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臺(tái)積電搶先布局第三代半導(dǎo)體后，卻給大家提了個(gè)醒？

已有19393次閱讀2021-12-28標(biāo)簽:
 
隨著碳中和，碳達(dá)峰，汽車電動(dòng)化時(shí)代的到來(lái)，第三代半導(dǎo)體被推上風(fēng)口。以碳化硅、氮化鎵為首的第三代半導(dǎo)體儼然成為了行業(yè)“熱詞”。

日前，臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音給這個(gè)火熱的市場(chǎng)提了個(gè)醒，他表示，“當(dāng)前的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)值偏小，無(wú)法與硅基半導(dǎo)體相比，只是特殊技術(shù)。盡管這類產(chǎn)品備受期待，但目前主要是廣告效果。”

事實(shí)上，早在第三代半導(dǎo)體興起之前，臺(tái)積電早已搶先布局。

第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)雖還在發(fā)展中，相較于硅有很大進(jìn)步空間，但無(wú)疑是“未來(lái)可期”。

臺(tái)積電深耕7年，專攻氮化鎵代工


2014年，臺(tái)積電看中了第三代半導(dǎo)體的市場(chǎng)機(jī)會(huì)，開(kāi)始在其6英寸晶圓廠制造GaN組件；

2015年，開(kāi)始生產(chǎn)用于低壓和高壓應(yīng)用的GaN組件。
2017年，開(kāi)始量產(chǎn)GaN-on-Si組件
2020年，開(kāi)始量產(chǎn)第一代650V和100V增強(qiáng)GaN高電子遷移率晶體管(E-HEMT)，該晶體管在2020年迅速達(dá)到滿負(fù)荷生產(chǎn)。

目前，臺(tái)積電主要與意法半導(dǎo)體、納微半導(dǎo)體、GaN System等廠商在氮化鎵上進(jìn)行合作。

2020年，臺(tái)積電為ST提供分立產(chǎn)品供應(yīng)GaN IC，已促成累計(jì)超過(guò)1 300萬(wàn)顆氮化鎵芯片出貨；納微半導(dǎo)體專有的 GaN 工藝設(shè)計(jì)套件 (PDK) 是基于臺(tái)積電的 GaN-on-Si 平臺(tái)開(kāi)發(fā)的，月出貨量超 100 萬(wàn)個(gè) GaNFast 電源 IC，總出貨量超 1300 萬(wàn)個(gè)，場(chǎng)失效為零。

第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)，我們需要保持理性


受益于新能源革命，電汽車、光伏儲(chǔ)能以及工業(yè)自動(dòng)化等下游應(yīng)用的多點(diǎn)爆發(fā)，第三代半導(dǎo)體進(jìn)入了高速增長(zhǎng)的階段。

國(guó)內(nèi)來(lái)看，我國(guó)政府高度重視第三代半導(dǎo)體的發(fā)展，國(guó)家多個(gè)科技和產(chǎn)業(yè)發(fā)展計(jì)劃均把其列為重點(diǎn)發(fā)展方向之一。此前，中科院院士郝躍等專家表示，我國(guó)第三代半導(dǎo)體發(fā)展水平與國(guó)際先進(jìn)水平差距不大，可以成為國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展突破口。

面對(duì)這樣的市場(chǎng)機(jī)遇，我們應(yīng)當(dāng)理性對(duì)待，不炒作，不過(guò)熱，實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈能力和水平提升，局部實(shí)現(xiàn)超越。
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