根據(jù)Knometa發(fā)表的報告，到 2021 年底，該行業(yè) 57% 的月度晶圓總產(chǎn)能由前五名公司擁有。一年前該份額為 56%，而 2018 年為 53%。十年前，前五名持有的份額約為40%。在制造 IC 的公司的構(gòu)成方面，該行業(yè)繼續(xù)變得更加頭重腳輕。

截至今年年底，前五名公司的月產(chǎn)能為 1220 萬片，比上年增長 10%。這一增長率比該行業(yè)的總產(chǎn)能高出一個百分點。

三星——2021 年，該公司擴大了其作為業(yè)界最大產(chǎn)能來源的領(lǐng)先地位。

到年底，三星擁有全球IC晶圓總產(chǎn)能的19%，比第二大公司臺積電多44%。三星在 2020 年將其資本支出提高了 45%，這轉(zhuǎn)化為 2021 年可用產(chǎn)能的大幅增加。大部分資金用于在其平澤工廠建設(shè)多條 300 毫米晶圓廠。

三星在其 2021 年投資者論壇上表示，與 2017 年的產(chǎn)能水平相比，該公司的晶圓廠擴建計劃將導(dǎo)致到 2026 年產(chǎn)能增加兩倍。這些計劃將包括在德克薩斯州泰勒市新建一座價值 170 億美元的晶圓廠。其建設(shè)將于 2022 年開始。泰勒工廠將支持公司大力推動擴大前沿工藝的代工服務(wù)。

臺積電——該公司2021年的產(chǎn)能增長相對溫和，但對其服務(wù)的強勁需求刺激了這一年資本支出的顯著增加，這將導(dǎo)致2022年的產(chǎn)能增長率更高。臺積電計劃在2022年以及 2023 年保持積極的支出。

臺積電近期的大部分晶圓廠建設(shè)活動都集中在其位于臺南的 Fab 18 工廠。該公司最近開始在其位于新竹的 Fab 12 工廠再次增加產(chǎn)能。該廠區(qū)最后一個開工階段是 2017 年的第 7 期。Fab 12 第 8 期正在建設(shè)中，計劃于 2022 年開始運營。

臺積電也經(jīng)歷了對成熟技術(shù)的強烈需求，尤其是對 28nm CMOS 的需求。為滿足這一需求，該公司正在擴大其在中國的 Fab 16 工廠，到 2023 年年中將產(chǎn)能翻一番。

全球三個全新或“greenfield”站點的晶圓廠正在或即將建設(shè)中。位于亞利桑那州鳳凰城的大型晶圓廠（Fab 21）的第一階段已經(jīng)在建設(shè)中，并將于 2024 年開始處理 300 毫米晶圓。耗資 120 億美元的 Fab 21 第一階段工廠將用于制造采用 5 納米技術(shù)的芯片。在日本熊本，臺積電與索尼合作建造了一座價值 70 億美元的 300 毫米晶圓廠，該晶圓廠也將于 2024 年開業(yè)。2021 年 11 月，臺積電宣布選擇高雄作為臺灣另一家晶圓廠的選址。

美光——該公司過去幾年的資本支出更多地集中在升級現(xiàn)有產(chǎn)能以獲得更先進的處理能力，而不是增加產(chǎn)能。盡管如此，該公司在 2021 年以 Fab 15 的第 4 階段、Fab 16 的第 2 階段以及在弗吉尼亞州擴建其傳統(tǒng)產(chǎn)品工廠的形式提供了一些額外的產(chǎn)能。

在美光 2022 財年第一季度財報電話會議上，據(jù)報道，對于 DRAM 和 NAND，該公司計劃在本世紀(jì)中期通過節(jié)點轉(zhuǎn)換實現(xiàn)位供應(yīng)增長。換句話說，美光的資本支出集中在新技術(shù)和設(shè)備上，這將使其能夠通過 DRAM 的裸片縮小和 3D NAND 的持續(xù) 3D 擴展來增加芯片產(chǎn)量。因此，該公司在未來幾年內(nèi)不會將任何大型晶圓廠擴建項目上線。美光于 2021 年 10 月宣布的下一個大型晶圓廠項目是在其位于廣島的工廠建造一座新的 300 毫米晶圓廠。該工廠將于 2024 年投產(chǎn)。

SK 海力士——在 2018 年大幅增加在韓國和中國建設(shè)新晶圓廠的資本支出后，SK 海力士在 2019 年和 2020 年縮減了支出。清州的 Fab M15 和無錫的 Fab C2F 均于 2019 年開始運營，但產(chǎn)能增加晶圓廠的生產(chǎn)是循序漸進的。該公司在 2021 年大幅提高了資本支出，這將轉(zhuǎn)化為 2022 年產(chǎn)能的更大增長。

公司在利川的最新工廠 M16 的建設(shè)于 2021 年初完成，公司于今年第四季度開始運營。

2021 年 12 月，SK 海力士獲得了英特爾在中國大連的 Fab 68 工廠的所有權(quán)。不過，該晶圓廠仍被英特爾用于制造 3D NAND 芯片，因此其 2021 年底的產(chǎn)能并未計入 SK 海力士。SK 海力士收購英特爾的 NAND 和 SSD 業(yè)務(wù)是一項多年的多階段交易，并規(guī)定英特爾可以在 2025 年 3 月之前使用該晶圓廠進行晶圓制造，屆時 SK 海力士將完成收購。

鎧俠/西部數(shù)據(jù)——鎧俠和西部數(shù)據(jù)共同擁有的產(chǎn)能在 2021 年的前五名公司中以最低的速度增長。合作伙伴通過 3D 擴展的進步來增加 3D NAND 芯片的產(chǎn)量，而不是通過增加產(chǎn)能。西部數(shù)據(jù)技術(shù)與戰(zhàn)略總裁 Srinivasan Sivaram 于 2021 年 12 月報告稱，該公司目前的產(chǎn)能方法約為“95% 轉(zhuǎn)換，5% 新晶圓”，這意味著幾乎所有產(chǎn)品供應(yīng)需求都通過轉(zhuǎn)換為新晶圓來滿足技術(shù)。對于 3D NAND，這意味著增加芯片上的 NAND 層數(shù)，以實現(xiàn)更大的單位面積內(nèi)存存儲量。Sivaram 先生曾表示，西部數(shù)據(jù)有一個明確的路線圖，在未來四到五年內(nèi)實現(xiàn)超過 300 層。

鎧俠和西部數(shù)據(jù)在其位于四日市的工廠擁有一座新工廠，計劃于 2023 年初開始運營。與該工廠的其他工廠一樣，Y7 工廠將分兩個階段建造。

2022 年 4 月，合作伙伴開始在其位于北上的工廠建造第二個晶圓廠�，F(xiàn)有的 K1 晶圓廠于 2020 年投產(chǎn)，新的 K2 晶圓廠預(yù)計將于 2024 年投產(chǎn)。