LX Semicon、SK siltron等30家企業(yè)參與
發(fā)力功率半導體！
據報道，該研究部已將目標定為開發(fā)基于碳化硅（SiC）的國內功率半導體生態(tài)系統(tǒng)，同時發(fā)展與SiC半導體相關的材料、零件和設備公司的企業(yè)。
與硅基半導體相比，SiC 半導體具有優(yōu)越的高壓和高溫性能。作為用于電氣設備、可再生能源和工業(yè)用途的半導體器件，它備受關注。開發(fā)用于電動汽車電子產品電源管理的半導體器件也很活躍。該市場目前由德國、美國和日本的半導體公司主導。
其中，LX Semicon、SK siltron、Hana Materials、STI等30家功率半導體公司將參與材料、零件、設備的功率半導體開發(fā)。
LX Semicon將開發(fā)SiC半導體，SK siltron將負責SiC襯底。Hana Materials和STI將開發(fā)SiC半導體零件和設備技術。光云大學、嘉泉大學和國民大學將支持SiC半導體研發(fā)基礎設施，國立納米材料研究所和韓國陶瓷工程技術研究所將提供技術支持。
Source：ETNews
韓國欲搶占先進功率半導體市場先機
近年來，韓國再第三代半導體領域動作頻頻。
2000年韓國制訂了GaN開發(fā)計劃，政府在2004~2008年投入4.72億美元，企業(yè)投入7.36億美元以支持韓國進行光電子產業(yè)發(fā)展，使韓國成為亞洲最大的光電子器件生產國。
2009年韓國發(fā)布《綠色成長國家戰(zhàn)略》，全力發(fā)展環(huán)保節(jié)能產業(yè)，并致力于使得該產業(yè)成為韓國經濟增長的主要動力之一。
2010—2012年間投入約4500萬美金以推動MOCVD機臺實現國產化、引進制程自動化系統(tǒng)并開發(fā)高速封裝、監(jiān)測設備。
2016年，韓國圍繞Si基GaN和SiC器件啟動功率電子國家項目，同時重點圍繞高純SiC粉末制備、高純SiC多晶陶瓷、高質量SiC單晶生長、高質量SiC外延材料生長4個方向，開展了國家研發(fā)項目。
2017年，韓國產業(yè)通商資源部（MOTIE）舉辦研討會，為了強化系統(tǒng)半導體的競爭力，產、官、學三界聯手投資4645億韓元（4.15億美元），開發(fā)低能源、超輕量和超高速的半導體芯片。
這當中1326億韓元用于開發(fā)先進超輕量傳感器、837億韓元投入低耗能的SiC功率半導體，47億韓元投資超高速存儲器和系統(tǒng)整合設計技術。
2021年，韓國政府對第三代半導體的發(fā)展越來越重視。韓國政府發(fā)布了一份先進功率半導體研發(fā)和產能提升計劃，計劃到2025年將市場競爭力提升到全球水平，以便到那一年韓國至少有5種先進的功率半導體產品上市。
同時，韓國宣布啟動“X-band GaN半導體集成電路”國產化課題。韓國無線通信設備半導體企業(yè)RFHIC（艾爾福）被選定為課題牽頭企業(yè)，SK Siltron將參與SiC基板/GaN樹脂的制作，LIG nex1負責系統(tǒng)的驗證，韓國電子通信研究院(ETRI)的半導體工廠將被用來進行GaN MMIC的制作。
在全球第三代半導體的爭奪戰(zhàn)中，韓國正在向歐美日巨頭發(fā)起沖擊。
2025年第三代功率半導體產值或將達47.1億美元
目前最具發(fā)展?jié)摿Φ牟牧霞礊榫邆涓吖β始?/span>高頻率特性的寬禁帶（Wide Band Gap；WBG）半導體，包含碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN），主要應用大宗為電動車、快充市場。
據TrendForce集邦咨詢研究推估，第三類功率半導體產值將從2021年的9.8億美元，至2025年將成長至47.1億美元，年復合成長率達48%。
Source：TrendForce
其中，SiC功率半導體至2025年可達33.9億美元。GaN功率半導體至2025年可達13.2億美元。
