng)的68%,市場(chǎng)規(guī)模約224.7億元。射頻和電力電子領(lǐng)域分別占據(jù)氮化鎵市場(chǎng)的20%和10%。氮化鎵的能量轉(zhuǎn)換效率,遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了硅基器件的性能,依目前的市場(chǎng)占比來看,氮化鎵在電力電子領(lǐng)域市場(chǎng)滲透率較低,發(fā)展空間巨大,尤其是在大功率電源適配器、無線充電等領(lǐng)域。得益于新能源汽車的高速發(fā)展,氮化鎵應(yīng)用領(lǐng)域也逐漸向車載充電器、汽車逆變器、激光雷達(dá)延伸。
氮化鎵在汽車領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)、現(xiàn)狀
安世半導(dǎo)體車規(guī)級(jí)650V氮化鎵功率器件

650V GaN FET白皮書 圖源:安世半導(dǎo)體

HTRB期間內(nèi)的導(dǎo)通電阻測(cè)量 圖源:安世半導(dǎo)體

1000小時(shí)的效率測(cè)試結(jié)果 圖源:安世半導(dǎo)體
納微半導(dǎo)體汽車市場(chǎng)布局









