12月15日，吳越半導(dǎo)體GaN晶體出片儀式在無(wú)錫高新區(qū)舉行。會(huì)上，吳越半導(dǎo)體展出了全球范圍內(nèi)首次厚度突破1厘米的氮化鎵晶體。
據(jù)悉，無(wú)錫吳越半導(dǎo)體是無(wú)錫先導(dǎo)集成電路裝備材料產(chǎn)業(yè)園首個(gè)落戶的項(xiàng)目，公司專注于氮化鎵自支撐襯底的開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)和銷售。
去年2月，吳越半導(dǎo)體、先導(dǎo)集團(tuán)與高新區(qū)管委會(huì)簽訂合作協(xié)議，在無(wú)錫高新區(qū)實(shí)施2-6英寸氮化鎵自支撐單晶襯底產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。項(xiàng)目總投資37億，主要進(jìn)行2-6英寸氮化鎵自支撐單晶襯底及GaN-On-GaN功率芯片、射頻芯片的研發(fā)和生產(chǎn)。
全部建成投產(chǎn)后，能夠打通從材料到芯片到器件的整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈，創(chuàng)造年30億元的銷售額。
近來(lái)，無(wú)錫大力發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。
10月7日，無(wú)錫高新區(qū)（新吳區(qū)）舉行集成電路產(chǎn)業(yè)重大項(xiàng)目集中簽約，總投資達(dá)303.4億元的19個(gè)集成電路重大項(xiàng)目落地。其中就包含晶湛半導(dǎo)體氮化鎵外延材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，基本半導(dǎo)體車規(guī)級(jí)第三代半導(dǎo)體研發(fā)制造總部項(xiàng)目
