近日，《北京市“十四五”時(shí)期國(guó)際科技創(chuàng)新中心建設(shè)規(guī)劃》印發(fā)。《規(guī)劃》提出，聚焦動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)關(guān)鍵技術(shù)需求，開展先進(jìn)DRAM及新型存儲(chǔ)器技術(shù)等研發(fā)。構(gòu)建集成電路專利池，開展知識(shí)產(chǎn)權(quán)合作與運(yùn)營(yíng)。支持開展關(guān)鍵新材料“卡脖子”技術(shù)攻關(guān)。
《規(guī)劃》中表示，將搭建硅基光電子、第三代半導(dǎo)體器件等重點(diǎn)領(lǐng)域共性技術(shù)平臺(tái)，加速技術(shù)及產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)程。光電子板塊圍繞光傳感、光電芯電、大功率激光器等方向材料制備、器件研制、模塊開發(fā)等方面補(bǔ)短板。
第三代半導(dǎo)體板塊圍繞碳化硅、氮化鎵等高品質(zhì)材料、器件、核心設(shè)備，打造高端產(chǎn)業(yè)鏈。碳基集成電路板塊協(xié)同推進(jìn)先導(dǎo)工藝電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）平臺(tái)開發(fā)、三維集成電路技術(shù)研發(fā)，推動(dòng)碳基集成電路實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。
另外，《規(guī)劃》提出，將優(yōu)化提升重點(diǎn)區(qū)域創(chuàng)新格局，瞄準(zhǔn)集成電路、醫(yī)藥健康、新能源智能汽車、新材料、智能裝備等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域高端發(fā)展需求，推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集聚，建設(shè)工藝、封裝和檢測(cè)等共性技術(shù)平臺(tái)，打造國(guó)際第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新高地。（化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)Amber整理）
