據(jù)外媒報道，恩智浦（NXP Semiconductors）已宣布與日立（Hitachi Energy）達(dá)成合作，雙方將推動SiC MOSFET功率半導(dǎo)體模塊加速“上車”。

據(jù)悉，本次合作的項目旨在為汽車動力總成逆變器開發(fā)更高效、更可靠且功能更安全的SiC MOSFET解決方案，包括恩智浦的GD3160單通道隔離式高壓柵極驅(qū)動器以及日立的RoadPak車用SiC MOSFET功率模塊。

據(jù)介紹，日立的RoadPak的半橋功率模塊采用1200V的SiC MOSFET，將冷卻引腳翅片和低電感連接集成在一個小巧的外形中，適用于電動公交車、電動乘用車及高性能的電動方程式（Formula-E）賽車等。

日立表示，RoadPak車用功率半導(dǎo)體模塊以高散熱能力、低雜散電感及堅固性持久等為特點，可滿足汽車嚴(yán)苛行駛環(huán)境下的需求，這有助于SiC MOSFET充分發(fā)揮優(yōu)勢。而恩智浦的GD3160隔離式高壓柵極驅(qū)動器可實現(xiàn)快速可靠的開關(guān)及故障保護(hù)，可驅(qū)動達(dá)1700V的SiC MOSFET器件。

因此，RoadPak搭配恩智浦的GD3160能夠最大程度提升總體性能。

恩智浦表示，雙方合作開發(fā)的SiC MOSFET解決方案旨在減少牽引逆變器中SiC MOSFET從評估到性能優(yōu)化的轉(zhuǎn)換過渡時間，最終推動SiC MOSFET加速在汽車領(lǐng)域應(yīng)用。

相比傳統(tǒng)Si IGBT，SiC MOSFET功率器件具有更快的開關(guān)速度、更低的導(dǎo)通電阻，且能夠減少散熱問題，有助于縮小電動車動力總成逆變器的尺寸并降低成本，同時降低電池容量，從而提高續(xù)航里程和系統(tǒng)的整體效率，因此已備受電動汽車領(lǐng)域的重視。

研究分析，雖然SiC自身成本優(yōu)勢低于Si，但SiC已實現(xiàn)整車系統(tǒng)成本的下降。

而且，電動汽車電池動力系統(tǒng)逐步高壓化，整車架構(gòu)已開始朝向800V等更高壓的方向發(fā)展，未來電動汽車市場對于續(xù)航里程、縮短充電時間和高系統(tǒng)效率將有著極大的需求，這也將拉動SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品需求持續(xù)提升。