據(jù)豐田工業(yè)株式會(huì)社4月13日公告，bZ4X采用了他們研發(fā)的車(chē)載充電裝置ESU，該裝置集成了搭載SiC技術(shù)的車(chē)載充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器。

豐田工業(yè)表示，搭載了SiC二極管的車(chē)載充電裝置比傳統(tǒng)的更小、更輕，還能將成本有效降低 30%。該碳化硅技術(shù)來(lái)源于日本電裝。

據(jù)公告介紹，以往的車(chē)載充電裝置一般是搭載2個(gè)輸出3.3kW的功率轉(zhuǎn)換電路，但此次開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品通過(guò)將其合并為1個(gè)6.6kW的電路，從而減少了零部件數(shù)量。由于只使用一個(gè)電路，高浪涌電壓就成了亟需解決的問(wèn)題，而搭載SiC能有效解決這一問(wèn)題。

早在1980年豐田中央研發(fā)實(shí)驗(yàn)室和電裝公司就開(kāi)始合作開(kāi)發(fā)SiC半導(dǎo)體材料。

2014年5月正式發(fā)布了基于SiC半導(dǎo)體器件的零部件——應(yīng)用于新能源汽車(chē)的功率控制單元(PCU)。

2020年，電裝和豐田合資成立“MIRISE Technologies”，進(jìn)行下一代先進(jìn)車(chē)載半導(dǎo)體的研究和開(kāi)發(fā)。MIRISE將結(jié)合豐田在整車(chē)和電裝在零部件的經(jīng)驗(yàn)，致力于三個(gè)技術(shù)領(lǐng)域：功率電子、傳感器、SoC，進(jìn)一步凸顯出他們對(duì)車(chē)載半導(dǎo)體的重視。

作為第三代半導(dǎo)體的代表，SiC具有寬的禁帶寬度，高的擊穿電場(chǎng)、高的熱導(dǎo)率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，在IGBT、MOSFET等功率半導(dǎo)體中應(yīng)用尤為廣泛，正在逐步成為汽車(chē)領(lǐng)域的“新芯”。