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第三代半導(dǎo)體是以SiC、GaN為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，它們具有耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率等特點(diǎn)，在提高能效、系統(tǒng)小型化、提高耐壓等方面具有優(yōu)勢，是助力節(jié)能減排并實現(xiàn)“碳中和”目標(biāo)的重要發(fā)展方向。國內(nèi)在發(fā)展第三代半導(dǎo)體上的熱潮高漲，目前來看，從IDM、Fabless/材料、代工廠、設(shè)備、封測等各個產(chǎn)業(yè)鏈均有所布局。

上市企業(yè)發(fā)展第三代半導(dǎo)體的不完全統(tǒng)計

IDM企業(yè)

發(fā)展半導(dǎo)體功率器件，IDM 更有核心競爭力，更適合垂直整合。因此，國內(nèi)不少做半導(dǎo)體器件的都是IDM企業(yè)，比如華潤微、楊杰科技、聞泰、士蘭微、三安、捷捷微電、華微電子等，而現(xiàn)在，他們無不在向第三代半導(dǎo)體上進(jìn)攻。

華潤微主要生產(chǎn)第三代半導(dǎo)體器件。公司自主研發(fā)的新一代 650V SiC JBS 綜合性能達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水平，多款產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)。平面型1200V SiC MOSFET產(chǎn)出工程樣品，靜態(tài)技術(shù)參數(shù)達(dá)到國外對標(biāo)樣品水平。公司自主研發(fā)的第一代 650V硅基氮化鎵Cascode器件樣品靜態(tài)參數(shù)達(dá)到外對標(biāo)水平，正在進(jìn)行外延材料質(zhì)量、芯片面積及工藝的優(yōu)化，以進(jìn)一步提升器件可靠性和性價比；自主研發(fā)的第一代650V硅基氮化鎵E-mode器件實現(xiàn)器件功能，工藝還在開發(fā)中。

揚(yáng)杰科技7月10日在投資者互動平臺表示，近五年來公司研究和儲備第三代半導(dǎo)體應(yīng)用技術(shù)，目前已有第三代半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)及產(chǎn)品成果，和小批量SIC器件供應(yīng)市場。

聞泰科技11月4日在投資者互動平臺表示，目前公司的650V氮化鎵（GaN）技術(shù)，已經(jīng)通過車規(guī)級測試。碳化硅（SiC）產(chǎn)品目前已經(jīng)交付了第一批晶圓和樣品。

士蘭微如今已經(jīng)建成了6英寸的硅基氮化鎵集成電路芯片生產(chǎn)線。2021 年上半年，公司硅基 GaN 化合物功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)在持續(xù)推進(jìn)中，公司SiC功率器件的中試線已在二季度實現(xiàn)通線。

賽微電子現(xiàn)有GaN業(yè)務(wù)包括外延材料和芯片設(shè)計兩個環(huán)節(jié)。公司GaN外延材料業(yè)務(wù)是指基于自主掌握的工藝訣竅，根據(jù)既定技術(shù)參數(shù)或客戶指定參數(shù)，通過MOCVD設(shè)備生長并對外銷售6-8英寸GaN外延材料。公司在GaN外延材料方面已完成6-8英寸GaN外延材料制造項目（一期）的建設(shè)，具備了高水平的研發(fā)與生長條件。賽微電子在山東青島擁有一條8英寸GaN外延晶圓產(chǎn)線。在GaN芯片設(shè)計方面已陸續(xù)研發(fā)、推出不同規(guī)格的功率芯片產(chǎn)品及應(yīng)用方案，同時正在推動微波芯片產(chǎn)品的研發(fā)。

2021年10月29日，露笑科技和長豐四面體對合肥露笑半導(dǎo)體碳化硅項目再次增資2億元人民幣。合肥露笑半導(dǎo)體碳化硅項目從2020年11月份破土開工建設(shè)。據(jù)公司財報中透露，合肥工廠今年9月份基本可實現(xiàn)6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底片的小批量生產(chǎn)。

三安光電6月23日宣布總投資160億元的湖南三安半導(dǎo)體基地一期項目正式點(diǎn)亮投產(chǎn)，將打造國內(nèi)首條、全球第三條碳化硅垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈。據(jù)悉，該產(chǎn)線可月產(chǎn)3萬片6英寸碳化硅晶圓。

吉林華微電子已建立肖特基、快恢復(fù)、單雙向可控硅、全品類 MOS 及 IGBT 等國內(nèi)齊全、且具有競爭優(yōu)勢的功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品體系，目前正在積極布局以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體器件技術(shù) 。

捷捷微電已與中科院微電子研究所、西安電子科大合作研發(fā)以 SiC、GaN 為代表第三代半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體器件，目前有少量碳化硅器件的封測，該系列產(chǎn)品仍在持續(xù)研究推進(jìn)過程中。

上市Fabless企業(yè)

11月18日，斯達(dá)半導(dǎo)擬使用募集資金向全資子公司斯達(dá)微電子增資1,977,999,800 元，其中5億元用于“SiC 芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目”建設(shè)。2021年上半年，公司在機(jī)車牽引輔助供電系統(tǒng)、新能源汽車行業(yè)控制器、光伏行業(yè)推出的各類 SiC 模塊得到進(jìn)一步的推廣應(yīng)用。在新能源汽車領(lǐng)域，公司新增多個使用全 SiC MOSFET 模塊的800V 系統(tǒng)的主電機(jī)控制器項目定點(diǎn)。

新潔能自成立以來，公司始終專注于半導(dǎo)體功率器件行業(yè)，具備獨(dú)立的MOSFET和IGBT 芯片設(shè)計能力和自主的工藝技術(shù)平臺。目前1200V新能源汽車用SiC MOSFET和650V PD電源用GaN HEMT在境內(nèi)外芯片代工廠的處于流片驗證階段，進(jìn)展順利。

富滿電子在第三代半導(dǎo)體GaN（氮化鎵）快充領(lǐng)域，目前有可搭配GaN的中高功率（≥65W）主控芯片、PD協(xié)議芯片等產(chǎn)品。相關(guān)芯片NF7307，具備更高集成度（集成啟動電阻&X電容放電），更出色的性能（優(yōu)良的Qr特性，更低待機(jī)功耗）及更高可靠性（全面的保護(hù)機(jī)制），已經(jīng)上市。

封測企業(yè)

蘇州固锝自成立以來，專注于半導(dǎo)體整流器件、功率器件和QFN、MEMS等集成電路封測領(lǐng)域。2021年發(fā)布了全系列600V-1200V新一代SiC二極管。11月，公司在投資者平臺回復(fù)，公司的SIC產(chǎn)品目前處于小批量試產(chǎn)階段。

華天科技在投資者互動平臺表示，公司主營業(yè)務(wù)為集成電路封裝測試，有基于氮化鎵材料的封測業(yè)務(wù)。

華峰測控在第三代化合物半導(dǎo)體，尤其是GaN布局較早。根據(jù)投資者互動平臺信息，臺積電2020年10月首次直接采購GaN測試設(shè)備，此前多次通過供應(yīng)鏈客戶采購GaN測試設(shè)備。

設(shè)備企業(yè)

在碳化硅領(lǐng)域，晶盛機(jī)電的產(chǎn)品主要有碳化硅長晶設(shè)備及外延設(shè)備。公司碳化硅外延設(shè)備已通過客戶驗證，同時在碳化硅晶體生長、切片、拋光環(huán)節(jié)已規(guī)劃建立測試線，以實現(xiàn)裝備和工藝技術(shù)的領(lǐng)先，加快推進(jìn)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅業(yè)務(wù)的前瞻性布局。

北方華創(chuàng)可以提供第三代半導(dǎo)體相關(guān)設(shè)備，在碳化硅方面，可以提供長晶爐、外延爐、刻蝕、高溫退火、氧化、PVD、清洗機(jī)等設(shè)備，氮化鎵方面可以提供刻蝕、PECVD、清洗機(jī)等設(shè)備。

代工廠

日前，英唐智控在投資者互動平臺表示，公司控股子公司上海芯石研發(fā)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品中，已經(jīng)通過代工方式實現(xiàn)了SiC-SBD產(chǎn)品的小批量銷售，SiC-MOSFET目前研發(fā)工作已經(jīng)進(jìn)行進(jìn)入尾聲，已準(zhǔn)備開展產(chǎn)線的投片驗證工作。

海特高新的子公司海威華芯目前已成功建成投產(chǎn)先進(jìn)的6英吋并兼容4英吋的碳化硅基氮化鎵生產(chǎn)線。海威華芯成立于2010年，位于成都雙流，是國內(nèi)率先提供6吋砷化鎵和6吋氮化鎵純晶圓制造（Foundry）服務(wù)的芯片制造企業(yè)。海威華芯投資21億元，在中國大陸建成了首條6吋砷化鎵/氮化鎵半導(dǎo)體集成電路芯片軍民兩用商業(yè)化生產(chǎn)線。

材料

楚江新材的子公司頂立科技，致力于第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）單晶所需的關(guān)鍵材料、關(guān)鍵構(gòu)件和關(guān)鍵裝備的研發(fā)和制造，自主研發(fā)了第三代半導(dǎo)體材料SiC單晶生長用關(guān)鍵原料——超純C粉的生產(chǎn)設(shè)備，掌握了將5N及以下的C粉提純到6N及以上的技術(shù)，其設(shè)備與工藝技術(shù)處于國內(nèi)領(lǐng)先水平。超純碳粉有益于減少，碳化硅單晶所生產(chǎn)的半導(dǎo)體器件它的晶體缺陷，提高品質(zhì)和成品的穩(wěn)定性。目前頂立科技生產(chǎn)的高純碳粉已實現(xiàn)小批量生產(chǎn)。

南大光電主要從事先進(jìn)前驅(qū)體材料、電子特氣、光刻膠及配套材料三類半導(dǎo)體材料產(chǎn)品研發(fā)，據(jù)南大光電在投資者平臺上透露，其高純?nèi)谆壆a(chǎn)品可以用于生產(chǎn)第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵。

光電企業(yè)的轉(zhuǎn)型

在光電LED老牌上市的企業(yè)中，除了三安光電之外，還有一大波光電企業(yè)正在加速向第三代半導(dǎo)體上邁進(jìn)。包括華燦光電、乾照光電、國星光電、聚燦光電等等。

華燦光電在浙江建有第三代半導(dǎo)體材料與器件重點(diǎn)實驗室。華燦光電正在積極探索GaN等第三代半導(dǎo)體材料，并拓展至電力電子半導(dǎo)體器件等領(lǐng)域。

乾照光電也在積極布局以GaAs和GaN材料為基礎(chǔ)的化合物半導(dǎo)體方向。公司產(chǎn)品有GaN LED芯片。

今年4月份，國星光電正式推出一系列第三代半導(dǎo)體新產(chǎn)品，新產(chǎn)品可以分為3大產(chǎn)品系列，包括：SiC功率器件、GaN-DFN器件、功率模塊。目前公司已完成三代半功率器件實驗室及功率器件試產(chǎn)線的建立工作，計劃2021年底實現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn)。

聚燦光電公司主要從事化合物光電半導(dǎo)體材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售業(yè)務(wù)，主要產(chǎn)品為GaN基高亮度LED外延片、芯片。

結(jié)語

當(dāng)然除了上述的這些代表性企業(yè)，還有一些企業(yè)正在背后默默的向第三代半導(dǎo)體靠攏或進(jìn)擊。受益于新能源汽車、光伏逆變、5G、PD快充等應(yīng)用領(lǐng)域強(qiáng)勁的需求，以及政策和市場的雙重驅(qū)動下，第三代半導(dǎo)體將迎來高速增長。

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布局第三代半導(dǎo)體的本土上市公司

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